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公开(公告)号：CN104735907B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201410657833.5
申请日：2014-11-17
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H05K1/0227 , H05K1/0222 , H05K1/0251 , H05K1/115 , H05K1/116 , H05K3/4685 , H05K2201/09854 , Y10T29/49165
摘要： 本发明公开一种具有传输孔的电路板及其制造方法。该具有传输孔的电路板包括一基板、一接地导体、一浮动导体及一信号导体。基板包括依序迭置的一第二板层、一第二接地层、一芯层、一第一接地层、及一第一板层。接地导体贯穿芯层且与第一接地层及第二接地层电性连接。浮动导体贯穿芯层且与第一接地层、第二接地层及接地导体电性绝缘。信号导体贯穿基板，并位于接地导体及浮动导体之间，且与第一接地层、第二接地层、接地导体及浮动导体电性绝缘。
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公开(公告)号：CN103594440A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210367115.5
申请日：2012-09-28
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H01L23/48 , H01L21/02107 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/5223 , H01L23/5228 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/06181 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/81192 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开一种半导体基板，其包括有具有相对的一第一表面与一第二表面的一基板、形成于该基板的一第一表面的一预定位置的一第一导电接垫、以及对应第一导电接垫的位置而形成于该基板的一第二表面的一预定位置的一第二导电接垫以及形成于基板中而与第一导电接垫以及第二导电接垫其中之一接触的一导电柱。
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公开(公告)号：CN101295580B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200810003421.4
申请日：2008-01-11
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H01G4/06 , H01G4/12 , H01G4/1227 , H01G4/14 , H01G4/20 , H01G4/206 , H05K1/162 , H05K3/4611 , H05K2201/0187 , H05K2201/0195 , H05K2201/09672 , H05K2201/2036 , Y10T29/417
摘要： 本发明提供一种电容器元件及其制造方法。该电容器元件可包括至少一电容性器件。该至少一电容性器件可包含：一对彼此对置的第一导电层；至少一第一介电层，其可形成于该第一导电层中的至少一者的一表面上；以及一第二介电层，其可夹于该第一导电层之间。该第一介电层可具有一第一介电常数，且该第二介电层可具有一第二介电常数。该电容器元件的该电容可视该第一介电层以及该第二介电层的介电参数而定。该介电参数可包含该至少一第一介电层的该第一介电常数及厚度，以及该第二介电层的该第二介电常数及厚度。本发明有效规避了两金属间透过薄介电层而发生短路的危险，或在该介电层中形成可能影响电容效应及特性的细微气泡或其它结构上的缺陷的危险。
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公开(公告)号：CN106356349B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201510524918.0
申请日：2015-08-25
申请人： 财团法人工业技术研究院
发明人： 吴仕先
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 本发明公开一种电路结构，包括一环形导体、一导体柱及至少一导电延伸件。环形导体沿一方向延伸。导体柱沿此方向延伸且位于环形导体内。至少一导电延伸件连接于环形导体的至少一端缘且朝向导体柱延伸。
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公开(公告)号：CN102024565B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200910173551.7
申请日：2009-09-15
申请人： 财团法人工业技术研究院
摘要： 本发明提供一种电容结构，其包括：第一电极层；第一介电层，设于该第一电极层上；以及第二电极层，设于第一介电层上，其中第一电极层与第二电极层至少其一具有凹凸结构，使第一电极层与第二电极层之间具有至少两种不同距离，形成至少两组电容值的并联效果。
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公开(公告)号：CN100463584C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200410092229.9
申请日：2004-11-05
申请人： 财团法人工业技术研究院
发明人： 吴仕先
摘要： 本发明提供一种孔柱分割式连通孔结构与制造方法。此孔柱分割式连通孔结构是将电气连接至一承载体，主要包含至少二个分离式导体。该至少二个分离式导体组成一中空孔柱状结构或一实心孔柱状结构，并在纵切或斜切方向上形成至少一个间隙。本发明还包含一填充层，为一填充材料填充于各导体之间。依填充材料的不同，此孔柱分割式连通孔结构可作为电容组件或电阻组件，或是具有信号屏蔽效果。此外，由于本发明是在传统无屏蔽效果的连通孔完成之后，再进行后加工所形成，更具备了低成本与可调整电气特性的优点。
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公开(公告)号：CN101295585A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810090553.5
申请日：2008-03-28
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01G4/30 , H01G4/35 , H05K1/16 , H05K1/18 , H05K1/03 , H01L23/00 , H01L23/498 , H01L23/64 , H01L23/66
CPC分类号： H05K1/162 , H01L2224/16225 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H05K1/112 , H05K3/429 , H05K3/4688 , H05K2201/0792 , H05K2201/09309 , H05K2201/09536 , H05K2201/09636 , H05K2201/10734 , H01L2224/0401
摘要： 本发明公开了一种电容器、包含该电容器的电路板及集成电路承载基板，该电容器是为相关于降低电容器的等效串联电感(ESL)的线路结构。该电容器包括多个电极、一沿着该电容器的厚度方向从顶部电极延伸至底部电极的第一连通孔、及一沿着该电容器的厚度方向从顶部电极延伸至底部电极的第二连通孔。该电极包括一组第一电极及一组第二电极。该第一连通孔电性连接至该第一电极，且，该第二连通孔电性连接至该第二电极。该电容器尚包括一介于该第一连通孔及该第二连通孔之间的额外连通孔。该额外连通孔的长度短于第一连通孔及第二连通孔的长度。此外，该额外连通孔电性连接至第一电极及第二电极其中之一。
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公开(公告)号：CN101035406A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200610127270.4
申请日：2006-09-19
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H05K1/162 , H05K3/4611 , H05K2201/0209 , H05K2201/09309 , Y10T29/43 , Y10T29/49126
摘要： 本发明揭示一种埋入式电容核，其包括第一组电容、第二组电容、及该第一组电容与该第二组电容之间一层间介电膜。该第一组电容包括：第一导电图案，其包含至少两个导电电极；以及第二导电图案，其包含至少两个导电电极，其对应于该第一导电图案之两个导电电极；以及第一介电膜，其位于该第一导电图案及该第二导电图案之间的第一介电膜。该第二组电容包括：第三导电图案，其包含至少两个导电电极；第四导电图案，其包含对应于该第四导电图案之两个导电电极之至少两个导电电极；以及位于该第三导电图案及该第四导电图案之间的第二介电膜。
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公开(公告)号：CN1317923C
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN03134767.3
申请日：2003-09-29
申请人： 财团法人工业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种具内藏电容的基板结构，该基板结构是由单层或是数层内藏电容基板所组成，而每一层内藏电容基板包含有多个电容单元，可借助该基板结构上下方的线路连接层任意将连接至各个电容单元的导线进行并联或是串联，组合成各种具有不同电容值与不同频宽之电容，以适用于不同电路的需求；且每个电容单元亦可依不同的电路设计而具有用以进行该基板结构上方与下方之电子组件的电气讯号传递的信号传输线，因此，可利用简单的电路设置来实现电气讯号连接的目的。
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