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公开(公告)号：CN115881533A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110925686.5
申请日：2021-08-12
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/67
摘要： 本申请实施例公开了一种刻蚀方法，该方法包括：提供一晶圆，晶圆第一侧表面具有光刻胶层；将晶圆置于刻蚀腔体内，刻蚀腔体具有偏压电源，用于输出偏压信号；在刻蚀腔体中形成等离子体；调节偏压电源的功率，通过偏压电源输出的偏压信号带动等离子体运动，对光刻胶层进行刻蚀。由于利用等离子体进行刻蚀时，偏压电源功率不同时，偏压信号带动等离子体沿平行于晶圆第一侧表面的刻蚀速率与垂直于晶圆第一侧表面的刻蚀速率之间的比值不同，从而可以通过调节偏压电源的功率，控制等离子体对光刻胶层的刻蚀，能够有助于将光刻胶层刻蚀为特定形貌，进而使得所述刻蚀方法有助于将光刻胶层刻蚀为特定形貌。
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公开(公告)号：CN115706011A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110919419.7
申请日：2021-08-11
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3213
摘要： 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种IC生产中AlSiCu连接层的干法刻蚀方法。该方法包括以下步骤：对半导体器件上AlSiCu连接层的待刻蚀区域进行干法刻蚀；所述干法刻蚀的过程中，所采用工艺气体为氯气、氯化硼和氩气的混合气，氯气、氯化硼和氩气的体积比为(10～14)：(6～10)：(3～8)；所述干法刻蚀的过程中，下射频功率为100～260W，上射频功率为800～1200W。本发明提供的方法通过在工艺气体中增加一定比例的氩气以及搭配合适的刻蚀射频功率，能够在保证形貌要求的前提下减少刻蚀残留，从而提高产品的性能和良率。该方法可以运用到大规模量产干法刻蚀AlSiCu产品上，具有良好的市场前景。
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公开(公告)号：CN115704475A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110939002.7
申请日：2021-08-16
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本发明公开一种磁流体密封轴，包括轴套和轴体，所述轴体安装于所述轴套，且所述轴体能够相对所述轴套进行转动，所述轴体与所述轴套之间设置有磁流体进行密封；还包括伸缩部件，所述伸缩部件包括伸缩轴，所述伸缩轴内置于所述轴体，并能够相对所述轴体进行伸出或者缩回。伸缩轴和轴体相互独立，轴体用于和轴套相配合以实现旋转密封，而伸缩轴则用于输出直线位移，使得轴体可以不参与直线位移的输出，这样，轴体与轴套之间的旋转密封不至于受到影响，而伸缩轴的引入则可以补充完善常规磁流体密封轴无法输出直线位移的缺陷；同时，伸缩轴采用内置于轴体的设计，可以避免对磁流体密封轴外部空间的占用，能够缩减设备的体积，并可提高设备的集成度。
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公开(公告)号：CN113701616B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202111004423.7
申请日：2021-08-30
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于静电吸盘上晶圆位置偏移的检测装置和检测方法，检测装置包括射频信号生成模块、电感(L)、电容(C1)、电容(C2)、电容(C3)、射频检测器、电阻(R1)、第一高压电源、射频匹配器、电极偏压电源、电阻(R2)和第二高压电源；射频检测器用于检测电容(C2)与电容(C3)连接点处的射频信号电压；如果射频检测器检测到的射频信号电压与基准电压之间的差值绝对值大于预设差值阈值，则判断晶圆位置已偏移，并且根据差值绝对值进一步判断偏移量。本发明能够在刻蚀作业过程中精确检测晶圆的位置是否偏移，并对偏移量进行估算，提高刻蚀精度和作业成功率。
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公开(公告)号：CN118800720A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310380302.5
申请日：2023-04-11
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , C23C14/46 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/06 , H01L21/02 , H01L21/3205
摘要： 本申请提供一种半导体结构及制备方法，该方法包括：提供带沟槽的衬底；离子束沉积设备的溅射离子源产生的中性离子束，轰击第一靶材，以产生第一溅射粒子；离子束沉积设备的辅助离子源产生的中性离子束，改变第一溅射粒子的入射方向，以在沟槽的内壁形成黏附阻挡层；溅射离子源产生的中性离子束，轰击第二靶材，以产生第二溅射粒子；辅助离子源产生的中性离子束，改变第二溅射粒子的入射方向，以在沟槽的内壁形成种子层；辅助离子源与衬底表面法向夹角为锐角。通过离子束沉积可引导溅射粒子沿着一定角度入射，以使溅射粒子更好的进入沟槽底部，实现较好的台阶覆盖率和保形性。
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公开(公告)号：CN118685741A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310294720.2
申请日：2023-03-23
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种薄膜沉积装置及其薄膜沉积方法，所述薄膜沉积装置包括：支撑组件，用于将靶材、待镀膜基板以及参考基板分别固定在镀膜腔室的对应工位；离子束溅射组件，用于基于通入的气体以及所述靶材，在所述待镀膜基板以及所述参考基板表面进行镀膜；监控设备，用于监测所述参考基板表面上的镀膜参数，基于所述镀膜参数，调整通入所述离子束溅射组件中气体的工艺参数。使用所述离子束溅射组件制备薄膜的密度高于使用化学气相沉积法制备薄膜的密度。由于所述监控设备的存在，能实时监测所述参考基板表面沉积的薄膜参数，并能根据获取的薄膜参数进行调节，使得在所述待镀膜基板上形成薄膜的参数一致性更高，形成的薄膜性能更好。
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公开(公告)号：CN113764247B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202010489533.6
申请日：2020-06-02
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/687
摘要： 本发明公开了一种用于真空腔室的顶针升降装置及等离子刻蚀系统，包括多个顶针和一个顶针安装座；顶针安装座包括底板和多个限位块；底板上开设有多个与顶针通过孔一一对应的盲孔；每个盲孔内嵌入安装有若干叠加放置的弹性圈；弹性圈的内径小于顶针的直径，且若干弹性圈的下端面与盲孔底部相接，若干弹性圈叠加后的高度不低于盲孔高度；多个限位块可拆卸固定在底板上，且每个限位块的下表面一一对应压接一个盲孔内的若干弹性圈的上端面；每个限位块上设置有一个导向通孔；每个顶针穿过一个盲孔内的弹性圈及对应限位块的导向通孔。本发明将顶针固定并精确导向对中，降低了顶针与顶针通过孔摩擦断裂的可能性，防止压差引起的飞针。
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公开(公告)号：CN118276211A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211740877.5
申请日：2022-12-30
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种多步刻蚀制备倾斜光栅的方法及倾斜光栅，该制备方法包括：对刻蚀基板首先进行第一步刻蚀，之后再进行第二步刻蚀，并且第二步刻蚀中的直流偏压小于第一步刻蚀中的直流偏压，即所述制备方法首先进行高能量刻蚀，之后进行低能量刻蚀，以在制备倾斜光栅的过程中，对刻蚀基板进行精细化刻蚀，有助于使得利用所述制备方法制得的倾斜光栅高度较高且平行度较好。
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公开(公告)号：CN118263122A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211685330.X
申请日：2022-12-27
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L21/324 , B81C1/00
摘要： 本发明公开了一种晶圆在高温热台中应力释放的方法，包括：步骤S1、晶圆传至高温热台之前，升起腔室中加热载台支撑晶圆的顶针，利用机械手将晶圆传送至顶针之上，并保持顶针为升起状态，对晶圆进行热辐射加热一定时间t1；步骤S2、将顶针落下，晶圆与热台接触，并保持一定时间t2；步骤S3、往腔室中通入气体，以保持一定腔压P1，并保持一定时间t3；步骤S4、逐步升高腔室腔压；同时每次升高腔压后，均保持一定时间t4，直至达到晶圆在高温环境中应力释放。由此可见，本发明通过采用高温热台非接触间接逐渐对晶圆进行加热，从而解决释放高温带来的应力问题，有效地降低高温环境中晶圆破片率。
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