一种功率半导体芯片测试单元及其测试方法

    公开(公告)号:CN106291309A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610843104.8

    申请日:2016-09-22

    CPC classification number: G01R31/2601

    Abstract: 本发明提供了一种功率半导体芯片测试单元及其测试方法。与现有技术相比,所述测试单元包括集电极、被测芯片子模组、PCB板、固定框架和发射极;集电极和发射极的外部侧壁上分别设置有集电极限位凹槽和发射极限位凹槽,固定框架的内部侧壁上设置有限位凸台;集电极、被测芯片子模组、PCB板和发射极顺次叠放在固定框架内,且限位凸台嵌入在集电极限位凹槽和发射极限位凹槽内。本发明提供的一种功率半导体芯片测试单元及其测试方法,可以限制测试单元内各部件的纵向位移而只存在轴向位移,不仅利于对被测芯片子模组进行随时拆卸和压力加载,还能保证在多次测试过程测试单元内各部件的位置相对固定。

    一种大功率压接式IGBT器件
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105552038A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201510960406.9

    申请日:2015-12-18

    Abstract: 本发明提供一种大功率压接式IGBT器件,包括管壳和同轴安装在所述管壳上下两端的板状金属电极,下端金属电极的内侧面上安装有凸台,所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块,所述下端金属电极的内侧面上垂直安装有将所述下端金属电极的内侧面分隔成四个区域的十字形硅钢片组;所述凸台分布在所述四个区域内;所述十字形硅钢片组外部为绝缘框架。本发明提供的技术方案将大量的凸台进行分割,降低了凸台在通过瞬态电流时,所产生磁场的相互影响,从而实现了局部区域内凸台之间杂散电感的最小化,提高了器件的使用性能。

    一种压接式IGBT模块
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105552037B

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201510960380.8

    申请日:2015-12-18

    Abstract: 本发明提供一种新型压接式IGBT模块,包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极,下端金属电极的内侧面上固定有凸台,所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块;所述凸台以所述下端金属电极的中心为圆心,由内层到外层依次圆周等分布在所述下端金属电极的内侧面上。本发明提供的技术方案改善了压接式IGBT模块的凸台在通过瞬态电流时,部分电流过冲太大的问题,提高了压接式IGBT功率模块的可靠性,增大了压接式IGBT功率模块的安全工作区。

    一种功率半导体器件内部接触热阻测量方法及测量夹具

    公开(公告)号:CN105911447A

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201610258361.5

    申请日:2016-04-22

    CPC classification number: G01R31/2601 G01R1/0425

    Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件内部接触热阻测量方法及测量夹具,包括:绘制器件电学参数与结温的关系曲线;绘制器件壳表面与散热器间涂有液态金属时的瞬态热阻抗曲线;对瞬态热阻抗曲线进行数值运算得到器件的积分结构函数和微分结构函数;对照积分结构函数和微分结构函数,求取接触热阻值。测试夹具由三块水平方向基板和两根竖直方向立柱组成;在上基板和中基板间纵向对称设有绝缘板和散热基板;在中基板和下基板间依次安装有压力均布装置、传感器、压力维持板和压力施加装置;本发明提供的测量方法消除了因热电偶带来的测量误差,测量结果真实可靠,测量方法简便高效。

    基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构

    公开(公告)号:CN206148403U

    公开(公告)日:2017-05-03

    申请号:CN201620356492.2

    申请日:2016-04-25

    Abstract: 本实用新型提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构,包括上端盖、下端盖和发射极金属电极;上端盖和下端盖均为凹形盖,上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架;发射极金属电极设置在长方体框架内,其包括圆盘形金属电极,及相对该圆盘形金属电极的中心轴对称分布的多个凸台,凸台上放置IGBT模块;圆盘形金属电极布置在下端盖上,其上面和侧面分别设置有一个栅极PCB板和一个辅助栅极/发射极端子。与现有技术相比,本实用新型提供的一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构,可以在主回路参数一致的条件下,测量多个并联的IGBT芯片的开关波形,从而综合评价芯片的动静态参数是否一致。

    一种功率半导体芯片测试单元

    公开(公告)号:CN206161787U

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201621073265.5

    申请日:2016-09-22

    Abstract: 本实用新型提供了一种功率半导体芯片测试单元,所述测试单元包括集电极、被测芯片子模组、PCB板、固定框架和发射极;集电极和发射极的外部侧壁上分别设置有集电极限位凹槽和发射极限位凹槽,固定框架的内部侧壁上设置有限位凸台;集电极、被测芯片子模组、PCB板和发射极顺次叠放在固定框架内,且限位凸台嵌入在集电极限位凹槽和发射极限位凹槽内。与现有技术相比,本实用新型提供的一种功率半导体芯片测试单元,可以限制测试单元内各部件的纵向位移而只存在轴向位移,不仅利于对被测芯片子模组进行随时拆卸和压力加载,还能保证在多次测试过程测试单元内各部件的位置相对固定。

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