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公开(公告)号：CN109196420B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201780032851.6
申请日：2017-05-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： G·F·J·沙斯富特 , P·德格罗特 , M·Y·斯德拉科夫 , M·P·J·M·迪克斯 , J·M·芬德尔斯 , 彼得-詹·范兹沃勒 , J·J·M·巴塞曼斯 , S·鲍默 , L·C·德温特 , W·J·恩格伦 , M·A·范德柯克霍夫 , R·J·伍德
Abstract: 一种图案形成装置，包括反射式标识，其中所述标识包括：多个反射区域，被配置为优先反射具有给定波长的辐射；多个吸收区域，被配置为优先吸收具有所述给定波长的辐射；其中所述吸收区域和反射区域被布置成形成在用辐射照射所述标识时从所述标识反射的图案化辐射束，其中所述反射区域包括粗糙化的反射表面，所述粗糙化的反射表面被配置为扩散从所述反射区域反射的辐射，以及其中所述粗糙化的反射表面的均方根粗糙度约为给定波长的八分之一或更大。
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公开(公告)号：CN113396363A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202080012376.8
申请日：2020-01-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 玛丽亚-克莱尔·范拉尔 , F·J·蒂默曼 , F·维特布罗德 , J·M·麦克纳马拉 , J·M·芬德尔斯
Abstract: 一种衰减相移图案形成装置包括：第一部件，用于反射辐射；以及第二部件，用于以相对于从所述第一部件反射的辐射不同相位反射辐射，所述第二部件覆盖所述第一部件的所述表面的至少一部分，使得包括所述第一部件的至少一个未覆盖部分的图案被形成用于在使用中的光刻设备中生成图案化辐射束，其中所述第二部件包括具有实部(n)小于0.95并且虚部(k)小于0.04的折射率的材料。
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公开(公告)号：CN109661616A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201780052912.5
申请日：2017-08-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种调整图案化叠层的方法，所述方法包括：定义函数，该函数对代表与转印到衬底上的图案化叠层中的图案有关的物理特性的参数如何受到图案化叠层变量的变化的影响进行度量，所述图案化叠层变量代表所述图案化叠层的材料层的物理特性；通过硬件计算机系统来改变所述图案化叠层变量，并且通过所述硬件计算机系统来评估与改变的图案化叠层变量相关的所述函数，直到满足结束条件为止；以及当满足结束条件时，输出所述图案化叠层变量的值。
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公开(公告)号：CN109196420A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780032851.6
申请日：2017-05-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： G·F·J·沙斯富特 , P·德格罗特 , M·Y·斯德拉科夫 , M·P·J·M·迪克斯 , J·M·芬德尔斯 , 彼得-詹·范兹沃勒 , J·J·M·巴塞曼斯 , S·鲍默 , L·C·德温特 , W·J·恩格伦 , M·A·范德柯克霍夫 , R·J·伍德
CPC classification number: G03F1/24 , G02B5/0278 , G02B5/0284 , G02B5/22 , G02B2005/1804 , G03F1/42 , G03F1/44 , G03F7/706 , G03F7/70683 , G03F9/7076
Abstract: 一种图案形成装置，包括反射式标识，其中所述标识包括：多个反射区域，被配置为优先反射具有给定波长的辐射；多个吸收区域，被配置为优先吸收具有所述给定波长的辐射；其中所述吸收区域和反射区域被布置成形成在用辐射照射所述标识时从所述标识反射的图案化辐射束，其中所述反射区域包括粗糙化的反射表面，所述粗糙化的反射表面被配置为扩散从所述反射区域反射的辐射，以及其中所述粗糙化的反射表面的均方根粗糙度约为给定波长的八分之一或更大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107111240A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580068501.6
申请日：2015-11-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·M·芬德尔斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/705 , G03F7/70125 , G03F7/70441 , G06F17/5009
Abstract: 一种方法包括：获得由光刻图案形成装置的图案的三维形貌导致的计算的波前相位信息；和基于该计算的波前信息且使用计算机处理器来计算图案形成装置的图案的三维形貌的成像效应。
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公开(公告)号：CN103207516B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310013801.7
申请日：2013-01-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·M·芬德尔斯
Abstract: 本发明涉及一种光刻掩模、光刻设备和方法。光刻掩模具有基底，所述基底对于特定波长的辐射是基本上透射性的，所述基底具有成图案形式的辐射吸收材料，所述图案配置成施加另一图案至所述特定波长的辐射束的横截面，其中所述吸收材料具有基本上等于所述特定波长除以吸收材料的折射率的厚度。
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公开(公告)号：CN101923285B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201010198859.X
申请日：2010-06-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·尼古尔斯基 , J·M·芬德尔斯 , R·J·S·格劳恩迪吉克
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/40 , G03F7/70533 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/0338
Abstract: 本发明提供一种光刻方法和布置。所述光刻方法包括：使第一材料层在辐射束下曝光以便在第一层中形成第一图案特征，第一图案特征具有侧壁；并且控制所述辐射束的聚焦特性以控制所述侧壁的侧壁角度；在第一图案特征上形成第二材料层以在第一图案的侧壁上形成覆盖层；去除第二层的一部分，在所述第一图案的侧壁上留下所述第二材料层的覆盖层；去除由第一层形成的第一图案，在衬底上留下在所述第一图案特征的侧壁上形成覆盖层的所述第二层的至少一部分，所述第二层留在衬底上的所述部分在与被去除的第一图案特征的侧壁的位置邻近的位置上形成第二图案特征。
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公开(公告)号：CN101750906B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910260477.2
申请日：2009-12-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： L·A·考里娜桑塔玛丽亚 , J·M·芬德尔斯 , L·C·德温特
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70266 , G03B27/54 , G03F7/70308 , G03F7/70525 , G03F7/70833 , G03F7/70891
Abstract: 本发明提供一种用于光刻设备的方法。在一实施例中，提供一种采用光刻设备至少部分地补偿将要应用到衬底的图案特征的特性中的偏差的方法。所述方法包括获得有关所述特性中的偏差的信息，和确定将要应用到将要用于将所述图案特征应用到所述衬底的辐射束的至少一部分并将至少部分地补偿所述特性中的偏差的所需相变。所需相变的所述确定包括确定相位调制元件的所需配置。所述方法还包括当将所述图案特征应用到所述衬底时，将所需相变应用到所述辐射束的所述部分，所需相变的所述应用包括当所述相位调制元件处于所需配置时用所述辐射束的所述部分照射所述相位调制元件。
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公开(公告)号：CN101750906A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910260477.2
申请日：2009-12-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： L·A·考里娜桑塔玛丽亚 , J·M·芬德尔斯 , L·C·德温特
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70266 , G03B27/54 , G03F7/70308 , G03F7/70525 , G03F7/70833 , G03F7/70891
Abstract: 本发明提供一种用于光刻设备的方法。在一实施例中，提供一种采用光刻设备至少部分地补偿将要应用到衬底的图案特征的特性中的偏差的方法。所述方法包括获得有关所述特性中的偏差的信息，和确定将要应用到将要用于将所述图案特征应用到所述衬底的辐射束的至少一部分并将至少部分地补偿所述特性中的偏差的所需相变。所需相变的所述确定包括确定相位调制元件的所需配置。所述方法还包括当将所述图案特征应用到所述衬底时，将所需相变应用到所述辐射束的所述部分，所需相变的所述应用包括当所述相位调制元件处于所需配置时用所述辐射束的所述部分照射所述相位调制元件。
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