公开(公告)号：CN117660968A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211142068.4

申请日：2022-09-20

申请人： 优胜奈米科技股份有限公司

发明人： 许景翔 ,  胡家豪

IPC分类号： C23F1/28 ,  C22B7/00 ,  C22B23/00

摘要： 本发明提供一种剥镍组合物，其包含10至40重量百分比的亚硫酸钠、10至40重量百分比的硫酸氢钠、10至40重量百分比的硫代硫酸钠，以及10至40重量百分比的柠檬酸三钠。上述重量百分比是以剥镍组合物的总重量为基础。本发明还提供含上述剥镍组合物的镍金属剥除液，以及使用此镍金属剥除液回收镍金属的方法。本发明的剥镍组合物、镍金属剥除液能有效回收镍金属，并针对镍金属具有高度选择性。

公开(公告)号：CN117646219A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311586502.2

申请日：2023-11-24

申请人： 杨凌美畅新材料股份有限公司 ,  杨凌美畅科技有限公司

发明人： 贾海波 ,  程军 ,  闫泽鹏 ,  程伟 ,  刘海涛 ,  张晋博 ,  侯耀炳

IPC分类号： C23G1/08 ,  C23F1/28 ,  C25D7/06 ,  C25D5/36

摘要： 本发明公开了一种非碳钢金刚线二次利用的方法，包括：回收非碳钢金刚旧线并对其复绕，排除非碳钢金刚旧线的母线损伤；对复绕完成的非碳钢金刚旧线退镀处理，得到丝材母线；检测丝材母线表面，让丝材母线表面的自身材料含量99％以上；对丝材母线二次电镀处理，得到金刚新线。本发明通过采用复绕工序排除母线损伤，采用化学退镀方法对非碳钢金刚旧线退镀处理得到丝材母线，将丝材母线二次电镀得到金刚新线，有效解决了非碳钢金刚线成本居高不下的问题，进而通过丝材母线的二次回收利用实现了非碳钢金刚线成本降低。

公开(公告)号：CN116213222B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310056671.9

申请日：2023-01-16

申请人： 安阳工学院

发明人： 孔令豪 ,  李娜 ,  高飞鹏

IPC分类号： B05D5/00 ,  C23F1/18 ,  C23F1/20 ,  C23F1/22 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28 ,  C23F1/30 ,  B05D7/14 ,  B05D7/24 ,  B05D3/10

摘要： 本发明公开了一种在金属表面构建耐久性超疏水膜的方法，涉及疏水膜加工技术领域。本发明是将金属材料浸入到稀酸溶液中进行超声辅助刻蚀，在将刻蚀好的金属材料浸入到脂肪酸盐溶液中，以在金属材料表面形成疏水性膜。本发明具有成本低、工艺操作难度低的特点，同时形成的超疏水膜稳定性高，与金属基材结合力强。

公开(公告)号：CN117448869A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311404138.3

申请日：2023-10-27

申请人： 重庆师范大学

发明人： 余鹏 ,  吴用 ,  郭小龙 ,  夏雷 ,  丁鼎 ,  王强 ,  江俊颖 ,  陈红果 ,  辛雨慈 ,  牟俊峰

IPC分类号： C25B11/089 ,  C25B1/04 ,  C22C30/00 ,  B22D11/06 ,  C23F1/28 ,  C23F1/44 ,  C22C1/10 ,  C22C1/03 ,  C22C3/00 ,  H01M4/90 ,  H01M4/88

摘要： 本发明公开了一种一体化电极催化剂为Ni40Fe40B20‑xSix或Ni40Fe40B20‑xSix‑xD，按照如下步骤进行制备：a.按照一体化电极催化剂的化学通式Ni40Fe40B20‑xSix配制原料；b.将步骤a配制的原料在高纯惰性气体保护下进行熔炼，快速冷却后制备得到母合金锭；c.将步骤b制备的母合金锭在感应炉中通过单辊甩带法，获得Ni40Fe40B20‑xSix合金条带。d.将步骤c制备的合金条带进行脱合金处理，得到Ni40Fe40B20‑xSix‑xD合金条带；本发明的电极催化剂具有自支撑结构和催化剂的性质，制备过程简单容易操作，在催化过程中反应物的扩散影响可以忽略。

公开(公告)号：CN117448824A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311566341.0

申请日：2019-09-18

申请人： 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

发明人： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC分类号： C23F1/26 ,  H01L21/306 ,  C23F1/02 ,  C23F1/20 ,  C23F1/18 ,  C23F1/28 ,  C09K13/06

摘要： 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN117230450A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311192096.1

申请日：2023-09-15

申请人： 广东省广新离子束科技有限公司 ,  顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)

发明人： 李志云 ,  罗军 ,  权亚彤 ,  王国梁

IPC分类号： C23F1/28 ,  H05K3/06

摘要： 本发明属于线路板蚀刻领域，具体公开一种镍铬合金蚀刻液及其在预制线路板中的应用，包含镍铬合金活化剂和镍铬合金蚀刻剂，所述镍铬合金活化剂，以镍铬合金活化剂总重量计，包括以下重量百分数组分：浓盐酸2％‑15％、阴离子表面活性剂0.1％‑1％、去离子水补齐余量；所述镍铬合金蚀刻剂，以镍铬合金蚀刻剂的总重量计，包括以下重量百分数组分：浓硝酸1％‑10％、浓硫酸1％‑5％、硝酸铈铵1％‑3％、铜缓蚀剂0.1％‑5％、非离子表面活性剂0.1％‑0.5％、离子水补齐余量。本发明提供的镍铬合金蚀刻液可以快速润湿精细线路，与镍铬合金层发生反应，蚀刻镍铬合金层速度快，抑制铜线蚀刻，而不产生侧蚀或微小侧蚀，对于含有镍铬合金层的精细线路线路板特别适用，且可适配连续蚀刻生产线使用。

公开(公告)号：CN115044907B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202210382394.6

申请日：2022-04-13

申请人： 东南大学

发明人： 陈锋 ,  许朝阳

IPC分类号： C23F1/28 ,  C23F1/44 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/58 ,  C22C38/44 ,  G01N1/32 ,  G01N1/34 ,  G01N21/84

摘要： 本发明公开了一种低碳压力容器用钢的原奥氏体晶界显示的腐蚀剂，包括腐蚀溶液Ⅰ和腐蚀溶液Ⅱ，所述腐蚀溶液Ⅰ包括冰醋酸、草酸、氯化铁、十二烷基苯磺酸钠和水；所述腐蚀液Ⅱ为含硝酸的乙醇溶液；所述腐蚀剂的使用方法包括以下步骤：(1)将金相试样先奥氏体化，再水淬，最后磨抛；(2)将金相试样抛光面朝上浸入50～70℃的腐蚀液Ⅰ中，热腐蚀30～50秒，然后冲洗、干燥；(3)用腐蚀溶液Ⅱ轻轻擦拭金相试样的抛光面，直至表面呈银灰色，然后冲洗、干燥；(4)通过金相显微镜观察待检测样品的原奥氏体晶界的显示情况；该腐蚀剂不含有苦味酸，能清晰显示低碳压力容器用钢的原奥氏体晶界，操作简单、高效且具有较好的重现性。

公开(公告)号：CN117198858A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311201088.9

申请日：2019-01-18

申请人： 富士胶片株式会社

发明人： 杉村宣明 ,  高桥智威 ,  关裕之 ,  水谷笃史

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  B01D35/02 ,  B01J43/00 ,  B01J47/12 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28 ,  C23F1/30 ,  C23F1/38 ,  C23F1/40

摘要： 本发明提供一种对过渡金属含有物具有优异的蚀刻性能，且具有优异的缺陷抑制性能的药液、上述药液的制造方法及基板的处理方法。本发明的药液为包含选自由高碘酸及其盐组成的组中的一种以上的高碘酸类、选自由Ti及Zr组成的组中的一种以上的第1金属成分及水的药液，药液包含一种第1金属成分时，一种第1金属成分的含量相对于高碘酸类总质量为1质量ppt～100质量ppm，药液包含两种第1金属成分时，两种第1金属成分的含量分别相对于高碘酸类总质量为100质量ppm以下，两种第1金属成分中的至少一种成分的含量相对于上述高碘酸类总质量为1质量ppt以上。

公开(公告)号：CN117080066A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311323947.1

申请日：2023-10-13

申请人： 深圳基本半导体有限公司

发明人： 喻双柏 ,  陈新 ,  张婷

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/66 ,  C09K13/04 ,  C23F1/18 ,  C23F1/30 ,  C23F1/28

摘要： 本申请提供了一种碳化硅芯片表层的去层的方法，包括步骤：通过乙醇胺溶液去除碳化硅芯片的钝化层；通过硝酸去除所述碳化硅芯片的铜箔层、银烧结层和镍钯金层；对所述碳化硅芯片进行电性测试；通过王水对所述碳化硅芯片的铝铜层进行去除，得到表层去层后的碳化硅芯片。通过分步去除碳化硅芯片的不同金属层，解决了一次去除所有层而导致存在大量脏污影响去除效率，在去除过程中不损伤碳化硅芯片本体；同时，在去除中间进行电性测试，可明确哪一金属层对芯片电性参数造成影响，不同的芯片去层程度可满足特定失效分析需求，如电性能测试或热点定位分析。

公开(公告)号：CN113832465B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202111018144.6

申请日：2021-09-01

申请人： 安徽亚泰包装科技股份有限公司

发明人： 柳高 ,  尹井飞 ,  宋滨 ,  文振帅

IPC分类号： C23F1/02 ,  C23F1/28 ,  B44C1/24

摘要： 本发明公开了一种提升二次腐蚀压纹版压纹效果的腐蚀处理工艺，涉及印刷工艺技术领域，包括对金属材料版的腐蚀处理和后道加工处理，所述金属材料版的腐蚀处理包括：a）金属材料版进行浅腐蚀处理；b）涂上防腐蚀胶；c)进行深腐蚀处理；所述后道加工处理包括：d）配制处理液并涂刷在半成品压纹版表面；e）采用KH550对纳米三氧化二铝进行修饰；f）配制树脂混合物并涂刷在预处理压纹版表面。本发明中，通过在压纹版的表面形成复合膜层以及树脂层，利用复合膜层致密均一的结构，提高压纹版的棱角圆滑，减少对纸张结构的破坏，而树脂层优异的耐冲击性能使其可以对复合膜层起到保护作用，使得压纹版可以满足长期正常使用的效果。