-
公开(公告)号：CN110854100A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910343464.5
申请日：2019-04-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01F17/00 , H01F27/28
摘要： 本申请提供一种多端点电感器，包括：一半导体基底；一互连结构，设置在半导体基底上，互连结构具有多个金属层；一第一磁性层，设置在互连结构的一最上表面上；一导线，设置在第一磁性层上；一第一输入/输出(I/O)接合结构，在一第一位置从导线分岔；一第二I/O接合结构，在一第二位置从导线分岔，第二位置与第一位置间隔开；以及一第三I/O接合结构，第三I/O接合结构在第一位置与第二位置之间的一第三位置从导电线分岔，其中第三I/O接合结构与第一I/O接合结构之间的一连接具有一第一电感，以及第一I/O接合结构与第二I/O接合结构之间的一替代连接具有一第二电感，第二电感大于第一电感。
-
公开(公告)号：CN106560920A
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201610707070.X
申请日：2016-08-23
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/5227 , H01L21/0273 , H01L21/288 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L21/7684 , H01L21/76879 , H01L23/3171 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2224/11 , H01L21/768
摘要： 本发明实施例提供了一种具有超厚金属(UTM)的半导体结构。半导体结构包括衬底；位于衬底上方的金属层；以及位于金属层上方的UTM。UTM的面积密度大于40％和UTM的厚度等于或大于6微米。本发明提供了一种用于制造具有UTM的半导体结构的方法。方法包括：通过第一掩模将介电层图案化为具有多个沟槽，通过第二掩模图案化设置在相邻的沟槽之间的台面上的光刻胶，以及在多个沟槽中选择性地镀导电材料。本发明实施例涉及具有超厚金属的半导体结构和制造方法。
-
公开(公告)号：CN102456665B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201110312112.7
申请日：2011-10-14
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L27/08 , H01L21/768 , H01L21/02
CPC分类号： H01G4/005 , H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , Y10T29/43 , H01L2924/00
摘要： 用于金属-氧化物-金属电容器的保护结构，一种电容器结构包括第一组电极、第二组电极以及多个线插头。第一组电极具有第一电极和第二电极，第一电极和第二电极形成在多个金属化层中的第一金属化层中，其中，第一电极和第二电极通过绝缘材料间隔开。第二组电极具有第三电极和第四电极，第三电极和第四电极形成在多个金属化层中的第二金属化层中，其中，第三电极和第四电极通过绝缘材料间隔开。多个线插头将第二组电极连接到第一组电极。
-
公开(公告)号：CN101533838B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810192971.5
申请日：2008-12-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/04 , H01L23/522
CPC分类号： H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种结合气隙和金属-氧化物-金属(MOM)电容器的集成电路结构被揭示。集成电路结构包括：半导体衬底；覆盖在半导体衬底之上的第一金属化层；在第一金属化层中的第一金属结构；覆盖在第一金属化层之上的第二金属化层；在第二金属化层中的第二金属结构，其中，第一和第二金属结构为非电容器结构；MOM电容器，它在第一和第二金属化层中的至少一个中具有一个区域；和，在第一金属化层中的、在第一金属结构之间的一个气隙。
-
公开(公告)号：CN101409283A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810098183.X
申请日：2008-05-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/108 , H01L27/12
CPC分类号： H01L27/11568 , H01L23/5223 , H01L27/0629 , H01L27/105 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种半导体结构，包括具有增大的电容量与改善的电性的电容。该半导体结构包含有一衬底和位于此衬底的一电容。该电容包含有一第一材料层，该第一材料层包含有一第一电容电极和一第二电容电极，其中第一电容电极由含金属材料所形成且未含有多晶硅。该半导体结构还包含有一金属氧化物半导体(MOS)组件，该金属氧化物半导体组件包含有位于衬底上的一栅极电介质层，以及位于此栅极电介质层上的一含金属栅极电极，其中该含金属栅极电极由与第一电容电极相同的材料与厚度所形成。
-
公开(公告)号：CN101174623A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710153396.3
申请日：2007-09-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L23/522 , H01L23/528
CPC分类号： H01L27/0805 , H01G4/38 , H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种集成电路装置与电容器对，该集成电路装置包括电容器阵列，其具有排列成行与列的单位电容器，其中每个单位电容器由两电性绝缘的电容板组成。单位电容器具有至少一第一单位电容器，位于电容器阵列的每一列与每一行中，至少一第一单位电容器彼此互相电性连接，其中电容器阵列的每一行如同其它行与列，具有相同数量的至少一第一单位电容器，并且其中电容器阵列的每一列如同其它列与行，具有相同数量的至少一第一单位电容器。单位电容器还具有至少一第二单位电容器，位于上述电容器阵列的每一列与每一行中，其中至少一第二单位电容器彼此互相电性连接且平均分布于电容器阵列中。
-
公开(公告)号：CN100353561C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410057104.2
申请日：2004-08-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L23/5222 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种金属在金属上(MOM)的组件及其制造方法。该组件具有至少一组件单元位于一包含一框架部分以及一受到该框架部分所围绕的中心部分的第一层别上；该中心部分具有一十字型中心处以定义该框架与中心部分为四个空间象限。该中心部分具有一或一个以上中心指状物，每一中心指状物由其至少四个末端中的一末端于一象限中延伸；该框架部分也同样具有一或一个以上的框架指状物自此处延伸，每一框架指状物位于一象限中且不与位于同象限的中心指状物重迭。
-
公开(公告)号：CN1819194A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510087360.0
申请日：2005-07-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L23/5223 , H01L23/5225 , H01L27/0805 , H01L27/0808 , H01L28/40 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明是有关于一种电容元件，可于一集成电路的相同布局区域中，选择性结合金属－绝缘层－金属(MIM)、金属－氧化层－金属(MOM)和变容二极管区域，两或多种电容区域形式，被垂直安排于一基板上用以形成一电容元件，此可在不占据额外布局区域的情况下，增加此电容元件每单位的电容值。
-
公开(公告)号：CN2731716Y
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200420084368.2
申请日：2004-08-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L23/5222 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种金属在金属上(MOM)的组件。该组件具有至少一组件单元位于一包含一框架部分以及一受到该框架部分所围绕的中心部分的第一层别上；该中心部分具有一十字型中心处以定义该框架与中心部分为四个空间象限。该中心部分具有一或一个以上中心指状物，每一中心指状物由其至少四个末端中的一末端于一象限中延伸；该框架部分也同样具有一或一个以上的框架指状物自此处延伸，每一框架指状物位于一象限中且不与位于同象限的中心指状物重迭。
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
29 条记录 (耗时 0.042 秒)
