公开(公告)号：CN106206521B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201510287352.4

申请日：2015-05-29

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 林柏均

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/603

CPC分类号： H01L24/48 ,  B23K20/007 ,  B23K20/233 ,  B23K2101/42 ,  B23K2103/08 ,  B23K2103/12 ,  H01L24/45 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48482 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78268 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399

摘要： 本发明提供一种打线接合的方法以及封装结构，该方法包括下列步骤：首先，提供基板；基板包括至少一金属垫；接着，设置第一芯片于基板上，且第一芯片包括至少一第一接垫；接着，形成金属球块于对应的金属垫上；接着，由金属球块形成第一导线至对应的第一接垫；接着，进行放电结球制程以形成第一金属熔球于第一导线上；接着，压合连接第一导线的第一金属熔球于对应的第一接垫上，以使第一导线位于第一金属熔球与对应的第一接垫之间，其制程较为简单且效率较高，且应用此打线接合方法的封装结构可满足低打线高度的需求。

公开(公告)号：CN108735684A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710888309.2

申请日：2017-09-27

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 林柏均 ,  朱金龙

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/498

摘要： 本发明公开了一种多晶片半导体封装体及垂直堆叠的半导体晶片和封装方法，半导体晶片包含半导体元件。半导体元件具有上表面以及对应至上表面的下表面。半导体元件包含输入端子、多个硅晶穿孔连接块、多个选择焊垫、多个倾斜焊垫以及多个倾斜导电结构。硅晶穿孔连接块延伸穿越半导体元件。选择焊垫位于下表面。倾斜焊垫位于上表面且通过硅晶穿孔连接块分别连接至选择焊垫。每个倾斜焊垫具有焊垫表面，其不平行于上表面。每个倾斜导电结构的底端接触对应的倾斜焊垫的焊垫表面，且每个倾斜导电结构的顶端垂直的对齐紧邻的倾斜焊垫。本发明具有以节省成本和生产效率的结构设计与生产方法达到晶片选择的功能。

公开(公告)号：CN108630551A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710790384.5

申请日：2017-09-05

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 林柏均

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065

摘要： 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包含第一堆叠中介层、第一晶片、以及多个第二凸块。第一堆叠中介层包含第一中介层、多个第一导电柱、多个第一凸块、以及第一重分布层。第一中介层具有第一表面和与其相对的第二表面。多个第一导电柱从第一中介层的第一表面穿透至第二表面。多个第一凸块位于第一中介层的第一表面的一侧并电性连接这些第一导电柱。第一表面具有净空区域，此净空区域无第一凸块。第一重分布层位于第一中介层的第二表面上。第一晶片位于第一重分布层的上方。第一晶片在垂直第一表面的方向上与第一中介层的第一表面的净空区域对齐。多个第二凸块连接第一重分布层和第一晶片。中介层可以用作通用元件，以节省成本。

公开(公告)号：CN108428692A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201710290169.9

申请日：2017-04-28

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 林柏均 ,  朱金龙

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L23/00

摘要： 一种半导体结构包含一基板以及一第一芯片。该基板具有一传导柱，自该基板突出。该第一芯片位于该基板上方，并且包含一第一插塞延伸穿过该第一芯片，其中该传导柱自该基板延伸穿过该第一芯片并且局部位于该第一插塞内。

公开(公告)号：CN108389851A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201710152679.X

申请日：2017-03-15

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 林柏均 ,  朱金龙

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/52 ,  H01L23/528

摘要： 本申请公开一种半导体装置及其制造方法，其中半导体装置包含一第一半导体晶粒以及以一水平偏移方式堆迭至该第一半导体晶粒上的一第二半导体晶粒。该第一半导体晶粒包含一第一芯片选择终端以及电性连接至该第一芯片选择终端的一第一下终端。该第二半导体晶粒包含一第二芯片选择终端及一第二下终端，该第二芯片选择终端经由该第二下终端而电性连接至该第一半导体晶粒的一第一上终端。电性连接至该第二芯片选择终端的该第一上终端与电性连接至该第一芯片选择终端的该第一下终端电性隔离。

公开(公告)号：CN108336066A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201710212979.2

申请日：2017-04-01

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 林柏均

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L23/481 ,  H01L24/14

摘要： 一种半导体结构包含一基板，具有一第一侧与一第二侧，该第一侧与该第二侧对立；一第一插塞，延伸穿过该基板；一第二插塞，延伸穿过该基板；以及一金属结构，位于该第一插塞与该第二插塞之间。该第一插塞通过该金属结构而与该第二插塞隔离，该第一插塞与该第二插塞经配置以连接至一信号源或传送一信号，以及该金属结构经配置以连接至一电源或接地。

公开(公告)号：CN108333677A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201710202613.7

申请日：2017-03-30

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 林柏均

IPC分类号： G02B6/10 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13

摘要： 本公开提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含一第一表面与一第一侧壁；一波导，包含沿着该第一表面配置的一第一部分，以及沿着该第一侧壁且耦合该第一部分的一第二部分；以及一反射件，位于该波导上方，其中该反射件包含一反射表面，位于该第一部分与该第二部分之间且经配置以将光自该第一部分导引至该第二部分，反之亦然。

公开(公告)号：CN108074895A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710088697.6

申请日：2017-02-20

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 林柏均

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L21/50

摘要： 本发明公开了一种堆叠封装结构及其制造方法，堆叠封装结构包含第一封装结构。第一封装结构包含第一表面以及相对于第一表面的第二表面，第一封装结构包含至少一个第一晶片、第一重分布层，多个第一凸块。第一晶片的底部具有第一主动区。第一重分布层配置于第一晶片上，其中第一重分布层的上表面作为第一封装结构的第一表面。第一凸块配置于第一晶片的第一主动区下。本发明通过将重分布层配置于晶片的主动区的对侧，可有效地降低封装结构翘曲或是变形的现象。

公开(公告)号：CN107689353A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201611018338.5

申请日：2016-11-14

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 林柏均

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 本公开提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：一基板，包括一第一表面及一第二表面，该第二表面与该第一表面相对；一接垫，设置在该第一表面上方；一第一保护件，设置在该第一表面上方且部分覆盖该接垫；以及一重布线层(redistribution layer，RDL)，设置在该第一保护件上方，且包括一导线及一第二保护件，该导线延伸在该第一保护件上方，该第二保护件部分覆盖该导线；其中该导线包括一插塞部以及一焊座部，该插塞部与该接垫耦合且在该第一保护件内朝该接垫延伸，该焊座部延伸在该第一保护件上方，该焊座部包括多个第一凸出部，向远离第一保护件的方向凸出。

公开(公告)号：CN107644849A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201610994219.7

申请日：2016-11-11

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 林柏均

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L25/07

摘要： 一种堆叠式封装结构，包含第一板状结构与第二板状结构。第一板状结构具有相对的第一面与第二面。第一板状结构包含第一介电层与第一电子元件。第一电子元件设置于第一介电层中，其中第一电子元件具有第一主动面，且第一主动面形成第二面的一部分。第二板状结构具有相对的第三面与第四面。第三面面对第二面，且第三面固定于第二面。第二板状结构包含第二介电层与至少一第二电子元件。第二电子元件设置于第二介电层中，其中第二电子元件具有第二主动面，且第二主动面形成第三面的一部分。通过缩短第一、第二、第三电子元件间的信号传递路径，第一、第二、第三电子元件仅需要较短的时间便能互相沟通，于是堆叠式封装结构的整体运作效率能有效提升。