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公开(公告)号：CN103764560A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201180073221.6
申请日：2011-07-20
申请人： 赫姆洛克半导体公司
IPC分类号： C01B33/035 , F16J15/10
CPC分类号： C23C16/4409 , C01B33/035 , C23C16/4418
摘要： 本发明公开了一种垫圈，所述垫圈用于将材料沉积到承载体上的制备装置中。所述制备装置的壳体和基板限定了反应室。所述垫圈设置在所述壳体与所述基板之间以防止沉积组合物逸出所述反应室，所述沉积组合物包含待沉积的所述材料或其前体。所述垫圈包含柔性石墨材料，用于防止所述垫圈污染所述反应室内的所述材料。
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公开(公告)号：CN102666915B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201080051679.7
申请日：2010-10-08
申请人： 赫姆洛克半导体公司
IPC分类号： C23C16/44 , C01B33/035
CPC分类号： C23C16/4418 , C01B33/035 , C23C16/4404
摘要： 提出了一种用于在载体上沉积材料的制造装置和一种与制造装置一起使用的电极。该制造装置包括限定腔室的外壳。外壳还限定用于将气体引入腔室的入口和用于将气体从腔室排出的出口。至少一个电极被布置穿过外壳且该电极至少部分地被布置于腔室内。电极具有外部表面。在室温下具有至少为7×106姆欧/米的电导率的第一外部涂层被布置在电极的外部表面上。与第一外部涂层不同的第二外部涂层被布置在第一外部涂层上。电源设备被耦合到电极。
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公开(公告)号：CN102869608A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201080066144.7
申请日：2010-09-10
申请人： MEMC电子材料有限公司
IPC分类号： C01B33/035 , F27B11/00 , F27D1/16
CPC分类号： C23C16/46 , C01B33/035 , C23C16/4418 , F27B11/00 , Y10T29/49826
摘要： 本发明涉及一种用于经由化学气相沉积工艺在多个加热的硅棒上沉积多晶硅的西门子反应器的钟罩。该钟罩包括导热内壁，该内壁具有至少部分限定内部空间的内表面，该内部空间适于在其内接纳所述多个加热的硅棒。热辐射屏蔽位于内部空间中，该热辐射屏蔽与所述内壁的内表面大体上邻接并与该内表面处于相对的关系。所述热辐射屏蔽基本上不透过从在所述钟罩的内部空间中的所述多个加热的硅棒发出的热辐射。
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公开(公告)号：CN102190302A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110066992.4
申请日：2011-03-18
申请人： 瓦克化学股份公司
发明人： 海因茨·克劳斯
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： C23C16/4418 , C01B33/035 , C23C16/24 , Y10T428/2933
摘要： 本发明涉及无裂纹多晶硅棒的生产方法。本发明尤其涉及一种通过从气相中沉积到细棒上生产多晶硅棒的方法，其中，在电极上方和/或棒对的桥下方引入一个或多个沉积条件下具有的电阻率低于多晶硅的材料构成的盘。本发明的方法获得的棒无裂纹并且无缺损的棒长度显著增加。
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公开(公告)号：CN102047750A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980120110.9
申请日：2009-04-13
申请人： 赫姆洛克半导体公司
IPC分类号： H05B3/03 , C23C16/44 , C01B33/035
CPC分类号： C23C16/4418 , C01B33/035 , H05B3/03
摘要： 本发明涉及一种用于在载体上沉积材料的制造设备和用于这种制造设备的电极。典型地，载体具有彼此隔开的第一端和第二端。插座设置在载体的每端处。这种制造设备包括限定了腔室的壳体。设置穿过壳体的至少一个电极，其中电极至少部分地设置于腔室内以便联接至插座。电极具有外表面，该外表面具有适于接触插座的接触区域。接触区域涂层设置在电极的外表面的接触区域上。接触区域涂层具有至少9x106姆欧/米的导电系数和在基于室温海水作为电解质的电位序中高于银的抗腐蚀性。
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公开(公告)号：CN102047066A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980120116.6
申请日：2009-04-13
申请人： 赫姆洛克半导体公司
IPC分类号： F28F13/18 , C23C16/44 , C01B33/035
CPC分类号： B23K10/02 , C23C16/4418 , H05B3/03
摘要： 本发明涉及一种用于在载体上沉积材料的制造设备和用于这种制造设备的电极。典型地，载体具有彼此隔开的第一端和第二端。插座设置在载体的每端处。这种设备包括限定了腔室的壳体。至少一个电极穿过壳体设置，用于接收插座。电极包括限定了通道的内表面。电极通过使电流直接通到载体而将载体加热至所需沉积温度。冷却剂与电极的通道处于流体连通，用于降低电极的温度。通道涂层设置在电极的内表面中，用于防止冷却剂与内表面之间的热传递发生损失。
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公开(公告)号：CN101544372A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910127763.1
申请日：2009-03-25
申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC分类号： C01B33/035 , C30B28/14 , C30B29/06
CPC分类号： C01B33/035 , C23C16/4418 , Y10T117/10 , Y10T117/102
摘要： 本发明提供一种多晶硅制造装置，其不需增加电极数即可保持较多的硅芯棒。将沿上下方向延伸的硅芯棒(4)分别立设于配设在反应炉底板部(2)的多个电极上，向反应炉内供给原料气体，并从电极对硅芯棒通电来使硅芯棒发热，利用原料气体使该硅芯棒的表面析出多晶硅，其中，多个电极中的至少一部分是保持两根硅芯棒的两根用电极(5B)，并且该两根用电极具有以插入状态设于形成在底板部(2)上的贯通孔(25)内的电极座(26)、和隔开相互间隔地设于该电极座的上端部的一对芯棒保持部(27)，电极座的内部形成有供冷却介质流通的冷却流路(40)，与冷却流路(40)连通的冷却配管与贯通底板部(2)的电极座(26)的下端部连接。
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公开(公告)号：CN1764596A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200480008123.4
申请日：2004-02-16
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC分类号： B81C1/00 , B82B3/00 , H01J37/317 , C23C16/48
CPC分类号： B81C99/00 , B33Y50/00 , B33Y50/02 , B81C99/0095 , C23C16/047 , C23C16/4418 , H01J37/3056 , H01J2237/30411
摘要： 提供一种利用FIB－CVD的纳米结构的制造方法及其绘制系统，该制造方法能够制造三维纳米结构、特别是例如阶梯结构或空心结构的没有支撑的结构。通过控制聚焦离子射束，以便基于多层结构的离散绘制数据确定射束辐射位置或时间来制造三维纳米结构，其中多层结构的绘制数据是通过计算在电子计算机设计的三维纳米结构模型的垂直方向上分割的剖面形状而产生的。
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公开(公告)号：CN108468037A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810159813.3
申请日：2018-02-26
申请人： 武汉大学
CPC分类号： C23C16/44 , C23C16/4418 , C23C16/48 , C23C16/483 , C23C16/54
摘要： 本发明涉及化学气相沉积技术领域，提供了一种飞秒激光预解离装置，包括飞秒激光解离模块以及高里德堡原子检测模块，所述飞秒激光解离模块与所述高里德堡原子检测模块通过第一管道连通，所述第一管道安设有阀门。还提供一种化学气相沉积设备，包括反应气体供给源、反应腔以及上述的一种飞秒激光预解离装置。本发明通过飞秒激光解离模块预先将反应气体催化解离，使之在进入反应腔前就解离为CH2或CH，可极大提高生产效率且减少对空气的污染，同时通过高里德堡原子检测模块分析H2、CH3、CH2或CH等气体的成分，并将其反馈至飞秒激光解离模块，供飞秒激光解离模块实时调整优化功率密度和时域分布，可更好地控制催化反应的进程。
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公开(公告)号：CN107012507A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611123111.7
申请日：2016-12-08
申请人： OCI有限公司
CPC分类号： C23C16/4407 , B08B3/02 , B08B3/04 , C23C16/24 , C23C16/4404 , C23C16/4418 , C30B28/14 , C30B29/06
摘要： 本发明涉及用于防止接地故障电流且具有优异的去除硅粉尘效果的多晶硅制备装置。所述多晶硅制备装置包括室和陶瓷颗粒层，所述室包括具有打开的下部的外壳和与所述外壳的下部连接的基板，所述陶瓷颗粒层在基板的上表面上，用于防止在过程中产生的硅粉尘与基板直接接触且在所述过程之后与硅粉尘一起被去除。
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