公开(公告)号：CN105050245A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510331085.6

申请日：2015-06-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  雷建明 ,  谢自力 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H05B37/02 ,  H04B10/116 ,  H04B10/50

CPC classification number: H05B37/02 ,  H04B10/116 ,  H04B10/50

Abstract: 本发明公开了一种高速LED光通信调制器，包括控制单元和可变供电单元，所述可变供电单元为可正负方向切换的能量供应单元；控制单元产生开关和时序控制信号，以驱动可变供电单元为LED供电；时序控制信号用于通过时序控制来降低能带弯曲，以提高载流子辐射复合；当可变供电单元正向供电时，LED开通，同时使载流子过注入；当可变供电单元反向供电时，LED关断，同时使载流子反向注入。还包括用于进一步加速关断的泄放通路。本发明通过控制对开通时的载流子过注入以及关断时的载流子反向注入，提高了载流子的复合速率，使得开关速度大幅度提高；通过辅助的泄放通路进一步加速关断；通过时序控制降低能带弯曲，提高载流子辐射复合。

公开(公告)号：CN103400912B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201310367196.3

申请日：2013-08-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/00 ,  H01S5/183

Abstract: 本发明公开了一种基于AlInGaN三层周期结构的日盲紫外DBR，其结构从下至上依次为：蓝宝石衬底、厚度为d1的Al0.5Ga0.5N模板层、DBR周期层，所述DBR周期层中包含n个周期，每个周期从下至上由厚度为d2的Alx1Iny1Ga1-x1-y1N-Alx2Iny2Ga1-x2-y2N组分渐变层、厚度为d3的Alx3In1-x3N层和厚度为d4的Alx4Ga1-x4N层组成。本发明中In组分的加入可以减小各层之间的晶格失配度，同时，组分渐变层有利于AlInN层的外延生长，Al0.5Ga0.5N模板层的应用也有利于组分渐变层的外延生长，解决由于晶格失配累积的应变所导致的缺陷或者开裂问题。

公开(公告)号：CN104394340A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410676469.7

申请日：2014-11-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  雷建明 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H04N5/378 ,  H04N5/3745

Abstract: 本发明公开了一种智能APD阵列读出系统装置，包括输入模块A、功率变换模块B、直流变换模块C、APD阵列及智能控制模块D和读出系统E；输入模块A用于对市电输入进行整流滤波；功率变换模块B用于将市电整流滤波后的电压转化为稳定的多路直流电压(正负电压)；直流变换模块C用于将功率变换模块B输出的直流电压进一步转换为读出系统所需的更精确的直流电压；直流变换模块C为智能控制模块D和读出系统E供电。本发明还公开了一种APD阵列成像智能校正方法，包括标准图像采集、图像比对与自动校正三个步骤。本发明精度高、尺寸小，而且智能化。

公开(公告)号：CN103681898A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310680602.1

申请日：2013-12-12

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  高望 ,  张荣 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  曹先雷 ,  李志成 ,  修向前 ,  陈敦军 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  G02B5/20

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/02165 ,  G02B5/3041 ,  H01L31/18

Abstract: 一种基于SiO2/Si3N4分布式布拉格反射镜的紫外带通滤波器，选用蓝宝石(0001)、氮化铝或铝镓氮衬底，衬底的表面为平整面；在衬底上或者具有紫外探测器件结构的表面生长制备一前一后堆叠的分布式布拉格底镜和顶镜两个反射镜，两反射镜间用中间隔离层隔开，形成紫外带通滤波器；生长分布式布拉格反射镜底镜,以形成带通滤波器反射谱中的长波段右禁带，在底镜上继续生长分布式布拉格反射镜顶镜,形成带通滤波器反射谱中短波段左禁带，选择介质薄膜SiO2与Si3N4、TiO2、HfO2中之一两者组成分布式布拉格反射镜(DBR)的单位结构，顶镜或底镜的反射镜周期数为4～20；整个厚度范围为1.5μm～2μm。

公开(公告)号：CN103400888A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310367175.1

申请日：2013-08-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/00

Abstract: 本发明公开了一种高增益的AlGaN紫外雪崩光电探测器，其结构从下至上依次为：AlN模板层、AlxGa1-xN缓冲层、n型AlxGa1-xN层、i型AlyGa1-yN吸收层、n型AlyGa1-yN分离层、i型AlyGa1-yN倍增层、p型AlzGa1-zN层、p型GaN层，在n型AlxGa1-xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x、y、z满足0＜z＜y＜x。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构高增益的AlGaN紫外雪崩光电探测器，可明显降低APD雪崩击穿时的外加电压和暗电流，有助于提高APD雪崩倍增因子。

公开(公告)号：CN100463231C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200710025126.4

申请日：2007-07-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 江若琏 ,  谢自力 ,  文博 ,  周建军 ,  陈敦军 ,  张荣 ,  韩平 ,  郑有炓

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/05 ,  H01L31/052

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02E10/544

Abstract: 铟镓氮(InGaN)p-n结型多结太阳电池的结构的设置方法，采用p-n结型太阳电池的电流-电压方程、InxGa1-xN禁带宽度与In组分关系式和InxGa1-xN材料的相关参数，计算InGaN多结(含单结)太阳电池的最大转换效率以及获得此转换效率时的其中各结材料的最佳禁带宽度和对应的In组分值，用这些不同In组分的InxGa1-xN为其中各结电池材料，在各结电池之间用隧道结垂直串联起来，在第1结的n(或p)-Inx1Ga1-x1N和最后第i结的p(或n)-InxiGa1-xiN上设有金属导电电极，入射表面覆盖减反射膜。

公开(公告)号：CN101364482A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810156068.3

申请日：2008-09-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  罗文俊 ,  谢自力 ,  李朝升 ,  陈敦军 ,  邹志刚 ,  张荣

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042 ,  H01G9/022 ,  H01M14/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 可见光铟镓氮基光电化学电池的制备方法，采用MOCVD在α－Al2O3衬底上外延生长单晶取向的GaN支撑层和InxGa1－xN合金层，利用GaN层缓解InGaN层与衬底之间大晶格失配；其中GaN层生长采用两步法，先设置50至100nm厚的低温缓冲层，低温缓冲层生长温度为500至550℃，再将生长温度升高至1100℃，生长1μm至2μm厚GaN支撑层；InxGa1－xN合金层生长温度区间从600至850℃，决定InxGa1－xN合金层中In的组分x，合金组分0≤x≤1，厚度从50nm至500nm，在InxGa1－xN合金薄膜表面淀积1至10μm金属铟形成欧姆接触电极。

公开(公告)号：CN115096949B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202210559843.X

申请日：2022-05-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  段学玲 ,  王冠 ,  白海能

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明公开了一种ε‑MnO2/WO3异质结材料，为ε‑MnO2纳米片与WO3纳米颗粒混合而成，在WO3纳米颗粒上粘附有片状的ε‑MnO2纳米片，WO3纳米颗粒占ε‑MnO2/WO3异质结材料的质量比为5‑15％。还公开了该异质结材料的制备方法和在检测H2S气体中的应用，以及采用该异质结材料制成的ε‑MnO2/WO3异质结H2S气体传感器。ε‑MnO2/WO3异质结材料具有对H2S气体高度的敏感度和响应度，可用于制备室温下检测H2S气体的传感器。

公开(公告)号：CN117976740A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410036077.8

申请日：2024-01-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  刘路明 ,  蔡青 ,  游海帆 ,  张荣

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于绝缘衬底的自顶而下垂直纳米柱阵列pin‑AlGaN紫外光电探测器，其结构自下而上依次包括：绝缘衬底；外延生长在绝缘衬底上的n‑GaN缓冲层；分布在n‑GaN缓冲层上的纳米柱阵列光吸收层，所述的纳米柱阵列光吸收层包括：刻蚀形成的AlGaN垂直纳米柱阵列和填充在纳米柱阵列内的绝缘填充物。N型底电极设置在n‑GaN缓冲层上，所述P型顶电极设置在p‑GaN层上。还公开了其制备方法。本发明利用金属纳米颗粒充当硬掩模刻蚀制备纳米柱阵列，利用平面化填充物实现对纳米柱的隔离与保护和对顶电极的支撑，底电极设置于衬底上的n‑GaN缓冲层上，制备难度明显降低，为纳米柱阵列光电探测器件的制备提供新思路。

公开(公告)号：CN116344581A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310033025.0

申请日：2023-01-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 王科 ,  周辉 ,  邵鹏飞 ,  陈敦军 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种提高阈值电压的增强型p沟道场效应晶体管，该结构包括位于最底部的衬底，外延生长的GaN层、AlGaN层、GaN层、p‑GaN层、p++GaN层、经过刻蚀后选区外延生长的AlN或者AlGaN极化栅(AlxGa1‑xN层)，或在GaN沟道层与p‑GaN之间直接外延生长的AlN或AlGaN层(AlxGa1‑xN层)，栅区Al2O3介质层，源漏栅电极等主要部分。经过模拟分析，相比于传统的凹栅增强型p‑FET，引入的栅区AlN极化栅，可以显著提高增强型p‑FET的阈值电压。