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公开(公告)号：CN103269204B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310126704.9
申请日：2013-04-12
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03F3/20
摘要： 本发明公开了一种用于大功率合成的多级3dB电桥电路，涉及波导型耦合器件技术领域。输入耦合电路的输入端依次经第一级输入耦合微带线、第一级输入3dB电桥、第二级输入3dB电桥、第二级输入耦合微带线与输入端匹配网络电路连接，所述输入耦合电路的输入端为所述多级3dB电桥电路的输入端，所述输入端匹配网络电路的输出端与场效应管的栅极连接，所述场效应管的漏极依次经输出端匹配网络电路、第二级输出耦合微带线、第二级输出3dB电桥、第一级输出3dB电桥与第一级输出耦合微带线连接，第一级输出耦合微带线连接后作为所述多级3dB电桥电路的输出端。所述电路具有工作稳定，可用于制作大功率微波模块。
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公开(公告)号：CN104297662A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410615870.X
申请日：2014-11-05
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种微波器件测试用扭环，涉及半导体器件测试技术领域。扭环外环壁的横截面为圆形，扭环内环壁的横截面为六边形，且与微波器件测试夹具输入、输出的同轴接头端子外形尺寸相适配，所述扭环的材质为聚四氟乙烯材料。本发明采用了带有网纹结构的聚四氟乙烯扭环，成功解决了测试夹具在测试过程中存在的连接不紧密的问题，保证器件测试稳定性、准确性及无损性，其制作成本低，易实现，保证了相关科研生产顺利进行。
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公开(公告)号：CN102621470B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210094978.X
申请日：2012-03-31
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种半导体微波功率芯片封装外壳性能测试方法，属于半导体芯片封装外壳性能的测试方法领域。本发明制作了陶瓷介质基片微带电路、PCB微带线和微波测试夹具，并利用微波测试模块、直流偏置模块与微波测试夹具相配合对PCB微带线、陶瓷介质基片微带电路以及目标封装外壳及其组合进行微波性能测试，对测试结果进行处理后得到目标封装外壳的微波性能参数。本发明用简单的方法实现了封装外壳的微波性能测试，降低了封装外壳的制作成本，提高了封装外壳的测试效率，同时为封装外壳特性的表征积累了宝贵数据，为半导体微波功率器件性能的提高提供了可靠保障；且本发明的测试方法模拟了封装外壳的使用环境，提高了测试结果精确度。
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公开(公告)号：CN103372826A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310310947.8
申请日：2013-07-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种用于微波功率器件显微红外结温检测的通用测试夹具，属于红外测温技术领域，其结构为分体式结构，主要由底座、中间载体和两块电路载体三个部分组成，底座上设置两块电路载体和一块中间载体，两块电路载体平行设置，并且处于同一平面，在两块电路载体之间设有中间载体，电路载体和中间载体之间均留有间隙，电路载体上设置有测试电路板，两个电路载体上的测试电路板通过被测器件的管腿连通，被测器件固定于中间载体上。本发明具有较高的通用性和易操作性，大大提高了检测效率，降低人力、物力成本，缩短产品研制周期。
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公开(公告)号：CN101806815A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010141596.9
申请日：2010-04-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种用于SiC MESFET直流测试的夹具，其包括馈电模块和用于固定待测SiC MESFET的固定支架，还包括一与馈电模块分立的基座，基座上设置上述固定支架。采用本发明克服了常规直流测试的夹具不能在高于200℃下使用的缺陷，在消除器件自激现象的同时，能够测试SiC MESFET在较高温度如200℃～600℃下的直流特性，为器件的可靠性监测提供了宝贵数据；本发明的结构简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN101692427A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910075552.8
申请日：2009-09-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种带有胞间平衡电阻的大栅宽SiC MESFET制作方法，主要在SiC MESFET制作过程中，加入胞间平衡电阻的制作步骤，最终在大栅宽SiC MESFET管芯的输入输出端各设置一个胞间平衡电阻。该胞间平衡电阻的制作方法简单，易于加工，在SiC MESFET制作过程中引入胞间平衡电阻后，可以提高SiC MESFET的成品率，能制造出性能稳定，可靠性高的大栅宽SiC MESFET，从而提高SiC MESFET的输出功率。
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公开(公告)号：CN117558709A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311435265.X
申请日：2023-10-31
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/538 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
摘要： 本发明实施例提供一种带源场板的射频芯片、射频组件，该芯片包括有源区和环绕有源区的无源区。有源区依次设置有长条形源电极、栅电极和漏电极。栅电极的下方设置有第一介质层。栅电极远离源电极的一侧的上方还设置有长条形源场板，其中，栅电极与源场板之间设置有第二介质层。有源区之外的无源区设置有互联金属线。互联金属线一端连接源场板，另一端连接源电极。本发明实施例通过将源场板与源电极的互联方式设置为在无源区进行互联，一方面避免厚度受限的源场板在有源区跨过栅电极互联时容易断裂问题。另一方面设置在无源区的互联金属线的厚度不受限制，可进一步减少源场板与源电极互联时因厚度差较大容易断裂问题，提升了连接可靠性。
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公开(公告)号：CN113790818B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202110913427.0
申请日：2021-08-10
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于微电子测温技术领域，提供了一种可见光热反射测温方法及测温设备，上述方法包括：控制待测件的温度稳定在第一预设温度，并采集待测件的反射率，作为第一反射率；控制待测件的温度升高并稳定在第二预设温度，并采集待测件的反射率，作为第二反射率；控制待测件的温度降低并稳定在第一预设温度，将待测件通电，待待测件的温度稳定后，采集通电待测件的反射率，作为第三反射率；根据第一反射率对第三反射率进行校正，得到校正后的第三反射率；根据第一反射率、第二反射率及校正后的第三反射率确定待测件的温度变化量。本发明采用不通电时的第一反射率对通电后的第三反射率进行校正，可以有效消除随机干扰，提高了测量精度。
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公开(公告)号：CN114813826A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210413955.4
申请日：2022-04-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 北京大学
摘要： 本发明公开了一种半导体芯片封装外壳导热特性测试方法和测试模块，属于半导体芯片封装外壳测试技术领域，所述测试方法包括在导热基板的上表面制作金属薄膜电阻；将制作有金属薄膜电阻的导热基板固定装配在待测的封装外壳内、并与待测的封装外壳电连接，组成封装外壳测试模块；将封装外壳测试模块安装到红外测试系统中，对金属薄膜电阻通电模拟半导体芯片的工作状态；测试金属薄膜电阻和封装外壳的表面温度，计算封装外壳的导热特性参数。本发明提供的半导体芯片封装外壳导热特性测试方法，通过简单的方法及工艺即可实现对封装外壳的热特性进行测试，不仅提高了测试的准确率，还降低了测试的成本。
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公开(公告)号：CN108389791B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201810168889.2
申请日：2018-02-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/335 , H01L29/40 , H01L29/778
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN基HEMT器件源场板的制备方法及HEMT器件，所述方法包括：在器件上表面依次生长第一厚度的SiN层和第二厚度的SiO2层；去除所述SiO2层中与第一区域对应的部分；所述SiO2层剩余的区域中与第二栅漏区对应的部分朝向所述栅电极区的表面为具有第一倾斜角度的斜面；依次去除所述SiO2层和SiN层与源电极区对应的部分和漏电极区对应的部分；在所述器件的上表面与源场板区对应的部分生长第三厚度的金属层；所述金属层覆盖所述SiO2层与所述第二栅漏区对应部分的斜面。通过本发明制备的场板结构为楔形结构，能够显著提高管芯击穿电压和抑制电路崩塌的作用，从而显著提高器件的性能。
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