公开(公告)号：CN108110072B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201711171046.X

申请日：2017-11-22

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 河廷珉 ,  赵成衍 ,  朴相昱

IPC: H01L31/048 ,  H01L31/18

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板，该半导体基板包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的每一个包括第一边缘区域、第二边缘区域以及位于所述第一边缘区域和所述第二边缘区域之间的单元区域；第一钝化层，该第一钝化层形成在所述半导体基板的所述第一表面的单元区域上；第一导电半导体层，该第一导电半导体层设置在所述第一钝化层上；以及第一电极，该第一电极设置在所述第一导电半导体层上。使所述半导体基板的所述第一表面的所述第一边缘区域暴露。

公开(公告)号：CN109037359A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810878741.8

申请日：2015-11-30

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 河廷珉 ,  金圣辰 ,  郑柱和 ,  安俊勇 ,  崔亨旭 ,  张元宰 ,  金在声

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50

Abstract: 太阳能电池。公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。

公开(公告)号：CN108713257A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201780004984.2

申请日：2017-03-20

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李真荧 ,  河廷珉 ,  朴相昱

IPC: H01L31/05 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H01L31/048

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种太阳能电池板包括：第一太阳能电池和第二太阳能电池；以及多条引线，所述多条引线用于将第一太阳能电池和第二太阳能电池连接。第一太阳能电池和第二太阳能电池中的每个包括：第一电极，该第一电极包括沿着第一方向的多条指状线和沿着与第一方向交叉的第二方向的多个第一汇流条；以及第二电极，该第二电极包括沿着第二方向的多个第二汇流条。多条引线的直径或宽度是100μm至500μm，并且包括布置在第一太阳能电池或第二太阳能电池的一个表面侧的6条或更多条引线。多条引线分别通过焊料层与第一太阳能电池的多个第一汇流条和第二太阳能电池的多个第二汇流条连接。

公开(公告)号：CN105655427B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201510892086.8

申请日：2015-11-30

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 河廷珉 ,  金圣辰 ,  郑柱和 ,  安俊勇 ,  崔亨旭 ,  张元宰 ,  金在声

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50

Abstract: 公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。

公开(公告)号：CN103247699B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201210399301.7

申请日：2012-10-19

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 河廷珉 ,  崔荣嫮 ,  朴昶绪

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0684 ,  Y02E10/547

Abstract: 太阳能电池。一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：第一导电类型的基板；多个第一电极，所述多个第一电极位于所述基板的一个表面上并且沿第一方向延伸；发射极区，所述发射极区电连接至所述第一电极并且是与所述第一导电类型相反的第二导电类型；多个第二电极，所述多个第二电极位于所述基板的另一个表面上并且沿所述第一方向延伸；以及背表面场区，所述背表面场区包括多个第一场区，所述多个第一场区沿与所述第二电极相同的方向局部地形成在与所述第二电极相对应的位置处并且电连接至所述第二电极。相邻的第一场区之间的距离小于相邻的第二电极之间的距离。

公开(公告)号：CN102214709B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201010519088.X

申请日：2010-10-21

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 河廷珉 ,  安俊勇 ,  金振镐

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及选择性发射极太阳能电池。选择性发射极太阳能电池包括：第一导电类型的基板；第二导电类型的发射极层，其位于基板的光接收表面上；以及多个第一电极，其位于发射极层上，并且电连接到发射极层。发射极层包括具有第一杂质浓度的第一发射极部分、和具有高于第一杂质浓度的第二杂质浓度的第二发射极部分。第二发射极部分包括第一区域和第二区域，第一区域直接接触所述多个第一电极中的至少一个第一电极并与所述多个第一电极中的所述至少一个第一电极交叠，所述第二区域位于所述第一区域周围并且不与所述多个第一电极中的所述至少一个第一电极交叠。第二区域的线宽度等于或小于所述多个第一电极中的每一个第一电极的线宽度的大约八倍。