公开(公告)号：CN102945889A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210522248.5

申请日：2012-12-07

申请人： 东莞市五峰科技有限公司

发明人： 杨汇鑫

IPC分类号： H01L31/16

摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种激光器与光导半导体开关结构，包括基片，所述基片顶端面的两侧分别设置有电极，所述基片的底端面均匀设置有若干个垂直腔面发射半导体激光器，所述垂直腔面发射半导体激光器、基片及电极一体化封装。本发明在工作过程中电流根据激光照射的点形成更多的电流丝，相当于把导通电流分散，从而能够承受更大的导通电流，使得垂直腔面发射半导体激光器与光导半导体开关的使用寿命得以延长。另外，激光器与光导半导体开关的一体化封装使得生产过程中省去组装环节，便于使用，且能适应强烈的振动、冲击和高温的使用环境。

公开(公告)号：CN101473451B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200780022905.7

申请日：2007-06-19

申请人： 半南实验室公司

发明人： 迈克尔·S·马佐拉

IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L31/16 ,  H02M7/00

摘要： 一种用于制造功率器件和电路的光活性材料，其与影响功率电子器件和电路的光学控制的传统方法相比具有显著的性能优势。碳化硅光活性材料通过与硼相关的D中心补偿浅施主而形成。由此产生的材料可为n型或p型，但其与其他材料的区别在于，当其被光子能量超过从D中心激发光电子至接近于导带边缘所允许的状态所需的阈值能量的电磁辐射照射时，可在其中导致持续的光电导性，其由多型变化为多型。

公开(公告)号：CN100356588C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN99808149.3

申请日：1999-06-28

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 竹下辰夫 ,  榊原正之 ,  野田浩二

IPC分类号： H01L31/16 ,  G01C3/06

CPC分类号： H01L31/02024

摘要： 一种半导体位置探测器，采用对其栅极电极(11)的电位进行控制的办法，通过进行基干导电层(2-1、2-2)的断开/连接控制，就可以使半导体位置探测器起着PSD的作用或2分割PD的作用。倘采用该半导体位置探测器，由于不需要PSD之外的另外的PD，故可以使装置本身小型化，此外，由于可以向受光面照射全信号光，故可以提高探测灵敏度。

公开(公告)号：CN1383581A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN01801906.4

申请日：2001-07-10

申请人： 日本板硝子株式会社

发明人： 田上高志 ,  仲间健一

IPC分类号： H01L31/16 ,  G01B11/00 ,  G01J3/28

CPC分类号： G01J9/00 ,  G01J1/42 ,  G01J3/2803 ,  G01J3/36 ,  H01L31/02024 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/544

摘要： 提供一种能够容易地检测光通信用的长波段的光强度的重心位置的受光元件。在n型InP基板上形成InGaAs层(i层),p型InP层,在n型基板的背面上形成电极,在p型层的表面的两端形成电极。入射到表面的点光被光电变换,作为光电流在p型层的表面上左右流动,所以从两端的电极输出与其距离相对应的电流。根据从两端的电极所输出的电流的值可以求出光强度的重心位置,根据从两端的电极所输出的电流之和可以求出光强度。

公开(公告)号：CN113644140B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202110432686.1

申请日：2021-04-21

申请人： 日本剑桥光电有限公司

发明人： 野口大辅 ,  山本宽

IPC分类号： H01L31/0203 ,  H01L31/12 ,  H01L31/16

摘要： 本发明提供一种光模块，其目的在于避免大型化、阻抗增加。光模块(100)具有：光源(24)；光调制器(26)，其能够对来自光源(24)的光进行调制；电容器(52)，其具有上电极(54)和下电极(56)；以及电阻器(42)，其与电容器(52)的上电极(54)以面接合的方式串联连接。电阻器(42)及电容器(52)与光调制器(26)并联连接。

公开(公告)号：CN118299456A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410401977.8

申请日：2024-04-03

申请人： 深圳市云尚泰阳科技有限公司

发明人： 侯强 ,  刘转转 ,  侯凯

IPC分类号： H01L31/16 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种基于可见光的一体式光电开关，包括绝缘壳体、金属支架、光敏电阻晶圆以及可见光LED晶圆，金属支架包括第一金属导电PIN脚、第二金属导电PIN脚、第三金属导电PIN脚以及第四金属导电PIN脚，光敏电阻晶圆设置于第一容置槽内，光敏电阻晶圆分别与第一金属导电PIN脚和第二金属导电PIN脚电连接，可见光LED晶圆设置于第二容置槽内，可见光LED晶圆分别与第二金属导电PIN脚和第四金属导电PIN脚电连接，第一容置槽和第二容置槽内分别填充有透明树脂，本发明还提出一种基于可见光的一体式光电开关的制作方法。本发明的技术方案能够有效降低成本和空间，能够通过肉眼观察光电开关的工作状态，使得光电开关的维护更方便，且不容易受到外界光线干扰。

公开(公告)号：CN112993058B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202110150648.7

申请日：2021-02-03

申请人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所

发明人： 刘杰 ,  汪冰 ,  庄永河 ,  乔鹏飞 ,  杨鹏毅 ,  李奇

IPC分类号： H01L31/0203 ,  H01L31/16 ,  H01L25/16 ,  H01L23/64 ,  H01L23/66

摘要： 本发明公开了封装领域的一种基于混合集成工艺的光电微系统封装结构，包括由金属管壳与金属盖板连接构成的封闭腔体；金属管壳的内底面上固定有薄膜基板，薄膜基板与金属管壳接地互连，薄膜基板上固定有功能芯片，功能芯片与薄膜基板信号互连，还与光纤耦合固定；薄膜基板上表面依次镀有薄膜陶瓷电阻层与第一薄膜金属层；金属管壳的侧面固定有同轴连接器，同轴连接器与第一薄膜金属层连接固定；第一薄膜金属层表面采用图形化设计构成共面波导；共面波导的地线与信号线之间的区域投影在薄膜陶瓷电阻层上形成有效的电阻匹配区域。本发明可有效减小高速信号在薄膜基板表面共面波导

公开(公告)号：CN116825879A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310309038.6

申请日：2023-03-28

申请人： 旭化成微电子株式会社

发明人： 安田大贵 ,  藤田浩己

IPC分类号： H01L31/16 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0224

摘要： 提供制造容易、并且在中红外长波长区域抑制了吸收损耗的高性能的红外线光设备。红外线光设备具备在中心波长λ具有峰的光接收和发射特性，所述红外线光设备具备半导体基板和薄膜层叠部，所述薄膜层叠部依次具有：形成在半导体基板上的第1反射层、活性层、p型半导体层、以及第1电极层，第1反射层和p型半导体层与活性层直接连接，第1反射层通过低折射率层与折射率高于低折射率层的高折射率层的层叠而构成，所述低折射率层为n型半导体层，所述低折射率层配置在第1反射层中最靠近活性层侧，活性层及p型半导体层的折射率高于低折射率层，中心波长λ在室温下为7μm以上。

公开(公告)号：CN116722048A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310679595.7

申请日：2023-06-07

申请人： 华天科技(南京)有限公司

发明人： 蒋敏 ,  刘海涛 ,  胡锐刚 ,  陈兴隆

IPC分类号： H01L31/0203 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/16 ,  H01L31/18 ,  G01S7/481

摘要： 本发明公开了一种激光雷达传感器的封装结构及其制备方法，属于半导体制造技术领域。本发明公开的结构包括收光芯片和发光芯片，发光芯片的表面设置玻璃，并在发光芯片的感光区域溅镀滤光镀层，本发明可以避免带玻璃封装结构的带来的封装缺陷溢料等问题，同时可以根据实际市场需求，在无需调整芯片设计的基础上，随时通过封装工艺镀上不同滤光膜来实现调整发射指定光信号和接收指定光信号的功能。公开的制备方法工艺简单、易实现产业化生产，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN109952657B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN201780068616.4

申请日：2017-12-29

申请人： 德州仪器公司(US)

发明人： B·J·马莱 ,  B·库克 ,  R·A·内伊多尔夫 ,  S·库默尔

IPC分类号： H01L31/16

摘要： 所公开的实例包含一种集成电路(100)，所述集成电路具有：引线框结构(104a、104b)；第一电路结构(106a)，其包含经配置以产生沿光学路径(114)的光信号的光源(108a)；第二电路结构(106b)，其包含面向所述光学路径(114)以接收所述光信号的光传感器(108b)；以及经模制封装结构(102)，其封闭所述引线框结构(104a、104b)的部分，所述经模制封装结构(102)具有由所述经模制封装结构(102)的内表面限定的空腔(110)，所述光学路径(114)所述空腔(110)中在所述第一电路结构与所述第二电路结构(106a、106b)之间延伸。