公开(公告)号：CN108389804A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810166863.4

申请日：2018-02-28

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 王川宝 ,  李亮 ,  王强栋 ,  马杰 ,  付兴中 ,  崔玉兴

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/488

摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN芯片的烧结方法及待烧结的GaN芯片，该方法包括：在GaN芯片的背面生长第一金属；在所述第一金属层的表面生长Au金属层；在所述Au金属层与待烧结区域对应的区域的表面生长Au/Sn合金层；通过Au/Sn烧结工艺进行烧结。本发明能够减少烧结过程中产生的空洞，降低器件的整体热阻和工艺成本，简化工艺步骤，提高生产效率和产品的一致性。

公开(公告)号：CN103985743A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410203101.9

申请日：2014-05-14

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 王强栋 ,  霍彩红 ,  董军平 ,  刘青林 ,  秦龙 ,  潘宏菽

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L21/02697 ,  H01L23/522

摘要： 本发明公开了一种双极型功率晶体管基片及其制作方法，涉及晶体管的制作方法技术领域。所述基片包括晶圆片，所述晶圆片的下表面从上到下依次设有钛金属层、镍金属层和金金属层。所述方法提高了双极型功率晶体管的背面金属与晶圆片背面的粘附性能，又保证了管芯在与管座烧结在一起时的牢固可靠，同时又避免了烧结时容易在大功率芯片背面烧结处出现空洞造成功率晶体管热斑对晶体管可靠性形成威胁的被动局面，主要适合于金金属化系统，即管座烧结处是镀金的，芯片背面金属也是以金为主要参与烧结的金属体系。

公开(公告)号：CN113790818B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202110913427.0

申请日：2021-08-10

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 翟玉卫 ,  默江辉 ,  王强栋 ,  刘岩 ,  李灏 ,  丁立强 ,  荆晓冬 ,  丁晨

IPC分类号： G01K11/12 ,  G01K15/00

摘要： 本发明适用于微电子测温技术领域，提供了一种可见光热反射测温方法及测温设备，上述方法包括：控制待测件的温度稳定在第一预设温度，并采集待测件的反射率，作为第一反射率；控制待测件的温度升高并稳定在第二预设温度，并采集待测件的反射率，作为第二反射率；控制待测件的温度降低并稳定在第一预设温度，将待测件通电，待待测件的温度稳定后，采集通电待测件的反射率，作为第三反射率；根据第一反射率对第三反射率进行校正，得到校正后的第三反射率；根据第一反射率、第二反射率及校正后的第三反射率确定待测件的温度变化量。本发明采用不通电时的第一反射率对通电后的第三反射率进行校正，可以有效消除随机干扰，提高了测量精度。

公开(公告)号：CN113790818A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202110913427.0

申请日：2021-08-10

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 翟玉卫 ,  默江辉 ,  王强栋 ,  刘岩 ,  李灏 ,  丁立强 ,  荆晓冬 ,  丁晨

IPC分类号： G01K11/12 ,  G01K15/00

摘要： 本发明适用于微电子测温技术领域，提供了一种可见光热反射测温方法及测温设备，上述方法包括：控制待测件的温度稳定在第一预设温度，并采集待测件的反射率，作为第一反射率；控制待测件的温度升高并稳定在第二预设温度，并采集待测件的反射率，作为第二反射率；控制待测件的温度降低并稳定在第一预设温度，将待测件通电，待待测件的温度稳定后，采集通电待测件的反射率，作为第三反射率；根据第一反射率对第三反射率进行校正，得到校正后的第三反射率；根据第一反射率、第二反射率及校正后的第三反射率确定待测件的温度变化量。本发明采用不通电时的第一反射率对通电后的第三反射率进行校正，可以有效消除随机干扰，提高了测量精度。

公开(公告)号：CN109473345A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811391500.7

申请日：2018-11-21

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 秦龙 ,  宋洁晶 ,  胡泽先 ,  高渊 ,  高昶 ,  孙虎 ,  赵红刚 ,  吕鑫 ,  朱延超 ,  高三磊 ,  王强栋 ,  吕树海 ,  刘相伍

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/266

摘要： 本发明公开了一种碳化硅器件的离子注入方法，包括：在碳化硅圆片表面淀积介质层；在所述介质层上涂覆光刻胶，得到涂覆光刻胶后的碳化硅圆片；对所述涂覆光刻胶后的碳化硅圆片进行光刻，使离子注入区域暴露；根据离子注入能量和离子注入剂量，选择对应的注入温度，并在所述离子注入区域注入离子；去除所述光刻胶和所述介质层，得到离子注入后的碳化硅圆片。根据不同的离子注入能量和不同的离子注入剂量，选择不同的注入温度，多次注入后形成均匀的注入结构，减少离子注入损伤，提高注入杂质的激活率。

公开(公告)号：CN203826396U

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201420245891.2

申请日：2014-05-14

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 王强栋 ,  霍彩红 ,  董军平 ,  刘青林 ,  秦龙 ,  潘宏菽

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/06

摘要： 本实用新型公开了一种双极型功率晶体管基片，涉及晶体管技术领域。所述基片包括晶圆片，所述晶圆片的下表面从上到下依次设有钛金属层、镍金属层和金金属层。所述基片提高了双极型功率晶体管的背面金属与晶圆片背面的粘附性能，又保证了管芯在与管座烧结在一起时的牢固可靠，同时又避免了烧结时容易在大功率芯片背面烧结处出现空洞造成功率晶体管热斑对晶体管可靠性形成威胁的被动局面，主要适合于金金属化系统，即管座烧结处是镀金的，芯片背面金属也是以金为主要参与烧结的金属体系。