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公开(公告)号：CN112663135B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202011377984.7
申请日：2020-11-30
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种单斜相Ga2S3单晶的物理气相生长方法及其生长装置。单斜相Ga2S3单晶的物理气相生长方法，包括以下步骤：将含有Ga2S3多晶原料和单斜相Ga2S3籽晶的真空密闭容器在温度梯度区内进行加热恒温；晶体生长后降温，得到所述单斜相Ga2S3晶体；所述Ga2S3多晶原料位于高温区；所述单斜相Ga2S3籽晶位于低温区。该生长方法操作简单，且经济实用，得到了能够符合实用要求的厘米级高质量大尺寸单斜相Ga2S3，且在紫外可见近红外光区域透过率高。
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公开(公告)号：CN114908423B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210411436.4
申请日：2022-04-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种含两种碱金属的三维无机化合物晶体。所述含两种碱金属的三维无机化合物晶体具有式I所示的化学式：ALiGa6Q10其中，A选自除锂以外的碱金属元素中的一种；Q选自硫属元素中的一种；所述含两种碱金属的三维无机化合物晶体属于单斜晶系，Cc空间群。本申请进一步公开了该晶体的制备方法。通过该制备方法所得到的含两种碱金属的三维无机化合物晶体，具有非常好的激光损伤阈值和非线性光学效应，适合多种场合的应用，具有非常好的应用前景和价值。
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公开(公告)号：CN115287764A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210927240.0
申请日：2022-08-03
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含铅和镓的单斜无机化合物晶体，所述含铅和镓的单斜无机化合物晶体的化学式为PbGa4Se7。所述含铅和镓的单斜无机化合物晶体属于单斜晶系，PC空间群。并进一步公开了该含铅和镓的单斜无机化合物晶体的制备方法和应用。该含铅和镓的单斜无机化合物晶体具有比商用AgGaS2高达2倍的非线性光学(NLO)效应，且激光损伤阈值是AgGaS2的10倍，是非常具有潜力的NLO材料。
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公开(公告)号：CN112663135A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011377984.7
申请日：2020-11-30
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种单斜相Ga2S3单晶的物理气相生长方法及其生长装置。单斜相Ga2S3单晶的物理气相生长方法，包括以下步骤：将含有Ga2S3多晶原料和单斜相Ga2S3籽晶的真空密闭容器在温度梯度区内进行加热恒温；晶体生长后降温，得到所述单斜相Ga2S3晶体；所述Ga2S3多晶原料位于高温区；所述单斜相Ga2S3籽晶位于低温区。该生长方法操作简单，且经济实用，得到了能够符合实用要求的厘米级高质量大尺寸单斜相Ga2S3，且在紫外可见近红外光区域透过率高。
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公开(公告)号：CN112522789A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011377983.2
申请日：2020-11-30
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种单斜相Ga2S3晶体的气相生长方法，包括以下步骤：将含有Ga2S3多晶原料、传输剂和单斜相Ga2S3籽晶的真空密闭容器在温度梯度区内进行加热恒温；晶体生长后降温，得到所述单斜相Ga2S3晶体。该并公开了一种晶体生长装置。本发明采用封闭式化学气相沉积法进行晶体生长，并调整生长过程中的温度等参数，从而得到了能够符合实用要求的厘米级的高质量单斜相Ga2S3晶体，且在紫外可见近红外光区域透过率可达80％以上。该技术具有操作简单，经济，安全和环境友好等优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108441964B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810338037.3
申请日：2018-04-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种铁电单晶的制备方法，将含有Ga2S3粉末的原料在真空条件下进行加热，高温保温，然后以0.1～100℃/天的速率降温进行晶体的生长，得到所述Ga2S3单晶。该铁电单晶材料在室温条件下2Hz的测试频率下，剩余极化强度(Pr)为0.18μC/cm2；该材料为二元相，合成简单；热稳定性能好。综合性能优良，是潜在的铁电材料。
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公开(公告)号：CN105951181B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201610331499.3
申请日：2016-05-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料，其特征在于，化学式为：BaCdSnS4；所述晶体材料属于正交晶系的Fdd2空间群，Z＝16。该晶体材料作为非线性光学晶体使用，其非线性效应是商用AgGaS2的1～5倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～8倍，是同时具有大非线性系数和高激光损伤阈值的新型中远红外非线性晶体材料。
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公开(公告)号：CN105129753A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510381418.6
申请日：2015-07-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C01B25/14
Abstract: 本发明提供一种化合物及其合成方法与应用。该化合物含有[Ga3PQ8]n2n-阴离子基团，其中Q＝S或Se，n＝1或2或3或4。合成方法为将镓、磷、Q(Q＝S或Se)、AX(A＝Na或K或Rb或Cs；X＝F或Cl或Br或I)的原料配料并混合均匀后，装入石英管中，抽真空后封管，放入马弗炉中缓慢加热至600-900℃，保温不少于1小时后关掉马弗炉自然冷却至室温，得到所述化合物。该化合物为无色或者黄色晶体或粉末，具有优异的红外非线性光学性能和很高的激光损伤阈值。合成方法步骤简单，所得产品纯度高、收率高，适合商业化生产。
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公开(公告)号：CN118169782A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311870458.8
申请日：2023-12-29
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G02B1/08
Abstract: 本申请公开了一种卤化汞在双折射率材料中的应用，属于材料技术领域。所述卤化汞的化学结构式为HgX2，X选自卤族元素Cl、Br或I。本申请将HgX2晶体作为双折射率材料应用时，其具有宽的透过波长，从紫外延伸至在中远红外波段(0.35～20.0μm)，具有大的双折射率(0.15～0.3)，具有二元化合物的特征，具有优良的晶体生长习性；HgX2晶体可以作为潜在的双折射率材料使用，拓展了双折射率材料的使用范围，该材料具有良好的市场前景。
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公开(公告)号：CN117926420A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311870510.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含盐包硫属化合物材料及其制备方法与作为非线性光学材料的应用，属于激光技术领域。所述含盐包硫属晶体材料，化学式为[A3BaX][M8Q14]；其中，A选自Na、K、Rb、Cs中任一种；X选自F、Cl、Br、I中任一种；M为Ga或In；Q选自S、Se、Te中任一种。该含盐包硫属晶体材料，其NLO效应是商用AgGaS2的0.2‑15倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1‑55倍，综合性能有很大的提高，是潜在的红外NLO材料。
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