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公开(公告)号：CN103094160A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210436221.4
申请日：2012-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67046 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L21/67213 , H01L21/67253 , H01L21/67748 , H01L21/6875
Abstract: 本发明提供基板处理系统和基板搬送方法。在具有处理站（3）和交接站（5）的涂敷显影处理系统中，交接站（5）具有：在将晶片搬入到曝光装置之前至少清洗晶片的背面的晶片清洗单元（141）、至少对清洗后的晶片的背面，在搬入到曝光装置之前检查能否进行该晶片的曝光的晶片检查单元（101）、具有在清洗单元（141）和检查单元（142）之间搬送晶片的臂的晶片搬送装置（120）。清洗单元（141）和检查单元（142）在交接站（5）的正面侧，在上下方向设置有多层，晶片搬送装置（120）设置于与清洗单元（141）和检查单元（142）相邻的区域。
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公开(公告)号：CN102315090A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110181207.X
申请日：2011-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G03F7/708 , H01L21/6715
Abstract: 本发明提供一种涂布、显影装置，其目的在于提供能够抑制处理块的设置面积并且能够抑制装置的运转效率降低的技术。将前级处理用单位块作为第一前级处理用单位块和第二前级处理用单位块以上下二层化的方式相互叠层，将后级处理用单位块作为第一后级处理用单位块和第二后级处理用单位块上下以上下二层化的方式相互叠层，进一步将显影处理用单位块作为第一显影处理用单位块和第二显影处理用单位块以上下二层化的方式相互叠层，由此构成处理块，该涂布、显影装置包括：从前级处理用单位块向后级处理用的各单位块分配并交接基板的第一交接机构；和将曝光后的基板分配并交接给显影处理用单位块的第二交接机构。
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公开(公告)号：CN1854898B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200610089867.4
申请日：2006-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67178 , H01L21/67745
Abstract: 本发明提供一种能够按所希望的定时进行曝光装置维护的涂敷、显影装置。该涂敷、显影装置在将搬入输送机模块的基板搬运到处理模块并形成涂敷膜之后，通过接口模块搬运到曝光装置，通过上述接口模块返回来的曝光后的基板在上述处理模块中进行显影处理并搬运到输送机模块，其中设置搬运装置，该搬运装置相对于上述涂敷膜形成用模块及显影用模块层叠并且在输送机模块和接口模块之间将形成涂敷膜的基板从输送机模块一侧直达搬运到接口模块一侧。通过这种结构，即使涂敷膜形成用模块和显影用模块处于维护中，由于可以将检查用基板搬运到曝光装置中，所以也能够检查曝光装置的状态。
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公开(公告)号：CN100570484C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200610006662.5
申请日：2006-01-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67184 , H01L21/6715 , H01L21/67178 , H01L21/6719
Abstract: 本发明提供一种涂敷、显影装置及其方法，通过层叠而设置抗蚀剂膜形成用单位块、和反射防止膜形成用单位块，在抗蚀剂膜上下形成反射防止膜时，实现空间节省化。再者，不管是不是在形成反射防止膜的情况下，都可以应对，可以实现这时软件的简易化。在处理块(S2)上，相互层叠而设置作为涂敷膜形成用单位块的TCT层(B3)、COT层(B4)、BCT层(B5)和作为显影处理用的单位块的DEV层(B1、B2)。不管是不是在形成反射防止膜的情况下，通过在TCT层(B3)、COT层(B4)、BCT层(B5)内选择使用的单位块都可以应对，可以抑制这时的运送程序的复杂化，并实现软件的简易化。
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公开(公告)号：CN100538519C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200610004791.0
申请日：2006-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67184 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67207 , H01L21/67745
Abstract: 本发明提供一种包括多个单位块的集合体的涂敷·显影装置。第1单位块层叠体和第2单位块层叠体配置在前后方向的不同位置上。显影用单位块配置在最下层，备有包括进行曝光后的显影处理的显影单元在内的多个处理单元以及在这些单元之间进行基板输送的输送机构。涂敷用单位块配置在显影用单位块的上方，备有包括进行曝光前的涂敷处理的涂敷单元的多个处理单元以及在这些单元之间进行基板输送的输送机构。涂敷用单位块配置在第1单位块层叠体和第2单位块层叠体两者上。根据反射防止膜和抗蚀剂膜的层叠位置关系，确定曝光前的晶片在涂敷·显影装置内经过的涂敷用单位块。曝光后的晶片不通过涂敷用单位块，仅通过显影用单位块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1996153A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200710001560.9
申请日：2007-01-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F27B17/0025 , F27B5/04 , F27D5/0037 , F27D15/02 , H01L21/67109 , H01L21/67748 , H01L21/67784 , Y10S414/139
Abstract: 具有冷却板和热板的加热装置中，利用气体使基板从冷却板和热板上浮起，通过使基板在水平方向上移动使基板在冷却板与热板之间移动，实现加热装置的薄型化。加热装置(2)中，在冷却板(3)和热板(6)上沿晶片W的移动通路形成喷出孔(3a、6a)，其朝向晶片W的移动通路的冷却板(3)侧斜向上方喷出使基板浮起的气体，利用推压部件(51)推压晶片W移动时的后方侧，抵抗从喷出孔(3a、6a)喷出的气体产生的试图使晶片W移动的推压力，使晶片W向与气体喷出方向相反侧的热板(6)侧移动，或在利用喷出孔(3a、6a)喷出的气体使晶片W移动时的前方侧推压推压部件(51)的状态下，使该推压部件(51)向与气体的喷出方向相同的方向的冷却板(3)侧移动。
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公开(公告)号：CN1854908A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610066684.0
申请日：2006-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F27B5/04 , F27B17/0025 , F27D3/0084 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种不升降顶板也能进行面内均匀性好的加热处理的加热装置和加热方法。加热装置包括：用于放置基板并进行加热的加热板；在该加热板的上方与基板隔开间隔相对设置的、比基板的被加热处理区域大的整流用顶板；为了隔断来自基板一侧的热而形成于该顶板内部的真空区域；以及用于在放置于所述加热板上的基板和所述顶板之间形成气流的气流形成装置。由于使用在内部设置有真空区域的顶板，热量难以从加热板散出，因此即使将顶板和加热板之间周围成为打开状态，也可以使顶板下面温度接近基板温度，可抑制基板和顶板下面温差扩大。其结果由于可以防止因气流冷却造成的紊流，所以可以进行面内均匀性好的加热处理。
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公开(公告)号：CN1815368A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200610004791.0
申请日：2006-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67184 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67207 , H01L21/67745
Abstract: 本发明提供一种包括多个单位块的集合体的涂敷·显影装置。第1单位块层叠体和第2单位块层叠体配置在前后方向的不同位置上。显影用单位块配置在最下层，备有包括进行曝光后的显影处理的显影单元在内的多个处理单元以及在这些单元之间进行基板输送的输送机构。涂敷用单位块配置在显影用单位块的上方，备有包括进行曝光前的涂敷处理的涂敷单元的多个处理单元以及在这些单元之间进行基板输送的输送机构。涂敷用单位块配置在第1单位块层叠体和第2单位块层叠体两者上。根据反射防止膜和抗蚀剂膜的层叠位置关系，确定曝光前的晶片在涂敷·显影装置内经过的涂敷用单位块。曝光后的晶片不通过涂敷用单位块，仅通过显影用单位块。
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公开(公告)号：CN1808275A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200610006661.0
申请日：2006-01-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67276 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67754
Abstract: 本发明提供一种涂敷·显影装置，其具备：处理块，在晶片上形成抗蚀剂膜后，将其运送至曝光装置，并对曝光后的基板进行显影处理；和设置在处理块和曝光装置之间的接口运送机构，上述处理块具有涂敷膜形成用的单位块、和显影处理用的单位块，它们以层叠的状态配置。在接口块运送机构发生异常时，对存在于涂敷膜形成用的单位块内的晶片，在该单位块内进行了通常的处理后，使处理后的晶片退避至收纳组件，并且禁止晶片向涂敷膜形成用的单位块内的运入。
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公开(公告)号：CN107180775A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710337989.9
申请日：2012-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供基板处理系统和基板搬送方法。在具有处理站(3)和交接站(5)的涂敷显影处理系统中，交接站(5)具有：在将晶片搬入到曝光装置之前至少清洗晶片的背面的晶片清洗单元(141)、至少对清洗后的晶片的背面，在搬入到曝光装置之前检查能否进行该晶片的曝光的晶片检查单元(101)、具有在清洗单元(141)和检查单元(142)之间搬送晶片的臂的晶片搬送装置(120)。清洗单元(141)和检查单元(142)在交接站(5)的正面侧，在上下方向设置有多层，晶片搬送装置(120)设置于与清洗单元(141)和检查单元(142)相邻的区域。
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