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公开(公告)号：CN107017157B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201610903179.0
申请日：2016-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/49
Abstract: 一种提供(例如，功函层的)预沉积处理以完成功函调整的方法和结构。在各个实施例中，在衬底上方形成栅极介电层，以及在栅极介电层上方沉积功函金属层。功函金属层具有第一厚度。然后，可以实施功函金属层的预处理工艺，其中，预处理工艺从功函金属层的顶面去除被氧化层以形成处理的功函金属层。处理的功函金属层具有小于第一厚度的第二厚度。在各个实施例中，在实施预处理工艺之后，在处理的功函金属层上方沉积另一金属层。本发明实施例涉及原子层沉积方法及其结构。
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公开(公告)号：CN110838488A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910747774.3
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置与其形成方法，在一实施例中，该方法包括：形成栅极介电层于界面层上；形成掺杂层于栅极介电层上，且掺杂层包括偶极诱发元素；退火掺杂层以驱使偶极诱发元素穿过栅极介电层至栅极介电层与界面层相邻的第一侧；移除掺杂层；形成牺牲层于栅极介电层上，与栅极介电层跟牺牲层相邻的第二侧的残留的偶极诱发元素与牺牲层的材料反应；移除牺牲层；形成盖层于栅极介电层上；以及形成栅极层于盖层上。
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公开(公告)号：CN107017156A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610900912.3
申请日：2016-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L21/28176 , H01L21/28556 , H01L21/67167 , H01L27/0886 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/78
Abstract: 一种用于提供(例如，功函层的)预沉积处理以完成功函调整的方法和结构。在各个实施例中，在衬底上方形成栅极介电层以及在栅极介电层上方沉积功函金属层。之后，实施功函金属层的基于氟的处理，其中，基于氟的处理从功函金属层的顶面去除氧化层以形成处理的功函金属层。在一些实施例中，在实施基于氟的处理之后，在处理的功函金属层上方沉积另一金属层。本发明实施例涉及原子层沉积方法及其结构。
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公开(公告)号：CN110838488B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201910747774.3
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置与其形成方法，在一实施例中，该方法包括：形成栅极介电层于界面层上；形成掺杂层于栅极介电层上，且掺杂层包括偶极诱发元素；退火掺杂层以驱使偶极诱发元素穿过栅极介电层至栅极介电层与界面层相邻的第一侧；移除掺杂层；形成牺牲层于栅极介电层上，与栅极介电层跟牺牲层相邻的第二侧的残留的偶极诱发元素与牺牲层的材料反应；移除牺牲层；形成盖层于栅极介电层上；以及形成栅极层于盖层上。
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公开(公告)号：CN110556292B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910103532.0
申请日：2019-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 此处所述的实施例关于对半导体基板上的不同晶体管的金属栅极中所用的材料进行预沉积处理。在一实施例中，方法包括暴露第一装置的第一含金属层与第二装置的第二含金属层至反应物，以分别形成多个单层于第一含金属层与第二含金属层上。第一装置与第二装置位于基板上。第一装置包括第一栅极结构，且第一栅极结构包括第一含金属层。第二装置包括第二栅极结构，且第二栅极结构包括第二含金属层，而第一含金属层与第二含金属层不同。暴露第一含金属层与第二含金属层上的单层至氧化剂，以提供单层所用的羟基封端表面。之后形成第三含金属层于第一含金属层与第二含金属层上的单层的羟基封端表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106409651B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201510784312.0
申请日：2015-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/28088 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/45525 , H01L21/28562 , H01L21/321 , H01L21/76843 , H01L21/76856 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了预沉积处理和原子层沉积(ALD)工艺及其形成的结构。描述了各种方法和通过这些方法形成的结构。根据一种方法，第一含金属层形成在衬底上。第二含金属层形成在衬底上。第一含金属层的材料不同于第二含金属层的材料。对第一含金属层和第二含金属层执行基于氯的处理。使用原子层沉积(ALD)在第一含金属层和第二含金属层上沉积第三含金属层。
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公开(公告)号：CN110379713B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201811623153.6
申请日：2018-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/088
Abstract: 总体地，本发明提供了涉及调整晶体管器件中的阈值电压和由此形成的晶体管器件的示例性实施例。描述了实现用于调整阈值电压的各种机制的各个实例。在示例性方法中，在衬底的器件区域中的有源区上方沉积栅极介电层。在器件区域中的栅极介电层上方沉积偶极层。将偶极掺杂物质从偶极层扩散至器件区域中的栅极介电层内。本发明的实施例涉及用于阈值电压调整的方法和由此形成的结构。
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公开(公告)号：CN106992118B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201610900900.0
申请日：2016-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了预沉积处理(例如，功函层的)以完成功函调节的方法和结构。在各个实施例中，在衬底上方形成栅极介电层并且在栅极介电层上方沉积功函金属层。在一些实施例中，实施包括功函金属层的预处理工艺的第一原位工艺。例如，预处理工艺去除了功函金属层的氧化层以形成处理的功函金属层。在一些实施例中，在实施第一原位工艺之后，实施包括在处理的功函金属层上方的另一金属层的沉积工艺的第二原位工艺。本发明的实施例还涉及半导体器件制造的方法和处理系统。
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公开(公告)号：CN110556375A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910015670.3
申请日：2019-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体结构，具有可调整临界电压的栅极结构。半导体装置结构的各种几何形状可以改变以调整临界电压。在一些示例中，可以改变从鳍片的顶部至栅极结构的顶部的距离以调整临界电压。在一些示例中，可以改变从栅极结构的最外侧壁至相应最外侧壁的最近的鳍片的相应最近的侧壁的距离(相应的栅极结构覆盖最近的鳍片)，以调整临界电压。
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公开(公告)号：CN107017157A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610903179.0
申请日：2016-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/49
Abstract: 一种提供(例如，功函层的)预沉积处理以完成功函调整的方法和结构。在各个实施例中，在衬底上方形成栅极介电层，以及在栅极介电层上方沉积功函金属层。功函金属层具有第一厚度。然后，可以实施功函金属层的预处理工艺，其中，预处理工艺从功函金属层的顶面去除被氧化层以形成处理的功函金属层。处理的功函金属层具有小于第一厚度的第二厚度。在各个实施例中，在实施预处理工艺之后，在处理的功函金属层上方沉积另一金属层。本发明实施例涉及原子层沉积方法及其结构。
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