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公开(公告)号：CN102124578A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201080001340.6
申请日：2010-02-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/3202
Abstract: 一种III族氮化物半导体光元件(11a)，包括：III族氮化物半导体基板(13)，具有与基准平面(Sc)成有限的角度的主面(13a)，基准平面(Sc)与c轴方向上延伸的基准轴(Cx)正交；和量子阱结构的活性层(17)，被设置于III族氮化物半导体基板(13)的主面(13a)上，并包含由III族氮化物半导体构成的阱层(28)及由III族氮化物半导体构成的多个势垒层(29)，主面(13a)显示半极性，活性层(17)具有1×1017cm-3以上且8×1017cm-3以下的氧浓度，多个势垒层(29)在与阱层(28)的III族氮化物半导体基板一侧的下部界面(28Sd)接触的上部界面附近区域(29u)含有浓度为1×1017cm-3以上且1×1019cm-3以下的氧以外的n型杂质。
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公开(公告)号：CN102034910A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010501542.9
申请日：2010-09-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S2302/00
Abstract: 本发明提供III族氮化物半导体光元件、外延衬底及III族氮化物半导体发光元件的制作方法。III族氮化物半导体光元件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)从与沿该第一III族氮化物半导体的c轴延伸的基准轴Cx正交的面，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向第一III族氮化物半导体的m轴方向倾斜。有源层(17)产生580nm以上800nm以下的波长范围的光。有源层(17)的半导体外延层(19)包含含有铟作为III族构成元素的III族氮化物半导体。第二III族氮化物半导体包含InGaN等。半导体外延层(19)的铟含量为0.35以上0.65以下。半导体外延层(19)的膜厚方向相对基准轴Cx倾斜。
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公开(公告)号：CN101958511A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010228912.6
申请日：2010-07-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/3202
Abstract: 一种形成于半极性的主面上的长波长的III族氮化物半导体激光二极管，抑制活性层的结晶质量下降，并获得稳定的振荡模式。III族氮化物半导体激光二极管(11)具有：III族氮化物基板(13)，其具有半极性的主面(13a)；n型包层(15)，由含Al的III族氮化物构成；活性层(17)；p型包层(19)，由含Al的III族氮化物构成；第1导光层(21)，设置于n型包层和活性层之间；第2导光层(23)，设置于p型包层和活性层之间。导光层(21、23)包括由GaN构成的第1层(31、35)和由InGaN构成的第2层(33、37)，各导光层中的第1及第2层的总厚度大于0.1μm。
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公开(公告)号：CN101661986A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910170459.5
申请日：2009-08-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01S2304/04
Abstract: 本发明涉及制造氮化物半导体光学器件和外延晶片的方法。其中，在步骤S106中，在将生长炉内的温度保持为T W 的同时，在时刻t4和t5之间在半极性主面上生长In X Ga 1-X N阱层。在步骤S107中，在所述阱层的生长完成之后，立即在温度T W 下开始生长保护层以覆盖所述阱层的主面。所述保护层由氮化镓基半导体构成，所述氮化镓基半导体的带隙能量大于所述阱层的带隙能量且等于或小于阻挡层的带隙能量。在步骤S108中，在生长所述阻挡层之前，将所述炉子的温度由温度T W 变化至T B 。在将所述炉子的温度保持为温度T B 的同时，在时刻t8和t9之间在所述保护层上生长由氮化镓基半导体构成的阻挡层。
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公开(公告)号：CN119768572A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380061451.3
申请日：2023-04-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40
Abstract: 本发明的磷化铟单晶衬底具有圆形的主表面，上述主表面被格子间距为1mm的正方格子假想地划分。上述正方格子由沿着第一方向和与上述第一方向正交的第二方向存在的多个格子点构成。由在各上述格子点测定的位错密度构成的集合分别具有作为上述集合的平均值的第一整面平均值和作为上述集合的标准偏差的第一整面标准偏差，并且各上述位错密度被分类为第一级别、第二级别和第三级别中的任一个。测定出被分类为上述第二级别的位错密度的格子点存在于夹在第一正方区域的外轮廓线和第二正方区域的外轮廓线之间的区域内，并且由被分类为第二级别的位错密度构成的子集的平均值即第二平均值是由被分类为第一级别的位错密度构成的子集的平均值即第一平均值的4.0倍以上且10.0倍以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111356794A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201880074748.2
申请日：2018-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种氮化镓晶体基板，所述氮化镓晶体基板具有50mm以上且155mm以下的直径并且具有300μm以上且800μm以下的厚度，并且在其外缘的一部分中包括平坦部和缺口部中的任一者。所述氮化镓晶体基板含有2×1017cm-3以上且4×1018cm-3以下的浓度的氧原子、硅原子和载流子中的任一种，并且在从所述平坦部起到在所述主表面中在与指示所述平坦部的直线垂直的方向上距离所述平坦部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一平坦区域和从所述缺口部起到在所述主表面中在与指示所述缺口部的曲线垂直的方向上距离所述缺口部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一缺口区域中的任一者中，所述氮化镓晶体基板具有1000cm-2以上且5×107cm-2以下的平均位错密度。
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公开(公告)号：CN102934301B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201080067313.9
申请日：2010-12-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/0202 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/32341
Abstract: 提供一种可提高谐振镜的平坦性且可降低阈值电流的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法。使基板产物(SP)的刻划槽(65a)的方向与支撑装置(71)的边缘(71b)的延伸方向一致，将基板产物(SP)设置于支撑装置(71)。以沿边缘(71b)延伸的基准线(X坐标A1、B1)为界将基板产物(SP)分为第1~第3区域(70a、70b、70c)。用支撑面(71a、71c)支撑基板产物(SP)的第1及第2区域(70a、70b)，并按压第3区域(70c)，从而进行基板产物(SP)的分离，形成另一基板产物(S P1)及激光条(LB1)。在距离支撑面(70a、70c)的边缘(70b、70d)之间的中心线(CNT)SHFT的位置，将刮刀(69)抵压到基板产物。
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公开(公告)号：CN102422496B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201080020499.2
申请日：2010-03-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3201 , H01S5/3211
Abstract: 本发明提供可减少由晶格弛豫引起的载流子阻挡性能降低的氮化物半导体发光元件。支撑基体(13)的六方晶系GaN的c轴向量VC相对于主面(13a)的法线轴Nx朝X轴方向倾斜。在半导体区域(15)中，有源层(19)、第一氮化镓基半导体层(21)、电子阻挡层(23)及第二氮化镓基半导体层(25)在支撑基体(13)的主面(13a)上沿法线轴Nx排列。p型覆层(17)包含AlGaN，电子阻挡层(23)包含AlGaN。电子阻挡层(23)承受X轴方向的拉伸应变。第一氮化镓基半导体层(21)承受X轴方向的压缩应变。界面(27a)处的错配位错密度低于界面(27b)处的错配位错密度。由于压电极化而使界面(27a)对电子的势垒升高。
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公开(公告)号：CN102763293B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201080005492.3
申请日：2010-11-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/2201 , H01S5/3202
Abstract: 本发明提供一种在六方晶系第III族氮化物的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器的第III族氮化物半导体激光元件、及稳定制作该第III族氮化物半导体激光元件的方法。在位于第III族氮化物半导体激光元件(11)的阳极侧的第一面(13a)的四个角部，分别形成有缺口部(113a)等缺口部。缺口部(113a)等为为了分离元件(11)而设的刻划槽的一部分。刻划槽为由激光刻划器而形成，刻划槽的形状为通过控制激光刻划器而调整。例如，缺口部(113a)等的深度与第III族氮化物半导体激光元件(11)的厚度之比为0.05以上0.4以下，缺口部(113a)的端部的侧壁面的倾斜度为45度以上85度以下，缺口部(113b)的端部的侧壁面的倾斜度为10度以上30度以下。
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公开(公告)号：CN103560191A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310467660.6
申请日：2009-08-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/02458 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法。在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜。GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。
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