公开(公告)号：CN114914305A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210555540.0

申请日：2017-09-05

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 朴晙皙 ,  林志勋 ,  金宰范 ,  林俊亨 ,  孙暻锡

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L21/34 ,  H01L29/423

摘要： 提供了一种薄膜晶体管阵列面板和相关制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括晶体管，所述晶体管可以包括半导体、源电极、漏电极和栅电极。半导体可以包括第一掺杂区、第二掺杂区、源区、漏区和沟道区。沟道区设置在源区与漏区之间。第一掺杂区设置在沟道区与源区之间。第二掺杂区设置在沟道区与漏区之间。第一掺杂区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度低于漏区的掺杂浓度。源电极电连接到源区。漏电极电连接到漏区。栅电极与沟道区叠置。

公开(公告)号：CN109148514A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810619392.8

申请日：2018-06-15

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 孙暻锡 ,  金亿洙 ,  金宰范 ,  林俊亨 ,  林志勋

IPC分类号： H01L27/32

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3272 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0097 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5338

摘要： 提供了一种显示设备和一种制造该显示设备的方法。所述显示设备包括：基底，其上限定有第一区域、与第一区域间隔开的第二区域和在第一区域和第二区域之间并且沿弯曲轴弯曲的弯曲区域；第一薄膜晶体管(“TFT”)和第二TFT；以及第一导电层和第二导电层。第一TFT包括：第一有源层，包括多晶硅；第一栅电极；以及第一电极，设置在与第一导电层的水平相同的水平处，第二TFT包括：第二有源层，包括氧化物半导体；第二栅电极；以及第二电极，设置在与第二导电层的水平相同的水平处。

公开(公告)号：CN107845641A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710839142.0

申请日：2017-09-18

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金宰范 ,  孙暻锡 ,  林志勋 ,  金亿洙 ,  林俊亨

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L27/3262 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3266 ,  G09G3/3275 ,  G09G2300/0413 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2330/02 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/7869 ,  H01L2227/323 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3244

摘要： 公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基体基底；第一晶体管，包括均设置在基体基底上的第一半导体图案、第一控制电极、第一输入电极和第一输出电极；第二晶体管，包括第二半导体图案、第二控制电极、第二输入电极和第二输出电极；以及多个绝缘层。单个第一贯穿部分暴露第一控制电极和设置在第一控制电极的两侧处的第一半导体图案。

公开(公告)号：CN107799535A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710778238.0

申请日：2017-09-01

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金宰范 ,  金亿洙 ,  孙暻锡 ,  林俊亨 ,  林志勋

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G09G3/3208

CPC分类号： H01L51/5203 ,  G09G3/32 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0814 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2300/0866 ,  G09G2310/0245 ,  G09G2310/0262 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/5296 ,  H01L2227/323 ,  H01L27/1222 ,  G09G3/3208 ,  H01L27/3244

摘要： 提供一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括基体基底、第一晶体管、第二晶体管、有机发光二极管和电连接到第一晶体管的电容器。第一晶体管包括位于第一层间绝缘层下方的第一半导体图案和位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第一控制电极。第二晶体管包括位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第二控制电极。第二半导体图案位于第二层间绝缘层上方。

公开(公告)号：CN103094351B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210247010.6

申请日：2012-07-17

申请人： 三星显示有限公司 ,  株式会社神户制钢所

发明人： 朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  朴世容 ,  朴埈贤 ,  金建熙 ,  林志勋 ,  李京垣 ,  钉宫敏洋 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  岸智也 ,  田尾博昭 ,  后藤裕史

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/26

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，其中，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。

公开(公告)号：CN109427823B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201810994061.2

申请日：2018-08-29

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 朴晙晳 ,  林志勋 ,  金明花 ,  金兑相 ,  文然建

IPC分类号： H01L27/12 ,  H10K59/121 ,  H10K59/123

摘要： 本发明公开了一种显示装置，包括基板、在基板上的薄膜晶体管和在基板上且与薄膜晶体管电连接的显示元件。薄膜晶体管包括在基板上方的有源层、在有源层上方的栅极、与栅极连接的栅极线以及在有源层和栅极之间的栅极绝缘膜。有源层包括与栅极交叠的沟道区以及在沟道区的各侧上的漏极区和源极区。将漏极区和源极区以最短距离连接的直线的长度可以大于平行于该直线的栅极线的宽度。

公开(公告)号：CN107799603B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201710790406.8

申请日：2017-09-05

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 朴晙皙 ,  林志勋 ,  金宰范 ,  林俊亨 ,  孙暻锡

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L21/34

摘要： 提供了一种薄膜晶体管阵列面板和相关制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括晶体管，所述晶体管可以包括半导体、源电极、漏电极和栅电极。半导体可以包括第一掺杂区、第二掺杂区、源区、漏区和沟道区。沟道区设置在源区与漏区之间。第一掺杂区设置在沟道区与源区之间。第二掺杂区设置在沟道区与漏区之间。第一掺杂区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度低于漏区的掺杂浓度。源电极电连接到源区。漏电极电连接到漏区。栅电极与沟道区叠置。

公开(公告)号：CN109427823A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810994061.2

申请日：2018-08-29

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 朴晙晳 ,  林志勋 ,  金明花 ,  金兑相 ,  文然建

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32

摘要： 本发明公开了一种显示装置，包括基板、在基板上的薄膜晶体管和在基板上且与薄膜晶体管电连接的显示元件。薄膜晶体管包括在基板上方的有源层、在有源层上方的栅极、与栅极连接的栅极线以及在有源层和栅极之间的栅极绝缘膜。有源层包括与栅极交叠的沟道区以及在沟道区的各侧上的漏极区和源极区。将漏极区和源极区以最短距离连接的直线的长度可以大于平行于该直线的栅极线的宽度。

公开(公告)号：CN104834398A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201410676461.0

申请日：2014-11-21

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 李炳珍 ,  姜盛球 ,  金廷玧 ,  林志勋

IPC分类号： G06F3/041

摘要： 本发明涉及触摸面板以及制造触摸面板的方法。触摸面板包括多个感测电极、多条配线以及静电放电图案。多个感测电极布置在基板上。多条配线从多个感测电极延伸。多条配线的底部表面具有与多个感测电极的底部表面相同的高度。静电放电图案电连接至多条配线。