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公开(公告)号：CN108441964A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810338037.3
申请日：2018-04-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种铁电单晶的制备方法，将含有Ga2S3粉末的原料在真空条件下进行加热，高温保温，然后以0.1～100℃/天的速率降温进行晶体的生长，得到所述Ga2S3单晶。该铁电单晶材料在室温条件下2Hz的测试频率下，剩余极化强度(Pr)为0.18μC/cm2；该材料为二元相，合成简单；热稳定性能好。综合性能优良，是潜在的铁电材料。
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公开(公告)号：CN104532351B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410736800.X
申请日：2014-12-05
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种非线性光学晶体材料、制备方法及其应用。该材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度(粒度50‑100微米)可达同粒度AgGaS2的1～3倍。该材料的粉末激光损伤阈值可达同粒度AgGaS2的100～260倍，同粒度KTiOPO4(KTP)的1～3倍。
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公开(公告)号：CN101676449A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200810071789.4
申请日：2008-09-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种非中心对称结构稀土硫化物的晶体生长方法。选择稀土元素Er，四配位元素Ge和过渡金属Cu，以相应的二元硫化物或单质元素为反应起始物，通过高温固相反应制备前体并通过碱金属卤化物助熔剂技术合成并生长了空间群为P6 3 的非中心对称结构稀土硫化物Er 6 Cu 2 Ge 2 S 14 。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115182049A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210852870.6
申请日：2022-07-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种晶体A5Ga9Q16的制备方法及其作为非线性光学材料应用，其中，A选自K、Rb或Cs；Q选自S或Se。所述无机化合物晶体的结构由四面体GaQ4通过共点或共边连接形成三维[Ga9Q16]5‑阴离子框架，阳离子A+离子填充孔洞；属于单斜晶系，Pc空间群。NLO效应是商用AgGaS2的0.3～3.0倍；激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～30倍。可用于用于激光测距、激光制导或激光雷达。
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公开(公告)号：CN112575368A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201911320454.6
申请日：2019-12-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其合成方法及其在非线性光学中的应用。该晶体材料具有A2Li2Ga3Q6X的化学式，其中，A选自K、Rb、Cs的至少一种；Q选自S或Se；X选自Cl或Br。该晶体材料采用高温固相法合成。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，非线性效应是商用AgGaS2的0.3‑2.0倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的3‑25倍，性能有很大的提高，是潜在的红外非线性光学材料。
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公开(公告)号：CN109402740B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811624256.4
申请日：2016-12-06
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其制备方法、包含其的非线性光学晶体材料及其在激光器中的应用。所述晶体材料化学式为[AM3Q5]n；A代表Na、K、Rb、Cs中的至少一种；M代表Ga和/或In；Q代表S和/或Se；1≤n≤4。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度可达同粒度商用AgGaS2的7.0倍，激光损伤阈值可达商用AgGaS2(可简写为AGS)的11倍。在中远红外波段激光倍频、和频、差频、光参量振荡等变频器件方面，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN110284196A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910671325.5
申请日：2019-07-24
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开一种含锂晶体材料及其制备方法和应用，属于二阶非线性光学材料及制备技术领域。所述含锂晶体材料具有化学式AxBayLiz(Ga4S7)n；其中A选自K、Rb和Cs中的至少一种，x+2y+z＝2n，n为2～7的整数。所述方法包括：将含有钡元素、镓元素、硫元素、锂元素和AX的原料在真空条件下置于反应温度下反应，冷却；其中AX中的X选自F、Cl、Br和I中的一种。本申请的含锂晶体材料具有改善的红外非线性光学性能，可应用于激光器中。本申请的方法工艺步骤简单，所得晶体材料的纯度高、结晶度好且收率高，适合大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN109402740A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811624256.4
申请日：2016-12-06
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其制备方法、包含其的非线性光学晶体材料及其在激光器中的应用。所述晶体材料化学式为[AM3Q5]n；A代表Na、K、Rb、Cs中的至少一种；M代表Ga和/或In；Q代表S和/或Se；1≤n≤4。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度可达同粒度商用AgGaS2的7.0倍，激光损伤阈值可达商用AgGaS2(可简写为AGS)的11倍。在中远红外波段激光倍频、和频、差频、光参量振荡等变频器件方面，具有重要的应用价值。
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