一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置

    公开(公告)号:CN111368464A

    公开(公告)日:2020-07-03

    申请号:CN202010340549.0

    申请日:2020-04-26

    IPC分类号: G06F30/20 G06F115/12

    摘要: 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置,所述方法包括:将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置;获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据,所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据;获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据,所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据;将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配,所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片;计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差;随机更换所述多个目标芯片,以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。

    一种功率半导体模块
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109801899A

    公开(公告)日:2019-05-24

    申请号:CN201811607844.7

    申请日:2018-12-27

    IPC分类号: H01L25/07

    摘要: 本发明公开一种功率半导体模块,包括:多个并列设置的功率半导体单元,每个功率半导体单元封装在管壳中,且通过管壳中的弹力单元进行弹力支撑,每个功率半导体单元相互独立设置,且安装在第一金属电极与第二金属电极之间,第一金属电极与每个功率半导体单元电连接,第一金属电极与第二金属电极分别与外部电路电连接。本发明中的功率半导体模块中的功率半导体单元相互独立设置,当某一功率半导体单元一旦发生故障,可以利用另外正常的功率半导体单元替换,因此,可以充分利用芯片子模块,进而提高芯片子模块的利用率,可以减少芯片子模块的更换成本。

    铜锡合金件的制备方法、IGBT管壳及其凸台

    公开(公告)号:CN109249021A

    公开(公告)日:2019-01-22

    申请号:CN201811038327.2

    申请日:2018-09-06

    摘要: 本发明公开一种铜锡合金件的制备方法、IGBT管壳及其凸台,该制备方法包括:在基板上铺设第一层铜锡合金粉末,用激光束选区加热选定区域的第一层铜锡合金粉末,使选定区域的第一层铜锡合金粉末局部熔合,在基板表面形成激光熔覆层;铜锡合金粉末中铜、锡的重量比为96:4~80:20;在激光熔覆层上铺设另一层铜锡合金粉末,用激光束选区加热选定区域的另一层铜锡合金粉末,形成与上一层激光熔覆层熔合的另一激光熔覆层;直到得到预设形状的铜锡合金成形件;对铜锡合金成形件进行固溶时效热处理得到铜锡合金。本发明制备的铜锡合金偏析程度小、合金相固溶度高、成分均匀和组织细小,解决了现有铸造态铜锡合金强度低、韧性低、难以成形及成分偏析的问题。

    一种基于介质访问控制层的双模通信组网方法及系统

    公开(公告)号:CN108737378A

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201810344117.X

    申请日:2018-04-17

    IPC分类号: H04L29/06 H04L29/08

    CPC分类号: H04L67/06 H04L69/06

    摘要: 本发明提供了一种基于介质访问控制层的双模通信组网方法及系统,该方法包括:获取待发送业务数据,将待发送业务数据进行组帧生成数据帧;按待发送业务数据的业务类型,将数据帧存入与业务类型相对应的各发送数据链表中;获取用户设置的数据发送任务,根据任务中业务优先级从各发送数据链表中获取当前待发送数据帧;根据业务类型确定当前待发送数据帧的通信组网模式;根据与通信组网模式对应的可承载帧长度将当前待发送数据帧分包成各数据包,生成分包信息;将各数据包及分包信息发送出去。在介质访问控制层实现双模通信组网,屏蔽物理层差异,实现了网络接入的最优选择,切换速度快,误切率低,提高了整个通信系统的容量,增强了数据传输效率。

    一种功率器件封装结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN108281406A

    公开(公告)日:2018-07-13

    申请号:CN201711307494.8

    申请日:2017-12-11

    摘要: 本发明提供了一种功率器件封装结构及其制造方法,该功率器件封装结构包括:第一组件、至少一个发射极上金属片及至少一个功率器件,发射极上金属片与功率器件一一对应设置;第一组件从上至下依次包括发射极顶板、第一弹簧、挡板及第二弹簧,第一弹簧和第二弹簧均为至少一个,且第一弹簧、第二弹簧与发射极上金属片一一对应设置,第一组件为一体成型结构;第一组件设置在至少一个发射极上金属片上,至少一个发射极上金属片设置在至少一个功率器件上,功率器件的发射极位于功率器件的上侧。本发明在实现了弹性电极压接方案的同时,没有增加额外面积,较传统的弹性电极压接方案显著减少了体积。

    压接装置和有压烧结设备
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112735978B

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202011490768.3

    申请日:2020-12-16

    IPC分类号: H01L21/67

    摘要: 本发明提供了一种压接装置和有压烧结设备,压接装置包括:底座,底座内设置有容纳腔;压块,设置在容纳腔内,压块能够在容纳腔内沿容纳腔的深度方向滑动;其中,芯片组件位于压块和容纳腔的底壁之间,压块能够将芯片组件压紧在底壁上。本发明的技术方案中,压接装置的结构简单,这样使得压接装置结构可以设计的更加地紧凑,相对于相关技术中的压接装置,体积更小,重量更轻,避免了相关技术中的压接装置造价成本高,场地要求高的问题,从而提高了压接装置使用的便利性,节约了压接装置的制造和维护成本。

    一种IGBT动态参数测试电路杂散电容提取方法及系统

    公开(公告)号:CN111487514B

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202010312229.4

    申请日:2020-04-20

    IPC分类号: G01R31/26 G01R27/26

    摘要: 本发明公开了一种IGBT动态参数测试电路杂散电容提取方法及系统,包括:测量IGBT器件在瞬态开通过程中的发射极实测电压和集电极实测电流,得到发射极实测电压在瞬态开通过程中的电压变化曲线和集电极实测电流在瞬态开通过程中的电流变化曲线;利用电压变化曲线计算发射极实测电压在瞬态开通过程的结束时刻与开始时刻的电压差;利用电流变化曲线计算在瞬态开通过程中集电极理想电量与实测电量的电量差;利用电量差除以电压差得到IGBT动态参数测试电路的杂散电容。本发明基于IGBT器件的开通瞬态波形,通过实测的方法计算动态测试平台的杂散电容,可以有效评估动态测试设备测量结果的准确性,为制定设备杂散电容的标准提供了依据。