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公开(公告)号：CN111490112A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010309443.4
申请日：2020-04-20
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种新型碳化硅肖特基结极深紫外探测器及其制备方法，该新型碳化硅肖特基结极深紫外探测器，包括从下到上依次相接的n型欧姆接触电极、衬底、n型低掺外延层和n型肖特基接触电极，n型肖特基接触电极沿周边设有金属导电电极，金属导电电极沿周边设有钝化层。本发明有效规避了传统p-i-n结构常规紫外探测器在应用于极深紫外波段探测时，发生的极深紫外光子在表面高掺杂p型层中的强吸收，有效提升了极深紫外波段探测器的量子效率；进一步，通过将肖特基电极结构优化为不完全填充结构，更加有效地降低了极深紫外光子在金属电极表面的反射与吸收，进一步提升了肖特基结探测器在极深紫外波段尤其是真空紫外波段的量子效率。
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公开(公告)号：CN107611193A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710801393.X
申请日：2017-09-07
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种新型n-i-p-n半台面垂直结构的碳化硅雪崩二极管及其制备方法。本申请碳化硅雪崩二极管，为n-i-p-n结构，从下到上依次包括：下金属接触电极、n型导电SiC衬底、p型SiC接触层、i型SiC雪崩层、n型SiC过渡层、n+型SiC接触层和上金属接触电极，其中，n型SiC过渡层和n+型SiC接触层形成下大上小的台面状，n型SiC过渡层的下表面面积小于i型SiC雪崩层上表面面积，n型SiC过渡层的外围、n+型SiC接触层的外围、及没有被n型SiC过渡层覆盖的i型SiC雪崩层的上表面均设有钝化层。本发明减小了刻蚀损伤，提高了器件性价比；器件可以采用质量更好的n型欧姆接触；提高了器件工作效率，降低了雪崩噪声，减少了引出导线数量，降低了器件成本。
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公开(公告)号：CN107587190A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710691185.9
申请日：2017-08-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备GaN衬底材料的方法，在多功能氢化物气相外延(HVPE)生长系统中，原位外延Ga2O3和GaN薄膜；先在衬底如蓝宝石或硅片上利用类HVPE方法生长氧化镓薄膜，并在氨气气氛中对氧化镓进行原位部分或全部氮化形成GaN/Ga2O3或者GaN缓冲层；然后在缓冲层上进行GaN的HVPE厚膜生长，获得高质量的GaN厚膜材料；利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓即可获得自支撑GaN衬底材料；或者利用传统的激光剥离的方法，实现GaN厚膜与异质衬底如蓝宝石之间的分离，得到GaN自支撑衬底材料。
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公开(公告)号：CN106206872A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610635841.9
申请日：2016-08-04
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0054 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明公开了一种Si-CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件，其结构自下至上依次包括：蓝宝石衬底、n型GaN层、InxGa1-xN/GaN量子阱有源层、p型GaN层；所述微米柱LED器件刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的微米柱阵列，还包括一p型阵列电极，蒸镀在微米柱阵列的p型GaN层上，一n型电极，蒸镀在n型GaN层上；Si-CMOS阵列驱动电路的阵列电路一一对应的键合到p型阵列电极上，Si-CMOS阵列驱动电路的电极键合到n型电极上。并公开了其制备方法。本发明通过将Si-CMOS阵列驱动电路与微米柱阵列LED器件进行对应连接，可以实现CMOS阵列驱动电路对每个像素点的单独控制，能应用于超高分辨照明与显示，可见光通讯，生物传感等众多领域。
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公开(公告)号：CN102465335B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201010549563.8
申请日：2010-11-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种用于半导体材料热壁外延生长系统的加热装置，包括射频加热器和石墨套筒，石墨套筒设置在射频加热器的感应加热线圈中，石墨套筒的内壁和外壁包覆有导热非易燃绝缘层，并置于惰性气体环境中。本发明采用射频加热石墨套筒的方式，可以快速升降温，具有节能，使用寿命长，无需维修等优点。由于感应线圈可以做大直径，因而可以加热大尺寸的石墨套筒来实现大面积反应腔体的快速加热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102828250A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210317228.4
申请日：2012-08-31
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B25/005 , C30B29/406 , C30B29/60
Abstract: 一种制备GaN纳米线的方法，蓝宝石衬底的清洗后，先蒸镀金属Ni薄膜；Ni薄膜厚度5-50nm；将覆有镍薄膜的蓝宝石衬底放入HVPE生长系统中，开始低温生长GaN纳米线；生长温度：500–850℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1-5slm；Ga源采用常规的高纯金属镓和高纯HCl反应生成GaCl，HCl流量：1-20sccm，HCl载气流量10-200sccm；以高纯氨气作为氮源，NH3流量：50–500sccm；生长时间1-10分钟。生长出GaN纳米线。
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公开(公告)号：CN101339142A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810196208.X
申请日：2008-08-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种利用线性偏振光来检验半导体衬底晶体质量的方法，将两线偏振片按偏振方向互相垂直方式放置，处于完全消光状态。两偏振片中间放置需要表征缺陷的表面平整的片状晶体材料，晶体材料平面与两偏振片平面平行；用一光源产生强度均匀的光，垂直照射在一线偏振片上，产生线偏振光，该线偏振光再照射到晶体材料上，其透射光经过第二片偏振片，最后被光学成像系统接收并显示，光学成像系统显示的图像中局部的具有亮度反差或条纹区域与晶体材料中的缺陷相对应。本方法较之传统缺陷表征方法能十分便捷地对整片晶体材料的缺陷分布情况给出直观表征，有利于加快研究速度和提高器件制备的成品率。
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公开(公告)号：CN101270471A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810098864.6
申请日：2008-05-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 非极性面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中生长，通过选择[1120]的R面蓝宝石做衬底材料，首先，在MOCVD系统中对生长的R面蓝宝石衬底在900－1100℃温度下进行材料热处理，时间为5－60分钟；或然后通入氨气进行表面氮化，在900－1100℃温度下时间为10－120分钟；再在900－1100℃温度范围通入H2和/或N2作为载气、氨气和金属有机镓源作为生长气源；通过控制载气，生长气源气体流量以及生长温度参数，在选择的衬底某晶面的蓝宝石衬底上合成生长非极性面的a面或m面GaN材料。
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公开(公告)号：CN119828207B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510334586.3
申请日：2025-03-20
IPC: G01T7/00
Abstract: 本发明涉及半导体漂移室探测器测量领域，具体涉及一种半导体漂移室探测器漂移特性的测试系统及方法。测试系统包括双面探针台、半导体漂移室探测器、第一双通道数字万用表、第二双通道数字万用表、激光器和光纤夹具。双面探针台用于固定和连接探测器，数字万用表分别施加偏压和采集数据，激光器通过光纤照射探测器背面。测试时，先选激光器波长并调光功率，将探测器置于暗室双面探针台并连接设备，光照后设置电压并监测电流，调整光照位置，依据不同光照位置电流差判断横向漂移特性是否合格。该测试系统及方法，相比传统集成测试，有效减少测试时间，提高器件迭代速度，能便捷表征半导体漂移室探测器中电子的横向漂移特性。
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公开(公告)号：CN115312616B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202211094096.3
申请日：2022-09-08
Applicant: 南京大学
IPC: H10F30/225 , H10F71/10 , H10F30/223 , H10F77/30
Abstract: 本发明公开了一种全平面离子注入倾斜高阻终端的4H‑SiC雪崩光电探测器，抑制雪崩光电探测器件边缘电场强度的终端结构为离子注入倾斜高阻终端。本发明终端通过高温光刻胶回流与离子注入工艺形成一种倾斜高阻终端台面，解决了SiC APD现有技术中小角度倾斜台面钝化层/SiC界面缺陷态多、可靠性差的缺点，有效抑制了SiC APD边缘电场聚集效应，制备简单，可靠性好。
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