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    光电探测器及光电探测器的制造方法、芯片
    11.
    发明公开
    光电探测器及光电探测器的制造方法、芯片 审中-实审

    公开(公告)号：CN118263354A

    公开(公告)日：2024-06-28

    申请号：CN202410509451.1

    申请日：2024-04-25

    申请人： 北京光智元科技有限公司

    发明人： 孟怀宇 ,  沈亦晨 ,  朱轩廷

    IPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明的实施例公开了一种光电探测器及光电探测器的制造方法、芯片，其中，上述光电探测器的制造方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一硅层，利用所述第一硅层形成第一导电类型区；在所述第一硅层上生长第一锗层，利用所述第一锗层形成本征区；在所述第一锗层和所述第一硅层上生长第二硅层，利用所述第二硅层形成第二导电类型区。优化了光电探测器的性能，此外，提出了垂直型的Si/Ge/Si结构光电探测器，优化了光电探测器的电接触，进而优化了光电探测器的性能。此外，通过设置锗层的合适厚度、宽度，优化了光电探测器的带宽及响应度。

    一种基于碳量子点和贵金属纳米颗粒的光电探测器
    13.
    发明授权
    一种基于碳量子点和贵金属纳米颗粒的光电探测器 有权

    公开(公告)号：CN114823950B

    公开(公告)日：2024-06-07

    申请号：CN202210505701.5

    申请日：2022-05-10

    申请人： 云南师范大学

    发明人： 杨雯 ,  杨培志 ,  葛文 ,  王琴 ,  邓书康 ,  季旭

    IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/028 ,  H01L31/09 ,  G01J1/42

    摘要： 本发明涉及光电探测领域，具体提供了一种基于碳量子点和贵金属纳米颗粒的光电探测器。该光电探测器包括包括基底、石墨烯层、贵金属纳米颗粒、碳量子点、电极，基底的一侧固定设置有石墨烯层，石墨烯层远离基底的一侧的两端分别固定设置有一个电极，石墨烯层远离基底的一侧的两个电极之间固定铺设有贵金属纳米颗粒，贵金属纳米颗粒远离石墨烯层的一侧固定铺设有碳量子点。探测过程中，碳量子点和贵金属纳米颗粒均既参与“吸收”过程还参与“分离”过程，使得“吸收”过程产生更多的载流子，提升探测的准确度，使得“分离”过程更快，提升探测器的响应速度，即灵敏度更高。

    一种可编程逻辑运算的人工视觉传感器、逻辑器件及传感器阵列
    14.
    发明公开
    一种可编程逻辑运算的人工视觉传感器、逻辑器件及传感器阵列 审中-实审

    公开(公告)号：CN118116995A

    公开(公告)日：2024-05-31

    申请号：CN202410229013.X

    申请日：2024-02-29

    申请人： 华南师范大学

    发明人： 陈心满 ,  岳志秀 ,  夏利平

    IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/028 ,  H01L31/032 ,  H01L27/144 ,  G06V10/12 ,  G06V10/82 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

    摘要： 本发明涉及一种可编程逻辑运算的人工视觉传感器、逻辑器件和传感器阵列，包括，衬底，位于衬底上的石墨烯层，位于石墨烯层两端的第一电极和第二电极，位于石墨烯层上、第一电极和第二电极之间的TiO2沟道层，第一电极为供能电极，第二电极为输出电极，第一电极和第二电极之间施加恒定的偏压；该人工视觉传感器在可见光波段照射下呈现正光电响应，在紫外光波段照射下呈现负光电响应；该视觉传感器实现了兴奋、抑制和恢复等突触功能，同时还能完成图像识别、图像记忆以及逻辑门等高级应用，为未来多功能传感器的设计与制备提供了坚实的理论和实验基础。

    雪崩光电二极管及其制备方法
    15.
    发明公开
    雪崩光电二极管及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117976739A

    公开(公告)日：2024-05-03

    申请号：CN202211306418.6

    申请日：2022-10-24

    申请人： 中国科学院半导体研究所

    发明人： 许敦洲 ,  金鹏 ,  王占国

    IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/032 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

    摘要： 本公开提供了一种雪崩光电二极管及其制备方法，雪崩光电二极管包括：衬底层，依次叠设于衬底层的雪崩倍增层、电荷控制层、吸收层和欧姆接触层；衬底层的材质采用高掺杂P型金刚石，雪崩倍增层的材质采用低掺杂P型金刚石，电荷控制层的材质采用高掺杂N型氧化镓，吸收层的材质采用低掺杂N型氧化镓，欧姆接触层的材质采用高掺杂N型氧化镓；其中，衬底层的底部和欧姆接触层的表面分别沉积有阴极接触金属和阳极接触金属；阳极接触金属表面被刻蚀形成阳极电极图形。该雪崩光电二极管可通过负载一定的电压实现高的雪崩增益，从而获得高的响应度，同时采用异质结结构，具有暗电流低、响应速度快的优点。

    一种以炭黑导电薄膜作为空穴传输层的晶硅太阳能电池
    16.
    发明授权
    一种以炭黑导电薄膜作为空穴传输层的晶硅太阳能电池 有权

    公开(公告)号：CN117038759B

    公开(公告)日：2024-04-19

    申请号：CN202311234040.8

    申请日：2023-09-23

    申请人： 河北大学

    发明人： 高青 ,  陈剑辉 ,  张璐 ,  杨学良 ,  张旭宁 ,  杨德华 ,  袁晓阳 ,  陈静伟 ,  陈兵兵

    IPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0256

    摘要： 本发明涉及晶硅太阳能电池技术领域，提出了一种以炭黑导电薄膜作为空穴传输层的晶硅太阳能电池。其中空穴传输层包括炭黑和磺酸基化合物；所述磺酸基化合物包括双三氟甲烷磺酰亚胺、全氟磺酸、PS‑b‑PERB中的一种或几种；所述的一种以炭黑导电薄膜作为空穴传输层的晶硅太阳能电池的制备方法，包括：A1、对制绒后的硅片进行磷扩散制结；A2、在所述制结后的硅片正面先沉积氧化硅和氮化硅叠层薄膜，再印刷银浆；A3、在所述制结后的硅片背面制备炭黑导电薄膜，在所述炭黑导电薄膜上印刷银浆，得到晶硅太阳能电池。通过上述技术方案，解决了相关技术中的空穴传输层传输空穴能力和阻挡电子能力差，且载流子复合严重的问题。

    光电探测器及其制作方法
    18.
    发明授权
    光电探测器及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN114005895B

    公开(公告)日：2024-04-09

    申请号：CN202111247579.8

    申请日：2021-10-26

    申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

    发明人： 金山 ,  陆书龙 ,  边历峰 ,  李雪飞 ,  杨文献 ,  邱海兵

    IPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

    摘要： 提供了一种光电探测器及其制作方法，所述光电探测器包括由MXene材料层和AlGaN材料层形成的MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结。与传统的异质结相比，MXene材料具有较高的透光率、金属导电性以及可调的功函数，所形成的范德瓦尔斯异质结不受晶格匹配的限制，缺陷极少，能够极大地提升界面质量，因此，基于所述MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结形成的光电探测器，不仅有利于提高光电探测器的光吸收效率和光生电流的传输效率，提高光响应度，还能有效地降低光电探测器的制造成本，为光电探测器的规模化应用提供新的契机。此外，所述光电探测器的制作方法缩减了工艺步骤，制作方法简单。

    晶硅膜层及其制备方法、太阳能电池及其制备方法
    19.
    发明公开
    晶硅膜层及其制备方法、太阳能电池及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117558783A

    公开(公告)日：2024-02-13

    申请号：CN202310872152.X

    申请日：2023-07-14

    申请人： 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司

    发明人： 陈石 ,  颜翼飞 ,  代囟 ,  徐新星 ,  童洪波 ,  李华

    IPC分类号： H01L31/0368 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

    摘要： 本发明提供了晶硅膜层及其制备方法、太阳能电池及其制备方法，涉及光伏技术领域。晶硅膜层包括：至少一个第一多晶硅部分；第一多晶硅部分的晶化率为50％至60％；第一多晶硅部分中氢含量为1％至20％；第一多晶硅部分的孔隙率为0.1％至10％。第一多晶硅部分的晶化率较为合适，氢含量也较为合适，且第一多晶硅部分的孔隙率较为合适，第一多晶硅部分的膜层质量较优，利于提升光伏器件的光电转换效率。且，在湿法刻蚀的过程中，上述质量较优的第一多晶硅部分在碱性湿法刻蚀剂、酸性湿法刻蚀试剂中，刻蚀速率均很慢，对其的刻蚀均基本可以忽略不计，不用在第一多晶硅部分设置掩膜层，减少了步骤，简化了湿法刻蚀工艺，提升了生产效率。