公开(公告)号：CN101636520B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200880008675.3

申请日：2008-03-27

Applicant: 日本磁性技术株式会社

Inventor： 椎名祐一

IPC: C23C14/32 ,  H05H1/32

CPC classification number: H01J37/32633 ,  H01J37/147 ,  H01J37/3178 ,  H01J37/32055 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/3142 ,  H05H1/48

Abstract: 本发明提供一种等离子体生成装置，其在等离子管中，可以不减退通过真空电弧放电产生的等离子体的有效量地有效去除混入等离子体的微滴，而且可以简单并廉价地构成微滴去除部，可谋求用高纯度等离子体提高成膜等表面处理的精度。等离子管阴极(407)的外围被外围部件(420)包围，在外围部件(420)的内侧设有由多个对微滴进行捕集的捕集部件(411)按多层状构成的微滴去除装置(406)。外围部件(420)、捕集部件(411)以及等离子体行进路(402)与电弧电源(409)无连接关系，被保持在电中性的浮游状态。

公开(公告)号：CN102017054A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114412.5

申请日：2009-04-23

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： Y·黄

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3007 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/24528

Abstract: 一种离子注入系统(500)，包括：离子源(502)，其产生沿射束路径(505，507)的离子束(504)；在该离子源的下游的质量分析器组件(514)，其在该离子束上进行质量分析与角度修正；解析孔(516)电极，其包括在该质量分析器组件(514)的下游并且沿着该射束路径的至少一个电极，至少一个电极具有根据所选择的质量解析度与射束包络的尺寸与形状；在解析孔电极的下游的偏转元件(518)，其改变该偏转元件射出该离子束(507)的路径；在偏转元件的下游的减速电极(519)，其将该离子束进行减速；支持台，其在终端站(526)中以用于将由带电离子所注入的工件(522)进行保持和定位，以及其中该终端站以大约逆时针8度安装，以致于所偏转的该离子束垂直于该工件。

公开(公告)号：CN101335176A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810087230.0

申请日：2008-03-24

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 卢俓奉 ,  金东锡

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3172 ,  H01J2237/04735 ,  H01J2237/04756 ,  H01J2237/05 ,  H01L21/26513

Abstract: 本发明公开了一种用于将离子注入晶片的设备以及局部离子注入方法。此局部离子注入设备和方法期望地提供对所注入的掺杂剂的能量的控制。该局部离子注入设备通常包括离子束发生器、以及第一和第二减速单元。该第一减速单元减速由该离子束发生器产生的离子束的能量；且随后的第二减速单元根据晶片区域将该能量进一步减速为不同能量水平，其中离子将被注入晶片区域。

公开(公告)号：CN104250687B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201410223350.4

申请日：2014-05-26

Applicant: 苹果公司

Inventor： S·R.·兰开斯特-拉罗克 ,  C·钱 ,  植村贤介 ,  P·哈雷罗

IPC: C21D10/00

CPC classification number: B23K15/00 ,  B23K15/02 ,  B23K20/122 ,  H01J37/05 ,  H01J37/305 ,  H01J2237/05

Abstract: 公开了一种电子束调节。所描述的实施例一般地涉及调整输出或电子束的调节。更具体而言，公开了涉及将入射到工件的电子束的足迹保持在所限定的能量水平内的各种构造。这样的构造允许电子束仅将工件的特定部分加热到在其中金属间化合物分解的过热状态。在一个实施例中，公开了阻止电子束的低能量部分接触工件的掩模。在另一个实施例中，电子束可以用将电子束保持在一能量水平以使得基本所有的电子束在阈值能量水平之上的方式被聚焦。

公开(公告)号：CN102384922B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201110246288.7

申请日：2011-08-25

Applicant: FEI公司

Inventor： U.吕肯 ,  F.J.P.舒尔曼斯 ,  C.S.库伊曼

IPC: G01N23/08

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/05 ,  H01J37/26 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/24455 ,  H01J2237/2446 ,  H01J2237/24485 ,  H01J2237/2802 ,  H01J2237/2817

Abstract: 本发明涉及一种用于透射电子显微镜的检测器系统，其包括用于记录图样的第一检测器和用于记录所述图样特征的位置的第二检测器。第二检测器优选地是位置灵敏检测器，其提供可以被用作反馈以便稳定所述图样在第一检测器上的位置的精确且快速的位置信息。在一个实施例中，第一检测器检测电子能量损失电子谱，并且位于第一检测器后方并检测穿过第一检测器的电子的第二检测器检测零损失峰的位置并且调节电子路径，以便稳定所述谱在第一检测器上的位置。

公开(公告)号：CN102484028B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080027722.6

申请日：2010-06-22

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 威尔汉·P·普拉托 ,  奈尔·J·巴森 ,  彼得·F·库鲁尼西 ,  艾力克斯恩德·S·培尔 ,  奎格·R·钱尼

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08 ,  H01J49/10 ,  H01J27/02 ,  H01J9/38

CPC classification number: H01J49/10 ,  H01J27/02 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2209/017 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/30466

Abstract: 在离子植入机中，利用法拉第杯来接收在离子源清净期间产生的离子束。所侦测的束具有指示离子源清净过程何时完成的相关联的质谱。所述质谱产生由清净剂及包括所述离子源的材料组成的信号。此信号在所述离子源腔室正被清净时随时间而升高，且一旦沉积物被自所述源腔室蚀刻掉，此信号便将变平并保持恒定，藉此利用现有植入工具来在离子源清净期间判定终点侦测。

公开(公告)号：CN102017054B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200980114412.5

申请日：2009-04-23

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： Y·黄

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3007 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/24528

Abstract: 一种离子注入系统(500)，包括：离子源(502)，其产生沿射束路径(505，507)的离子束(504)；在该离子源的下游的质量分析器组件(514)，其在该离子束上进行质量分析与角度修正；解析孔(516)电极，其包括在该质量分析器组件(514)的下游并且沿着该射束路径的至少一个电极，至少一个电极具有根据所选择的质量解析度与射束包络的尺寸与形状；在解析孔电极的下游的偏转元件(518)，其改变该偏转元件射出该离子束(507)的路径；在偏转元件的下游的减速电极(519)，其将该离子束进行减速；支持台，其在终端站(526)中以用于将由带电离子所注入的工件(522)进行保持和定位，以及其中该终端站以大约逆时针8度安装，以致于所偏转的该离子束垂直于该工件。

公开(公告)号：CN203833984U

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201420271741.9

申请日：2014-05-26

Applicant: 苹果公司

Inventor： S·R.·兰开斯特-拉罗克 ,  C·钱 ,  植村贤介 ,  P·哈雷罗

IPC: C21D10/00

CPC classification number: B23K15/00 ,  B23K15/02 ,  B23K20/122 ,  H01J37/05 ,  H01J37/305 ,  H01J2237/05

Abstract: 本公开一般地涉及电子束调节系统、电子束处理装置与系统。一种用于电子束处理金属工件的表面部分的系统包括配置为发射具有第一能量分布的电子束的电子束发射器，以及设置在所述电子束发射器和所述金属工件之间并对由所述电子束发射器发射的电子束起作用以将所述第一能量分布改变为第二能量分布的机构，其中，所述第二能量分布被限制于将所述金属工件的表面部分保持在与预先选择的金属相相对应的温度范围内的电子束能量范围。本公开的一个实施例解决的一个技术问题是如何可靠地从金属工件的表面区域移除金属间化合物。