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公开(公告)号：CN101630867A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200810132014.3
申请日：2008-07-16
Applicant: 光宝科技股份有限公司 , 北极光股份有限公司
Inventor： 许跃腾
Abstract: 本发明公开了一种具储能及供电的电能储存装置，其包括有一充电模块、一放电模块与一储能模块，该储能模块电性连接该充电模块与该放电模块，而该电能储存装置进一步具有一切换装置，该切换装置控制该充电模块与该放电模块，该切换装置于用电离峰时间控制该充电模块对该储能模块进行充电，而于用电尖峰时间透过该放电模块接收来自该储能模块的电力，并进行供电，藉此使尖、离峰的用电趋于一致、平衡，以达到节省电费的目的。本发明亦提出一具储能及供电的电能储存装置的使用方法。
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公开(公告)号：CN101399116A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810165818.3
申请日：2008-09-23
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 本发明提供一种小型且能提高电容密度、提高电极金属和电介质材料的选择性、简化制造工程的电容器及其制造方法。电容器元件(12)由以下部分构成：一对导电体层(14)、(16)；多个第1电极(20)和第2电极(24)；绝缘所述电极和导电体层的绝缘帽(22)、(26)。通过2个阶段对金属基材进行阳极氧化处理，可以不规则地配置用于填充所述第1电极(20)的孔和用于填充第2电极(24)的孔。通过使所述第1电极(20)和第2电极(24)大致成柱状，可以增大决定电容的面积，实现电容器(10)的高电容化。此外，能够增加电极材料的选择性，同时简化制造工序。
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公开(公告)号：CN101295580A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810003421.4
申请日：2008-01-11
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01G4/06 , H01G4/12 , H01G4/1227 , H01G4/14 , H01G4/20 , H01G4/206 , H05K1/162 , H05K3/4611 , H05K2201/0187 , H05K2201/0195 , H05K2201/09672 , H05K2201/2036 , Y10T29/417
Abstract: 本发明提供一种电容器元件及其制造方法。该电容器元件可包括至少一电容性器件。该至少一电容性器件可包含：一对彼此对置的第一导电层；至少一第一介电层，其可形成于该第一导电层中的至少一者的一表面上；以及一第二介电层，其可夹于该第一导电层之间。该第一介电层可具有一第一介电常数，且该第二介电层可具有一第二介电常数。该电容器元件的该电容可视该第一介电层以及该第二介电层的介电参数而定。该介电参数可包含该至少一第一介电层的该第一介电常数及厚度，以及该第二介电层的该第二介电常数及厚度。本发明有效规避了两金属间透过薄介电层而发生短路的危险，或在该介电层中形成可能影响电容效应及特性的细微气泡或其它结构上的缺陷的危险。
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公开(公告)号：CN101272991A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200680035879.7
申请日：2006-09-13
Applicant: 费罗公司
Inventor： 小沃尔特·J.·赛姆斯 , 莫哈米德·H.·梅盖尔希 , 伊丽莎白·W.·J.·罗默 , 麦克·S.·h.·舒 , 威利布罗德斯·J.·L.·M.·J.·科庞
IPC: C03C3/14 , C03C4/16 , C03C8/14 , H01B3/08 , H01G4/018 , H01G4/12 , H01G4/30 , H01G4/33 , H05K1/03
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/1236 , H01G4/1245
Abstract: 本发明制备了一种多层陶瓷片状电容器，该多层陶瓷片状电容器满足COG要求，并且与还原气氛烧结条件相容，使得非贵金属例如镍和镍合金可以用于内部电极和外部电极。该电容器表现出所希望的介电性能(高的电容量、低的损耗系数、高的绝缘电阻)、在高加速寿命测试中的优异性能以及非常优异的抗介电击穿性能。电介质层包含锆酸锶基质，其中掺杂有各种不同组合的其他金属氧化物例如TiO2、MgO、B2O3、CaO、Al2O3、SiO2和SrO。图1是根据本发明的实施方式的多层陶瓷片状电容器(1)的截面视图。电容器(1)的外电极(4)被配置在电容器片(1)的侧面，并且与内部电极层(3)电连接。电容器片(1)具有许多交替堆叠的电介质层(2)。
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公开(公告)号：CN1783373A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510129158.X
申请日：2005-10-08
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: H05K1/162 , H01G4/005 , H01L28/75 , H05K3/384 , H05K2201/0355 , H05K2201/09509 , H05K2203/0723
Abstract: 公开了一种适用于形成电容器的结构，包括设置在电极表面上的电容器介电材料。还公开了形成该结构的方法。
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公开(公告)号：CN1384512A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02105539.4
申请日：2002-04-16
Applicant: 希普列公司
CPC classification number: H01G4/206 , H05K1/162 , H05K2201/0129 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/0195 , H05K2201/0323 , H05K2201/09309 , Y10T428/24975 , Y10T428/30
Abstract: 一种电容器用的电介质层板及其制造方法,其由介于二聚合物层的芯材构成,该聚合物层具有小于芯材的电容率值。该聚合物层提供电介质的结构完整性。该电介质可用于电容器,以微调电容器的电容。该电介质及电容器可具有微米范围的厚度。因此,电介质及电容器可使电子装置的尺寸缩小。该电介质可用于去偶合电容器以降低电子装置中的噪音。
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公开(公告)号：CN119361323A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411378083.8
申请日：2024-09-30
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种高温储能用的电介质薄膜及其制备方法和装置，所述电介质薄膜通过超临界喷涂成膜和热处理制备得到，包括以下重量份的组分：耐高温聚合物5‑30份、添加剂0.1‑5份和溶剂60‑95份；所述耐高温聚合物选自聚酰亚胺类聚合物、聚酰亚胺类聚合物的前驱体聚酰胺酸中的一种或多种；所述添加剂选自氧化铝、勃姆石、碳化硅中的一种或多种无机填料。与现有技术相比，本发明厚度均匀，且耐击穿性能强、介电强度高。
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公开(公告)号：CN118879160A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410913380.1
申请日：2024-07-09
Applicant: 深圳市峰泳科技有限公司
IPC: C09D163/02 , C09D7/61 , C09D7/80 , H01G4/018 , H01G4/14
Abstract: 一种聚合物介电材料的制作方法，包括：提供无机填料、基体材料、第一助剂、第二助剂和溶剂；将无机填料、第一助剂溶解在溶剂中，混合均匀形成第一混合液；将基体材料、第二助剂溶解在溶剂中，混合均匀形成第二混合液；将第一混合液与第二混合液以1：1～60：1的重量比混合均匀，形成具有高介电常数、低介电损耗和储存时间长的聚合物介电材料。本申请还涉及一种使用上述聚合物介电材料的芯片电容材料及其制作方法。
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公开(公告)号：CN118213197A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410450054.1
申请日：2024-04-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供了一种提高储能密度的绝缘介质及其制备方法，将对苯二异氰酸酯溶解于极性溶剂中，然后加入有机二胺，在氮气环境、室温条件下反应，得到聚脲溶液；将聚脲溶液铺在清洗干净的基板上，采用梯度升温，得到聚脲薄膜，通过采用将聚脲薄膜在通风条件下烘干的方式，对聚脲薄膜进行热氧处理，得到提高储能密度的绝缘介质。本发明通过热氧处理的手段改变聚脲跳跃传导机制的跳跃间距，从而改变材料介电响应特性和陷阱参数来控制其介电常数和击穿场强，最终控制或者改善材料的储能密度，可以广泛应用于高压储能设备、脉冲功率源、航空航天、混合动力汽车等多个领域。
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