公开(公告)号：CN102844897A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180019412.4

申请日：2011-06-13

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 小林良聪 ,  松田晃 ,  铃木智 ,  菊池伸 ,  橘昭赖 ,  座间悟

IPC: H01L33/62

CPC classification number: H01L33/60 ,  C25D3/12 ,  C25D3/38 ,  C25D3/46 ,  C25D3/64 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D5/12 ,  C25D5/34 ,  C25D5/36 ,  C25D5/44 ,  C25D5/48 ,  C25D5/50 ,  C25D7/08 ,  H01L33/486 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种光半导体装置用引线框架，在基体的最表面的至少单面或双面的一部分或整个面上具备反射层，上述反射层至少在反射光半导体元件发出的光的区域的最表面具有由金属或其合金构成的镀组织的至少表面发生了机械变形的组织。

公开(公告)号：CN102066614A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980122618.2

申请日：2009-06-23

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 菅原亲人 ,  座间悟 ,  橘昭赖

IPC: C23C26/00 ,  C22C19/03 ,  C25D7/00

CPC classification number: C23C10/28 ,  C22C19/03 ,  C23C18/32 ,  C25D5/50 ,  C25D7/00 ,  Y10T428/12458 ,  Y10T428/12569 ,  Y10T428/1291

Abstract: 本发明涉及一种电气电子部件用复合材料，该复合材料作为电气电子部件的材料使用，且包含至少表面为Cu或Cu合金的金属基体材料、和设置于该金属基体材料的至少一部分上的绝缘被膜，其中，在上述金属基体材料与上述绝缘被膜之间存在有金属层，所述金属层是在Ni或Ni合金中扩散有Cu的层，对上述金属层的最表面进行俄歇电子能谱测定时，其Cu与Ni的原子数之比(Cu/Ni)在0.005以上。

公开(公告)号：CN100581325C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200610110912.X

申请日：2006-07-31

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 铃木裕二 ,  菊池勇贵 ,  座间悟

IPC: H05K3/38 ,  C09J9/02

Abstract: 本发明提供使用含低熔点金属的导电性糊料的层合电路基板，该层合电路基板中在铜箔与含低熔点金属的导电性糊料的交界面不发生空隙、裂缝，连接可靠性高。本发明的层合电路基板中，在铜箔或铜合金箔的至少一面的表面粗糙度为0.1μm～5μm的原料箔上形成由平均附着量在150mg/dm2以下、表面粗糙度为0.3～10μm的突起物构成的粗化处理层，在所述粗化处理铜箔的该粗化处理层上设有含低熔点金属的导电性糊料，所述表面处理铜箔与树脂基板层合。