公开(公告)号：CN118782664A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410852795.2

申请日：2024-06-28

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 王勇 ,  吴丽婷 ,  张瑜 ,  许蔚 ,  吴亦章 ,  郝跃

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/20 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种二维非晶/结晶氮化碳Z型异质结及其制备方法，该该异质结包括质子化的非晶氮化碳纳米片和结晶氮化碳纳米片，将非晶氮化碳纳米片与结晶氮化碳纳米片按照质量比为1：(1‑5)混合，利用静电自组装法合成二维非晶/结晶氮化碳Z型异质结；保留了非晶氮化碳的高比表面积和丰富的活性位点，以及结晶氮化碳的高载流子迁移率和光吸收效率，改善了非晶氮化碳的缺陷态多和载流子迁移率低的问题，显著提升了光电性能，解决了现有技术中氮化碳Z型异质结的缺陷态和载流子复合、迁移率低以及复杂制备工艺的技术问题。

公开(公告)号：CN118763139A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411239244.5

申请日：2024-09-05

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 孙召清 ,  周生厚 ,  唐喜颜 ,  李君君 ,  何秉轩 ,  叶枫 ,  薛朝伟 ,  方亮

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/20

摘要： 本发明涉及一种太阳能电池、制造方法以及光伏组件，该太阳能电池中，硅基底具有第一表面及第二表面，第一表面与第二表面相对设置；在第一表面和第二表面中的至少一个表面设有第一传输层，第一传输层包括多晶硅层；第一传输层的多晶硅层具有第一传输层的非晶硅区域；第一传输层的非晶硅区域位于第一传输层的多晶硅层背离硅基底的至少部分表面；载流子收集层设置在第一传输层上，至少部分载流子收集层与第一传输层的非晶硅区域接触。由于非晶硅区域可以实现更合理的能带匹配，降低接触电阻，使得太阳能电池能够有效地将太阳光转换为电能，提高太阳能电池的光电转化效率。

公开(公告)号：CN118712286A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410948479.5

申请日：2024-07-16

申请人： 苏州迈为科技股份有限公司

发明人： 董刚强 ,  龚志清 ,  周剑 ,  李强 ,  孙松

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明提供了一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池，涉及太阳能电池制备技术领域。本发明的异质结太阳能电池的制备方法可以包括提供一基底，在基底两侧制备第一钝化层、第一掺杂层、第一透明导电层、第二钝化层、第二掺杂层、第二透明导电层，在第二透明导电层上进行刻蚀形成隔离区，并在第二掺杂层上与隔离区对应位置进行刻蚀，将第一透明导电层和第二透明导电层进行隔离避免电池短路。本发明的隔离区的宽度小于0.3mm，使得该制备方法制备得到的太阳能电池既做到了避免短路，又使得该电池尽可能的减小刻蚀的面积，充分利用基底面积，提高相同基底面积下电池效率。

公开(公告)号：CN118263338B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410667045.8

申请日：2024-05-28

申请人： 金阳(泉州)新能源科技有限公司

发明人： 林楷睿

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

摘要： 本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有钝化阻挡层的联合钝化背接触电池及其制作和应用，包括在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层的两端分别向外延伸至覆盖在相邻的第一半导体层的部分背面外，第一半导体层和第二半导体层在厚度方向上的叠加部分形成交叠区，还包括在交叠区内设置在第一半导体层和第二半导体层之间的钝化阻挡层，钝化阻挡层与第二半导体层之间不设置掩膜层，且钝化阻挡层为非晶硅，钝化阻挡层与第一掺杂多晶硅层、隧穿氧化层的厚度之比为2‑8：60‑100：1。本发明能够保护隧穿氧化层避免受到腐蚀，从而协同增强钝化效果，提高电池转换效率和生产良率。

公开(公告)号：CN118678713A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410748115.2

申请日：2024-06-11

申请人： 天合光能股份有限公司

发明人： 徐锐

IPC分类号： H10K39/15 ,  H10K30/87 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20 ,  H10K71/00

摘要： 本申请的实施例提供了一种光伏组件及其制备方法、光伏发电设备，涉及太阳能电池技术领域。光伏组件包括异质结电池、钙钛矿电池和增反射膜，其中，异质结电池和钙钛矿电池沿第一方向层叠设置，增反射膜设置于异质结电池的远离钙钛矿电池的一侧。沿第一方向，增反射膜包括层叠设置的第一反射层和第二反射层，第一反射层的折射率与第二反射层的折射率不同。光伏组件可以应用于光伏发电设备中，以将光能转换成电能。

公开(公告)号：CN116053348B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202211419460.9

申请日：2022-11-14

申请人： 天合光能股份有限公司

发明人： 孟子博 ,  李宏伟 ,  杨广涛 ,  张学玲 ,  陈达明

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20

摘要： 本申请提供一种异质结太阳能电池和制备方法。该异质结太阳能电池包括：n型或p型硅片，n型或p型硅片经n型或p型掺杂处理，且具有相对的正面和背面；第一钝化层和第二钝化层，依次设置于n型或p型硅片的正面；第三钝化层和第四钝化层，依次设置于n型或p型硅片的背面，微晶或纳米晶碳氧化硅层，设置于第四钝化层远离n型或p型硅片的一面，其中，微晶或纳米晶碳氧化硅层经n型或p型掺杂处理，以与n型或p型硅片组成PN结，碳氧化硅层中碳元素的原子百分比大于氧元素的原子百分比。本申请的异质结太阳能电池提高了太阳能电池的性能，碳元素和氧元素对碳氧化硅层中的氢元素具有固定作用，有利于减少氢元素的流失。

公开(公告)号：CN118658919A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410695075.X

申请日：2024-05-31

申请人： 华能(嘉峪关)新能源有限公司 ,  中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司

发明人： 罗丽珍 ,  赵东明 ,  田鸿翔 ,  周颖 ,  肖平 ,  郝志丹

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

摘要： 本申请提出一种背接触异质结电池及其制作方法，其中，背接触异质结电池包括：衬底，衬底具有相对的向光面和背光面；依次设置于向光面的隧穿氧化层和多晶硅层；依次设置于背光面的隧穿氧化层、多晶硅层和非晶硅发射极层，非晶硅发射极层中包括第一发射极，第一发射极为非晶硅发射极；其中，衬底和多晶硅层的导电类型为第一导电类型，第一发射极的导电类型为第二导电类型。通过在背光面侧的多晶硅层上沉积非晶硅发射极层，可以实现TOPCon技术和HJT技术的结合，提高电池效率。

公开(公告)号：CN118053919B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410445559.9

申请日：2024-04-15

申请人： 福建金石能源有限公司

发明人： 林楷睿 ,  黄晓狄 ,  张超华 ,  林锦山 ,  廖培灿 ,  杨清霖

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

摘要： 本发明属于背接触太阳电池技术领域，具体涉及一种正面特定钝化的背接触太阳电池及其制造方法和光伏组件，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，在硅片正面依次设置的二氧化硅、三氧化二铝、掺磷氮化硅，二氧化硅的厚度为2‑4nm，二氧化硅、三氧化二铝、掺磷氮化硅的厚度之比在1：1‑2.5：20‑55，掺磷氮化硅的有效掺磷浓度在1e18cm‑3‑5e19cm‑3。本发明具有优异的钝化作用，可以在不牺牲电压的情况下，显著降低寄生吸收损耗，提高短路电流，提升电池转换效率；且降低设备成本。

公开(公告)号：CN118591894A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202280074203.8

申请日：2022-09-12

申请人： 飞跃光伏公司

发明人： D·B·尼德莱曼 ,  M·罗宾逊 ,  N·费亨巴赫 ,  J·梅 ,  A·勒佩特

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

摘要： 本公开提供了光伏器件和用于制造光伏器件的方法。所述方法包括施加包围多个硅颗粒中的每一个的涂层。所述方法还包括将所述多个硅颗粒植入到基板层中，使得所述多个硅颗粒中的每一个的暴露部分远离所述基板层的表面延伸。所述方法进一步包括去除所述涂层的位于所述多个硅颗粒中的每一个的所述暴露部分周围的一部分。所述方法还包括在所述基板层的所述表面上放置绝缘体层。所述方法进一步包括在所述多个硅颗粒中的每一个的所述暴露部分上放置选择性载流子传输层。

公开(公告)号：CN118588782A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410696356.7

申请日：2024-05-31

申请人： 广东先导稀材股份有限公司

发明人： 周子超

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20 ,  H01L31/18 ,  H01L31/054 ,  H01L31/072

摘要： 提供一种HJT光伏电池及其制备方法。HJT光伏电池包括N型单晶硅片，N型单晶硅片具有作为迎光面的正面和与正面相反的背面；HJT光伏电池还包括从N型单晶硅片的正面起依次的n+扩散层、本征氢化非晶硅氧/非晶硅薄膜、透明导电层、包括主栅线和副栅线的栅线、以及高透过低折射率光学薄膜，其中，透明导电层和副栅线被高透过低折射率光学薄膜覆盖，主栅线未被高透过低折射率光学薄膜且露出于高透过低折射率光学薄膜；HJT光伏电池还包括从N型单晶硅片的背面起依次的本征氢化非晶硅氧/非晶硅薄膜、p掺杂层、透明导电层以及包括主栅线和副栅线的栅线。HJT光伏电池的制备方法用于制备前述的HJT光伏电池。