-
公开(公告)号：CN116093026A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210765453.8
申请日：2022-07-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及半导体器件的栅极结构及其形成方法。提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法包括形成从衬底延伸的鳍。在鳍之上形成虚设栅极。虚设栅极沿着鳍的侧壁和顶表面延伸。去除虚设栅极以形成凹部。在凹部中形成替换栅极。形成替换栅极包括沿着凹部的侧壁和底部形成界面层。在界面层之上形成偶极层。偶极层包括金属原子。在偶极层中引入氟原子。将来自偶极层的氟原子和金属原子驱动到界面层中。去除偶极层。
-
公开(公告)号：CN115528101A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211054967.9
申请日：2022-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/41 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本文揭示了半导体装置和制造半导体装置的方法。此方法包括在半导体材料的多层堆叠中形成纳米结构。围绕纳米结构形成层间介电质，并且围绕层间介电质形成栅极介电质。在栅极介电质上方形成第一功函数层。一旦形成了第一功函数层，对所得的结构执行退火工艺，并且氧从栅极介电质扩散到层间介电质内。在执行退火工艺之后，在邻近第一功函数层处形成第二功函数层。经由在第二功函数层上方沉积导电性填充材料，在纳米结构上方形成纳米场效晶体管装置的栅极电极堆叠。
-
公开(公告)号：CN115376999A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210196667.8
申请日：2022-03-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本申请公开了具有无铝功函数层的NFET及其形成方法。一种方法包括在半导体区域之上形成虚设栅极堆叠，在虚设栅极堆叠的一侧上形成源极/漏极区域，去除虚设栅极堆叠以形成沟槽，沉积延伸到沟槽中的栅极电介质层，在栅极电介质层之上沉积含金属层，以及在含金属层上沉积含硅层。含金属层和含硅层共同用作功函数层。执行平坦化工艺以去除含硅层、含金属层和栅极电介质层的多余部分，其中，含硅层、含金属层和栅极电介质层的剩余部分形成栅极堆叠。
-
公开(公告)号：CN110379713B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201811623153.6
申请日：2018-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/088
Abstract: 总体地，本发明提供了涉及调整晶体管器件中的阈值电压和由此形成的晶体管器件的示例性实施例。描述了实现用于调整阈值电压的各种机制的各个实例。在示例性方法中，在衬底的器件区域中的有源区上方沉积栅极介电层。在器件区域中的栅极介电层上方沉积偶极层。将偶极掺杂物质从偶极层扩散至器件区域中的栅极介电层内。本发明的实施例涉及用于阈值电压调整的方法和由此形成的结构。
-
公开(公告)号：CN114597258A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202110539991.0
申请日：2021-05-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/49 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本申请涉及晶体管栅极结构及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：第一纳米结构；第二纳米结构；包围第一纳米结构和第二纳米结构的栅极电介质，栅极电介质包含电介质材料；以及栅极电极，栅极电极包括：在栅极电介质上的功函数调谐层，功函数调谐层包含纯功函数金属，功函数调谐层的纯功函数金属和栅极电介质的电介质材料将第一纳米结构与第二纳米结构之间的区域完全填充，纯功函数金属具有大于95％原子百分比的金属的成分；以及在功函数调谐层上的填充层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113764411A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110083820.1
申请日：2021-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本申请涉及晶体管中的栅极结构及其形成方法。一种器件包括：第一纳米结构；第二纳米结构，在第一纳米结构之上；第一高k栅极电介质，围绕第一纳米结构；第二高k栅极电介质，围绕第二纳米结构；以及栅极电极，在第一高k栅极电介质和第二高k栅极电介质之上。栅极电极包括：第一功函数金属；第二功函数金属，在第一功函数金属之上；以及第一金属残留物，在第一功函数金属与第二功函数金属之间的界面处，其中，第一金属残留物具有与第一功函数金属的金属元素不同的金属元素。
-
公开(公告)号：CN113555278A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110032305.0
申请日：2021-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本公开涉及栅极电极沉积及由其形成的结构。一种方法包括使用原子层沉积工艺在栅极电介质层之上沉积第一功函数调谐层。原子层沉积工艺包括：沉积一个或多个第一氮化物单层；以及在一个或多个第一氮化物单层之上沉积一个或多个碳化物单层。该方法还包括：沉积第一功函数调谐层的粘合层；以及在粘合层之上沉积导电材料。
-
公开(公告)号：CN113488434A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110063658.7
申请日：2021-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 本公开涉及使用相同功函数材料的复合功函数层的形成。方法包括在半导体区上形成栅极电介质层，和使用第一含铝前驱物沉积第一含铝功函数层。所述第一含铝功函数层在所述栅极电介质层上方。使用第二含铝前驱物沉积第二含铝功函数层，所述第二含铝前驱物不同于所述第一含铝前驱物。所述第二含铝功函数层沉积在所述第一含铝功函数层上方。在所述第二含铝功函数层上方形成传导区。
-
公开(公告)号：CN113345893A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202011389575.9
申请日：2020-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及晶体管栅极及其形成方法。一种器件包括：第一纳米结构；第二纳米结构，第二纳米结构位于第一纳米结构之上；第一高k栅极电介质，第一高k栅极电介质围绕第一纳米结构设置；第二高k栅极电介质，第二高k栅极电介质围绕第二纳米结构设置；以及栅极电极，栅极电极位于第一高k栅极电介质和第二高k栅极电介质之上。栅极电极中位于第一纳米结构和第二纳米结构之间的部分包括填充第一高k栅极电介质和第二高k栅极电介质之间的区域的p型功函数金属的第一部分。
-
公开(公告)号：CN113206083A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202011383732.5
申请日：2020-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及晶体管栅极及形成方法。一种器件包括：第一纳米结构；第二纳米结构，在第一纳米结构之上；第一高k栅极电介质，在第一纳米结构周围；第二高k栅极电介质，在第二纳米结构周围；以及栅极电极，在第一高k栅极电介质和第二高k栅极电介质之上。栅极电极在第一纳米结构和第二纳米结构之间的部分包括：第一p型功函数金属；阻挡材料，在第一p型功函数金属之上；以及第二p型功函数金属，在阻挡材料之上，该阻挡材料将第一p型功函数金属与第二p型功函数金属实体分离。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
59
records
(took 0.04 seconds)
