公开(公告)号：CN1375879A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN02118358.9

申请日：2002-02-19

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 下津佐峰生

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82 ,  B41J2/01

CPC classification number: H01L27/0922 ,  B41J2/14072 ,  B41J2202/13 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/088

Abstract: 半导体器件中,在公共衬底上形成允许电流流到负载的开关元件及其驱动电路。用DMOS晶体管形成开关元件,开关元件驱动电路包括与DMOS晶体管特性不同的MOS晶体管。

公开(公告)号：CN113733750B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202110581479.2

申请日：2021-05-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 野村宏康 ,  下津佐峰生

IPC: B41J2/05

Abstract: 本发明涉及打印元件基板、打印头和打印装置。打印元件基板包括：底座；加热器，其设置在底座上并且构造成产生用于排出墨水的热量；流路构件，其形成墨水流路，所述墨水流路构造成与底座一起形成起泡室，在所述起泡室中墨水通过设置在起泡室的底面中的加热器的热量而起泡；和温度传感器，其能够检测起泡室的温度，温度传感器由与加热器相同的材料形成并且与加热器同层地设置在底座上。

公开(公告)号：CN105789229A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610171227.1

申请日：2013-02-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 下津佐峰生 ,  市川武史 ,  关根康弘

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L24/05 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/024 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法。一种光电转换装置，包括第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底包括用于根据入射光生成信号电荷的光电转换单元，而第二半导体衬底包括用于处理基于在光电转换单元中生成的信号电荷的电信号的信号处理单元。该信号处理单元位于从光电转换单元到第二半导体衬底的正交投影区域中。包括多个绝缘体层的多层膜在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间设置。第二半导体衬底的厚度小于500微米。第二半导体衬底的厚度大于第二半导体衬底与第一半导体衬底的光接收表面之间的距离。

公开(公告)号：CN105720067A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201610164142.0

申请日：2011-07-04

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 下津佐峰生

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种固态图像拾取设备。该固态图像拾取设备具有：第一基板，具有设置在第一基板的主面上的光电转换器；第一布线结构，具有包含导电材料的第一接合部分；第二基板，在第二基板的主面上具有外围电路的一部分；以及第二布线结构，具有包含导电材料的第二接合部分。此外，第一接合部分和第二接合部分被接合为使得第一基板、第一布线结构、第二布线结构以及第二基板依次设置。此外，第一接合部分的导电材料和第二接合部分的导电材料被扩散防止膜包围。

公开(公告)号：CN103296105B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201310062459.X

申请日：2013-02-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 下津佐峰生 ,  市川武史 ,  关根康弘

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L24/05 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/024 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法。一种光电转换装置，包括第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底包括用于根据入射光生成信号电荷的光电转换单元，而第二半导体衬底包括用于处理基于在光电转换单元中生成的信号电荷的电信号的信号处理单元。该信号处理单元位于从光电转换单元到第二半导体衬底的正交投影区域中。包括多个绝缘体层的多层膜在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间设置。第二半导体衬底的厚度小于500微米。第二半导体衬底的厚度大于第二半导体衬底与第一半导体衬底的光接收表面之间的距离。

公开(公告)号：CN105321970A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510320636.9

申请日：2015-06-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大贯裕介 ,  板桥政次 ,  杮沼伸明 ,  下津佐峰生 ,  藤田雅人 ,  荻野拓海 ,  鸟居庆大

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L21/78 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14687

Abstract: 公开了一种制造固态图像传感器的方法和固态图像传感器。该方法包括准备晶片，所述晶片包括设置了光电转化元件的像素区、设置了用于构成周边电路的周边MOS晶体管的栅电极的周边电路区、和划片区。所述方法包括形成覆盖像素区、周边电路区和划片区的绝缘膜，以及通过蚀刻绝缘膜在栅电极的侧表面上形成侧壁间隔物使得部分绝缘膜保留以覆盖像素区和划片区，以及通过使用覆盖像素区和划片区的绝缘膜作为用于保护以不受硅化影响的掩模在周边电路区中形成金属硅化物层。

公开(公告)号：CN104485340A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410655549.4

申请日：2012-02-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 加藤太朗 ,  下津佐峰生 ,  佐野博晃 ,  市川武史 ,  关根康弘 ,  篠原真人 ,  门间玄三

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463

Abstract: 本发明涉及光电转换装置。该光电转换装置包括具有光电转换部分的半导体衬底。绝缘体被设置在所述半导体衬底上。所述绝缘体具有与所述光电转换部分对应的孔。波导部件被设置在所述孔中。层内透镜被设置在所述波导部件的较远离所述半导体衬底的一侧。第一中间部件被设置在所述波导部件与所述层内透镜之间。所述第一中间部件具有比所述层内透镜低的折射率。

公开(公告)号：CN102301477B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201080006236.6

申请日：2010-01-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边高典 ,  下津佐峰生 ,  市川武史 ,  池田一 ,  关根康弘 ,  大谷章 ,  小岛毅

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种图像感测装置包括像素阵列和外围电路、列选择电路和读出电路，其中，各像素包含光电二极管、浮动扩散、向浮动扩散传送的传送PMOS晶体管、放大器PMOS晶体管和复位PMOS晶体管，放大器PMOS晶体管具有由n型导电图案形成的栅极，并且被第一元件隔离区域和至少覆盖第一元件隔离区域的下部的n型杂质区域隔离，并且，包含于列选择电路中的各PMOS晶体管具有由p型导电图案形成的栅极并且被第二元件隔离区域隔离，并且，与第二元件隔离区域的下部相邻的区域中的n型杂质浓度比n型杂质区域中的n型杂质浓度低。

公开(公告)号：CN103296105A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310062459.X

申请日：2013-02-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 下津佐峰生 ,  市川武史 ,  关根康弘

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L24/05 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/024 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法。一种光电转换装置，包括第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底包括用于根据入射光生成信号电荷的光电转换单元，而第二半导体衬底包括用于处理基于在光电转换单元中生成的信号电荷的电信号的信号处理单元。该信号处理单元位于从光电转换单元到第二半导体衬底的正交投影区域中。包括多个绝缘体层的多层膜在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间设置。第二半导体衬底的厚度小于500微米。第二半导体衬底的厚度大于第二半导体衬底与第一半导体衬底的光接收表面之间的距离。

公开(公告)号：CN102301477A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080006236.6

申请日：2010-01-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边高典 ,  下津佐峰生 ,  市川武史 ,  池田一 ,  关根康弘 ,  大谷章 ,  小岛毅

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种图像感测装置包括像素阵列和外围电路、列选择电路和读出电路，其中，各像素包含光电二极管、浮动扩散、向浮动扩散传送的传送PMOS晶体管、放大器PMOS晶体管和复位PMOS晶体管，放大器PMOS晶体管具有由n型导电图案形成的栅极，并且被第一元件隔离区域和至少覆盖第一元件隔离区域的下部的n型杂质区域隔离，并且，包含于列选择电路中的各PMOS晶体管具有由p型导电图案形成的栅极并且被第二元件隔离区域隔离，并且，与第二元件隔离区域的下部相邻的区域中的n型杂质浓度比n型杂质区域中的n型杂质浓度低。