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公开(公告)号：CN116693081A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310072127.3
申请日：2023-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C02F9/00 , C02F1/28 , C02F1/44 , C02F1/42 , C02F103/04
Abstract: 一种超纯水供应装置可以包括：活性炭过滤设备；离子交换树脂设备，连接到活性炭过滤设备；反渗透膜设备，连接到离子交换树脂设备；中空纤维膜设备，连接到反渗透膜设备；第一流体驱动部，在反渗透膜设备和中空纤维膜设备之间；以及控制单元，被配置为控制第一流体驱动部。第一流体驱动部可以包括：第一泵、第二泵和第三泵，与反渗透膜设备并行连接；以及压力传感器，位于第一泵和中空纤维膜设备之间。控制单元可以被配置为基于从压力传感器发送的信号来控制第一泵、第二泵和第三泵中的每一个泵。
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公开(公告)号：CN113054100A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011549772.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括包含第一金属氧化物材料的第一层和在第一层上的第二层，且第二层包括第二金属氧化物材料。第二金属氧化物材料具有与第一金属氧化物材料的金属化合价不同的金属化合价。第一导电元件和第二导电元件在可变电阻层上并且彼此分开以在可变电阻层中在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。
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公开(公告)号：CN106559606B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201610842913.7
申请日：2016-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种镜头阴影校正电路、一种片上系统、一种数据处理系统和一种用于图像的镜头阴影校正的数据处理方法。所述镜头阴影校正电路包括：增益发生器，配置为响应于增益生成参数对于输入图像的每个像素生成第一增益值；以及调节电路，配置为接收第一增益值和第一YUV数据，并使用第一增益值和第一YUV数据的Y值中的至少一个调节第一YUV数据的U值和V值中的至少一个。
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公开(公告)号：CN112309472A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010348380.3
申请日：2020-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件包括具有垂直堆叠结构的存储单元阵列、用于将编程电压施加到存储单元阵列的位线以及控制逻辑。存储单元阵列包括存储单元，每个存储单元包括半导体层的对应部分和电阻层的对应部分。存储单元包括未被选择的存储单元、补偿存储单元和被选择的存储单元。控制逻辑被配置为基于将第一电压施加到补偿存储单元、将第二电压施加到被选择的存储单元以及将第三电压施加到未被选择的存储单元，将调节后的编程电压施加到被选择的存储单元。由于补偿存储单元，与编程电压相比，调节后的编程电压可以下降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039101B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201610851418.2
申请日：2016-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电导体、一维‑二维混杂结构体、和包括其的电子器件。所述电导体包括：包括多个金属纳米线的第一导电层；和设置在第一导电层的表面上的第二导电层，其中第二导电层包括多个金属氧化物纳米片；其中在第一导电层中的所述多个金属纳米线的金属纳米线接触所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片；和其中所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片彼此接触以提供电连接。
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公开(公告)号：CN105304158B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201510259510.5
申请日：2015-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、或Lu；Ch为硫、硒、或碲；且a为范围为1‑3的整数。化学式1MeCha。
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公开(公告)号：CN103477396B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201280017966.5
申请日：2012-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01B1/22 , H01L31/068 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0224 , B22F1/0059 , B22F3/10 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/0261 , B23K35/286 , B23K35/3006 , B23K35/302 , B23K35/3033 , C22C21/00 , C22C45/00 , C22C45/08 , H01B1/22 , H01L31/022425 , H01L31/0682 , H01L31/18 , Y02E10/547
Abstract: 一种导电膏包括导电粉末、金属玻璃和有机载体，该金属玻璃具有小于或等于约600℃的玻璃转变温度以及大于或等于0K的过冷液态区，电子器件和太阳能电池包括利用该导电膏形成的电极。
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公开(公告)号：CN107025951A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610851003.5
申请日：2016-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电导体、其制造方法、和包括其的电子器件。所述电导体包括包含多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少两个钌氧化物纳米片彼此接触以提供电连接并且所述多个钌氧化物纳米片的至少一个在其表面上包括多个金属簇。
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公开(公告)号：CN105304158A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510259510.5
申请日：2015-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C01B19/007 , C23C14/0623 , C23C14/28 , C30B29/46 , H01B1/00 , H01B1/06
Abstract: 本发明涉及导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、或Lu；Ch为硫、硒、或碲；且a为范围为1-3的整数。化学式1MeCha。
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