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公开(公告)号:CN115622373A
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN202211326696.8
申请日:2022-10-27
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司泰州供电分公司
摘要: 本公开涉及集成电路技术领域,具体涉及一种驱动电路、双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置,所述驱动电路包括:第一功率器件、第二功率器件、第一子驱动电路、第二子驱动电路和前馈电路;其中,所述第一子驱动电路用于驱动所述第一功率器件,所述第二子驱动电路用于驱动所述第二功率器件;所述前馈电路用于在所述第一功率器件和第二功率器件关断时提供充放电通路。本公开的技术方案,通过为第一功率器件和第二功率器件分别设置独立的驱动电路,并增设了前馈电路,在大幅降低串通电流的同时减少了导通延迟时间,避免了电源线或地线上的大噪声可能造成的功率器件的误开启,降低了电路的功耗,并提高了电路的可靠性。
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公开(公告)号:CN118466673A
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202410542140.5
申请日:2024-04-30
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
IPC分类号: G05F1/567
摘要: 本公开涉及半导体集成电路技术领域,具体涉及一种带隙基准电路、带隙基准电压的补偿方法、电子器件和电子设备。根据本公开实施例提供的技术方案,该带隙基准电路包括:通过带隙基准核心电路模块产生经一阶温度补偿的带隙基准电压,通过参考电流生成模块根据经一阶温度补偿的带隙基准电压生成参考电流,通过正温度系数电流生成模块根据经一阶温度补偿的带隙基准电压生成与温度成正比的正温度系数电流,通过高阶温度补偿模块根据参考电流和正温度系数电流生成高阶温度补偿电流,最后通过带隙基准核心电路模块根据高阶温度补偿电流对带隙基准电压进行高阶温度补偿,得到经高阶温度补偿的带隙基准电压,从而提高了带隙基准电压的精度和温度稳定性。
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公开(公告)号:CN115167608B
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN202210952558.4
申请日:2022-08-09
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学
IPC分类号: G05F1/569
摘要: 本公开涉及集成电路技术领域,具体涉及一种反向电压保护电路、电压调整电路、装置及芯片,所述反向电压保护电路包括:电流产生器,所述电流产生器由所述电压调整电路的输出电压Vout供电,以根据所述输出电压Vout产生第一电流;比较器,所述比较器比较所述电压调整电路的输入电压Vin和输出电压Vout,在所述输出电压Vout高于所述输入电压Vin时输出第一控制信号,其中,所述比较器的工作电流由所述第一电流提供;以及低压开关,所述低压开关的控制端连接于所述比较器的输出端,在所述比较器输出第一控制信号时接收所述第一控制信号,关断所述电压调整电路以实现反向电压保护。本公开提供的技术方案,能够在输出电压较低时仍能正常提供反向电压保护。
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公开(公告)号:CN115113681A
公开(公告)日:2022-09-27
申请号:CN202210870348.0
申请日:2022-07-22
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学
IPC分类号: G05F3/26
摘要: 本公开涉及集成电路技术领域,具体涉及一种负载调整率补偿电路、稳压电路、装置及芯片,所述负载调整率补偿电路包括:第一电流镜、第二电流镜以及第三电流镜,所述第二电流镜的第一输入端连接于所述第一电流镜的第二输出端,所述第二电流镜的第二输入端连接于所述第一电流镜的第三输出端,所述第三电流镜的第一输入端连接于所述第一电流镜的第三输出端,所述第三电流镜的第二输入端连接于所述第一电流镜的第四输出端。通过调整所述第一电流镜和第二电流镜的输出电流比值,以使具有所述负载调整率补偿电路的稳压电路在所述负载处的输出电压,由所述稳压电路的负载电流变化导致的变化值能够被至少部分抵消,从而改善负载调整率。
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公开(公告)号:CN112904931A
公开(公告)日:2021-06-04
申请号:CN202110055767.4
申请日:2021-01-15
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号: G05F3/26
摘要: 本发明涉及集成电路技术领域,提供一种电压电流转换电路及集成电路芯片。所述电压电流转换电路包括第一串联电阻、第二串联电阻、第一电流镜、第一负反馈环路以及第二负反馈环路,所述第一负反馈环路包括第一跨导放大器和第二电流镜,所述第二负反馈环路包括第二跨导放大器、第三电流镜以及第一二极管。本发明的电压电流转换电路,采用两条负反馈环路,使其有效输入电压可以高于电源电平,也可以低于地电平,即输入电压范围可以向正电源轨和负电源轨两个方向扩展,输入电压范围宽,动态范围大,且所述电压电流转换电路转换获得的电流也是双向的,可以有更广泛的电路应用,适应更多的系统条件。
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公开(公告)号:CN112505467A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN202110122430.0
申请日:2021-01-29
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号: G01R31/00
摘要: 本发明涉及电磁干扰测试技术领域,提供一种用于芯片电磁干扰测试的测试装置及测试方法。所述测试装置包括:测试主板、信号发生器、耦合网络探头以及用于放置芯片的测试子板;所述测试子板包括与芯片的多个引脚对应连接的引出电路;所述耦合网络探头与引出电路和信号发生器连接,用于将信号发生器产生的电磁干扰信号传递至引出电路,以通过引出电路将电磁干扰信号引入芯片;所述测试主板与所述测试子板连接,用于获取芯片在所述电磁干扰信号的干扰下产生的信号数据。本发明通过将电磁干扰信号直接引入集成电路芯片,以准确评估芯片各个引脚的抗电磁干扰能力,为改进芯片内部电路设计提供参考,以提升芯片的抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号:CN110501781B
公开(公告)日:2020-09-08
申请号:CN201910818563.4
申请日:2019-08-30
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江西省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明公开了一种波导的形成方法以及包含该波导的SF6气体无源传感器,波导的形成方法包括下列步骤:在硅衬底上生长绝缘层;在绝缘层的表面旋涂光刻胶;光刻光刻胶并形成波导结构;在波导结构内气相淀积玻璃以形成玻璃波导层;应用剥离技术除去没有被光刻的光刻胶以及位于波导结构以外的玻璃以形成波导主体;在波导主体上旋涂聚合物;光刻聚合物并固化后以形成腔室支柱;以及将腔室支柱的顶部通过键合技术形成腔室,多个腔室连接形成波导。本发明的波导的形成方法以及包含该波导的SF6气体无源传感器,其采用无源设计增加产品寿命、提升传感器灵敏度、具备实时在线监测功能。
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公开(公告)号:CN111190111A
公开(公告)日:2020-05-22
申请号:CN202010036970.2
申请日:2020-01-14
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号: G01R31/367 , G01R31/387
摘要: 本发明实施例提供一种电化学储能电池荷电状态估算方法、装置及系统,属于深度学习技术领域。所述方法包括:电池端获取储能电池系统的实时运行参数以及设定时间内的SOC标定数据;分别根据预设的神经网络模型以及常规SOC估算方法,利用实时运行参数,得到本地SOC估算值;将SOC标定数据、实时运行参数以及本地SOC估算值上传云端服务器,以便云端服务器根据上述数据和初始神经网络模型,得到电池端神经网络模型;电池端分别根据电池端神经网络模型以及常规SOC估算方法,利用当前的实时运行参数,得到当前SOC估算值,并将上述两种数据上传云端服务器,以便利用更新后的电池端神经网络模型得到SOC估算值。本发明实施例适用于储能电池系统的SOC估算。
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