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公开(公告)号：CN101285178B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810086915.3
申请日：2008-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448
CPC classification number: C23C16/4486
Abstract: 本发明提供一种汽化器和半导体处理系统，其是用于从液体原料得到处理气体的汽化器，包括在喷注器的排出口下侧配置在容器内的具有中空的内部空间的下部热交换体。在排出口和下部热交换体之间规定雾状液体原料的助起动空间，在容器的内侧面和下部热交换体之间规定与助起动空间连接的环状空间。内部加热器配置在下部热交换体的内部空间中。内部加热器作成利用陶瓷密封编织有多个碳纤维束的碳线的结构。内部加热器加热通过环状空间的雾状液体原料生成处理气体。
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公开(公告)号：CN102094187A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010591764.4
申请日：2010-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/4412 , C23C16/45521 , C23C16/45578
Abstract: 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置包括：旋转台，其能够旋转地设置于容器内，在第1面包含用于载置基板的基板载置区域；第1反应气体供给部，其用于向旋转台的第1面供给第1反应气体；第2反应气体供给部，其沿着旋转台的旋转方向相对于第1反应气体供给部分离开，用于向旋转台的第1面供给第2反应气体；分离气体供给部，其设置在第1及第2反应气体供给部之间，用于供给将第1及第2反应气体分离的分离气体；排气口，其用于对容器内进行排气；空间划分构件，其设置于第1及第2反应气体供给部中的至少一个，划分出包含该反应气体供给部与旋转台的第1面之间的空间的第1空间、及与第1空间的气体相比分离气体易于流动的第2空间。
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公开(公告)号：CN101994101A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010250341.6
申请日：2010-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/50
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/402 , C23C16/45536
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，使旋转工作台旋转，使BTBAS气体吸附在晶圆(W)上，接着向晶圆(W)表面供给O3气体，使其与吸附在晶圆(W)表面的BTBAS气体发生反应而形成氧化硅膜时，在形成氧化硅膜之后，由活化气体喷射器对晶圆(W)上的氧化硅膜供给Ar气体的等离子体，在每个成膜循环都进行改性处理。
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公开(公告)号：CN101859693A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010144440.6
申请日：2010-04-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67207 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。在基板处理装置中，将成膜安装和用于进行退火处理的热处理装置与真空输送室气密地连接，并且，在真空输送室内设有作为自转机构的旋转工作台。对晶圆供给BTBAS气体，并使该气体吸附于晶圆，接着，将会与BTBAS气体反应，生成带有流动性的硅氧烷聚合物的乙醇气体和氧化硅氧烷聚合物的O3气体按该顺序供给晶圆，进行成膜处理，并且在该成膜处理的过程中，从成膜装置取出晶圆，使基板旋转，改变其方向，并进行退火处理，以使反应生成物致密化。
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公开(公告)号：CN101665925A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910172124.7
申请日：2009-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种成膜装置、成膜方法。该成膜装置包括：能旋转地设置在容器内的基座；设置在基座的一个面上的基板载置区域；包括能够独立控制的多个加热部、加热基座的加热单元；对一个面供给第一反应气体的第一反应气体供给部；与第一反应气体供给部分开、对一个面供给第二反应气体的第二反应气体供给部；位于被供给第一反应气体的第一处理区域和被供给第二反应气体的第二处理区域之间的分离区域；位于容器的中央的、具有沿一个面喷出第一分离气体的喷出孔的中央区域；以及排气口。分离区域包括：供给第二分离气体的分离气体供给部；以及用于在基座上形成第二分离气体相对于旋转方向向两个方向流动的狭窄的空间的顶面。
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公开(公告)号：CN101665924A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910172122.8
申请日：2009-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/00 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/401 , C23C16/45502 , C23C16/45508 , C23C16/4583
Abstract: 本发明提供一种成膜装置及基板处理装置，该成膜装置具有：旋转台、从旋转台的周缘朝向旋转中心设置的第1反应气体供给部和第2反应气体供给部、设置于该第1反应气体供给部和第2反应气体供给部之间的第1分离气体供给部。该成膜装置中形成有：包含第1反应气体供给部且具有第1高度的第1空间、包含该第2反应气体供给部且具有第2高度的第2下表面区域、包含第1分离气体供给部且具有第3高度的第1空间，该第3高度低于第1高度和第2高度。设置在旋转台的旋转中心下方的电动机驱动旋转台旋转。旋转台的旋转轴和电动机的驱动轴以不发生空转的方式连接。
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公开(公告)号：CN101665920A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910172116.2
申请日：2009-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/00 , H01L21/316 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及旋转台。通过进行多次将相互反应的至少两种反应气体依次供给到基板表面上的循环，层叠反应生成物而形成薄膜。该成膜装置包括：设于真空容器内的旋转台；为了将基板载置在旋转台的同一圆周上而设于旋转台上的多个基板载置部；第1反应气体供给部件；第2反应气体供给部件；分离气体供给部件；能以在旋转台的中心部周边上下夹着旋转台的方式压接固定旋转台的上部固定构件及下部固定构件，上部固定构件由石英或陶瓷形成。
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公开(公告)号：CN100524641C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200480013598.2
申请日：2004-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065 , C23C16/505 , C23F4/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32357 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明的目的在于：在纵型等离子体处理装置中，不降低原子团的利用效率，防止等离子体对被处理体的破坏，并抑制空心阴极放电和等离子体引起的溅射的发生。在处理容器32的侧壁的内表面的一部分上设置有在上下方向延伸的凹部74。从配置在凹部74中的等离子体气体喷嘴62喷出的等离子体气体，在凹部74中的等离子体电极76之间的区域PS中被等离子体化，向着被处理体W从凹部74喷出。
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公开(公告)号：CN101144181A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710139047.6
申请日：2007-07-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，在卤素酸性气体的气体供给源与流量控制器之间的上游气体流路内形成第一环境。设定上述第一环境，使上述卤素酸性气体的平均分子量为20～23。该使用方法从上述气体供给源，通过已形成上述第一环境的上述上游气体流路和上述流量控制器，供给上述卤素酸性气体，并将含有上述卤素酸性气体的清洁气体供给至上述成膜装置的反应室内。利用这样供给的上述清洁气体蚀刻并除去附着在上述反应室内面的副生成物膜。
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公开(公告)号：CN100350574C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200480000830.9
申请日：2004-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , C23C16/34
CPC classification number: C23C16/45542 , C23C16/345 , C23C16/46 , H01L21/3185
Abstract: 该CVD方法是在被处理基板(W)上形成硅氮化膜。该方法包括：将基板(W)装入处理容器(8)内，加热至处理温度的工序；对被加热至处理温度的基板(W)供给含有六乙氨基二硅烷气体和含有氨气体的处理气体，在基板(W)上堆积硅氮化膜的工序。
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