电抗装置
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102486963B

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201110408106.1

    申请日:2011-11-29

    IPC分类号: H01F37/00 H01F27/02 H01F27/26

    摘要: 一种电抗装置,是组装于电力转换器的电抗装置,通过使定位变得容易和改善模塑树脂的浇注流动性,能降低个体偏差,并能实现耐用期间的延长、作业时间的缩短及成本降低,可适用于车载用途。该电抗装置将感应体零件(3)收容于壳体(2)中并用模塑树脂(4)浸没,该感应体零件(3)是将卷绕有导线的线圈(6)、内部形成有磁路的铁心(7)及使线圈(6)的卷绕部(62)定位并卡定的绝缘绕线管(5)组合而成的,所述壳体(2)的内底面由将所述壳体(2)外侧的底面作为基准面并具有两个以上不同的面高度的多个面构成,所述铁心(7)的下端面与所述壳体内底面中除了面高度最低的面之外的任一面抵接。

    电力用半导体装置
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109643707B

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN201780052663.X

    申请日:2017-08-28

    IPC分类号: H01L25/07 H01L23/48 H01L25/18

    摘要: 电力用半导体装置具备信号端子以及电力用半导体元件,电力用半导体元件配置于基板之上,信号端子具有主体部和接合部,其一部分由端子台保持,接合部具有前端部和基部,在前端部具有焊盘部,该焊盘部从端子台露出,连接信号布线,基部具有上下方向的厚度比焊盘部薄的薄型部,薄型部的上表面设置于比焊盘部的上表面低的位置,由形成端子台的树脂材料覆盖。

    半导体装置
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114446899A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202111226938.1

    申请日:2021-10-21

    IPC分类号: H01L23/31 H01L23/498

    摘要: 本发明提供一种在不扩大半导体模块的外形的情况下具有较高散热性和可靠性的半导体装置。半导体装置(101)中,定位突起(10)形成在密封树脂(8)的有主电极布线(6、7)的一端部突出的侧面(8b)上。因此,与在密封树脂(8)的底部(8a)上形成定位突起的情况相比,能够减小密封树脂(8)的外形。此外,由于厚度限制突起(9)设置成在其和焊料(30)之间具有空间(12),所以能够防止以厚度限制突起(9)和焊料(30)之间的接触部为起点产生的界面剥离或裂纹,并且能够确保半导体模块(20)和冷却器(40)之间的接合部的寿命。因此,能在不扩大半导体模块(20)的外形的情况下,获得具有高散热性和可靠性的半导体装置(101)。

    半导体装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN114300434A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202111138086.0

    申请日:2021-09-27

    发明人: 石井隆一

    摘要: 本发明的半导体装置包括:散热器;经由第一接合材料而接合到散热器的半导体元件;经由第二接合材料而接合到散热器的第一引线框;经由第三接合材料而接合到半导体元件的第二引线框;以及模塑树脂,在将第三接合材料和模塑树脂的边界部分用与散热器的一个面垂直的平面切断后而得到的截面形状中,将第三接合材料与半导体元件的接合面的端点和第三接合材料与第二引线框的接合面的端点相连结的直线和半导体元件的一个面形成的两个角度中,第三接合材料侧的角度为90°以上135°以下。

    功率模块
    26.
    发明公开
    功率模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN113764389A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202110589845.9

    申请日:2021-05-28

    摘要: 在本发明的功率模块中,两个半导体元件和电容元件配置在三角形顶点的位置,半导体元件间的最短的第一最短路径、两个半导体元件各自与电容元件之间的最短的第二最短路径、第三最短路径为(第一最短路径)≥(第二最短路径)且((第一最短路径)2+(第二最短路径)2)≥(第三最短路径)2,第一导电金属图案和第二导电金属图案具有在由以下电流路径的频率特性所生成的趋肤效应下电流流过的皮肤深度的两倍以上的厚度,所述电流路径具有根据半导体元件之间的电容和电感而获得的第一谐振频率、一个半导体元件与电容元件之间的第二谐振频率、以及另一个半导体元件与电容元件之间的第三谐振频率。

    半导体装置
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110168721A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201780082739.3

    申请日:2017-12-26

    IPC分类号: H01L25/07 H01L23/48 H01L25/18

    摘要: 半导体装置(1)具备:陶瓷基板(21),在两面具有导体层(23、24);半导体元件(11),被接合到陶瓷基板(21)的上表面导体层(23)上;框部件(61),在上表面导体层(23)上以包围半导体元件(11)的侧面的方式配置;以及电极(41),通过第2粘结层(32)被接合到半导体元件(11)的上部,并且在侧面形成嵌合部(42)。在框部件(61)的内壁形成:嵌合部(62),嵌合到电极(41)的嵌合部(42);以及4个定位部(63),从该框部件(61)的内壁延伸至电极(41)的侧面。