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公开(公告)号：CN101995623A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010258141.5
申请日：2010-08-18
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G02B6/4201 , G02B6/4256 , G02B6/4296 , G02B7/02 , H01S5/02212 , H01S5/0222 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/4012 , Y10T83/0453
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种光源装置以及框体的制造方法。该光源装置具有半导体激光器(LD)、LED、灯等的发光源、以及透镜、光纤等的传送、转印、会聚等的光学部件，将装置内的硫酸根离子量保持在低水准，由此，能够防止硫酸铵附着于光学部件。光源装置具有：光源，其出射光；光学部件，其对从光源出射的光进行处理；以及框体，其收纳光学部件或者安装光学部件，通过切削不含硫成分的材料来形成框体，所述材料露出于表面。
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公开(公告)号：CN101660880A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910171031.2
申请日：2009-08-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: F28D15/0233 , F28D15/06 , F28F13/14
Abstract: 本发明不论保存、输送、安装时的状况如何，都能够提供传导率可变热管的稳定起动和稳定动作。该传导率可变热管在沿轴向延伸的密闭容器(1)内封入有工作流体和不冷凝气体，将该密闭容器(1)的一方安装在发热源(9)上，将另一方安装在冷热源(10)上；其中，在上述密闭容器(1)的与轴垂直的截面的一部分上设置导水性比其它部分好的部分(15)，该导水性好的部分在上述轴向延伸。
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公开(公告)号：CN101374975A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200680052887.2
申请日：2006-09-11
CPC classification number: C23C26/00 , B22F1/0062 , B22F1/0085 , B22F2998/10 , C22C1/1084 , C22C19/07 , C23C8/12 , B22F1/0003 , B22F1/0096
Abstract: 本发明的目的在于获得放电表面处理用电极及其制造方法，该电极可以通过放电表面处理而形成在从低温到高温的温度范围内耐磨损性优良的覆膜，该电极用于下述放电表面处理，即，以将金属粉末、金属化合物的粉末、或导电性陶瓷粉末成型而构成的成型粉体作为电极，在加工液中或气体中，在电极和工件之间发生脉冲状放电，利用其能量在工件表面形成由电极的材料构成的覆膜、或由电极的材料借助脉冲状放电的能量反应得到的物质构成的覆膜，在该制造方法中，使粉末中的氧元素增加，将氧元素增加后的粉末、有机粘接剂以及溶剂混合而制作混合液，使用混合液进行造粒而形成造粒粉末，将造粒粉末进行成型，制作氧元素浓度为4重量％至16重量％的成型体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1325962C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN03155568.3
申请日：2003-08-29
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G02B27/0172 , G02B5/02 , G02B2027/0154 , G02B2027/0178
Abstract: 本发明公开了一种显示装置(1)，将影象板(9)的影象投影到观察者(2)的眼球(7)的视网膜(14)上。该图象显示装置(1)具备：包含光源(8)、散射从光源(8)发出的光的散射体(9)、透射在散射体(9)被散射了的光的影象板(10)、使透射影象板(10)的光收敛并发送到眼球(7)的透镜(11)的光学系统(3)，并设置有使散射体(9)在光源(8)和影象板(10)之间沿光轴方向移动的机构。观察者自己就能调整观看方法及观看的难易程度。
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公开(公告)号：CN1179401C
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN00800825.6
申请日：2000-03-08
IPC: H01L21/268 , H01L21/20
Abstract: 把由波长350nm以上至800nm以下的脉冲激光光源(101)发生的聚光激光光束(102)成形为具有宽度(WO)和长度(L0)的线状光束(300)，对形成于基板(203)的膜材料(201)照射线状光束(300)，对非晶质或者多结晶的硅膜材料进行激光热处理。
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公开(公告)号：CN1156894C
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN00800777.2
申请日：2000-01-14
IPC: H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02683 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757
Abstract: 一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序；在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序；以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序，脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此，采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。
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公开(公告)号：CN1146027C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN00118744.9
申请日：2000-06-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/324 , C30B33/02 , B23K26/06
CPC classification number: B23K26/0732 , B23K2101/40 , H01L21/02675 , H01L21/2026
Abstract: 光学系统及其装置和使用该光学系统制造半导体装置的方法。在激光热处理方法中，提供控制形成高性能薄膜用的激光照射剖面的光学系统。在向形成于基板上的膜上照射长方形束的光学系统中，通过用强度分布成形装置使长度方向的强度分布均匀，短边方向保持振荡激光的定向性等向的结构，能在振荡激光性质限制的界限内进行聚光，在基板上的膜上得到最大限度的强度梯度。因此，可在基板上的膜上形成陡峻的温度分布，其结果，可形成高性能薄膜。
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公开(公告)号：CN1304547A
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：CN00800777.2
申请日：2000-01-14
IPC: H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02683 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757
Abstract: 一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法,包括:在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序;在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序;以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序,脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此,采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。
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