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公开(公告)号：CN115207107A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210377827.9
申请日：2022-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及半导体栅极及其形成方法。一种半导体器件，包括：纳米片，在源极/漏极区域之间；以及栅极结构，在衬底之上且在源极/漏极区域之间，该栅极结构包括：栅极电介质材料，围绕每个纳米片；功函数材料，围绕栅极电介质材料；第一帽盖材料，围绕功函数材料；第二帽盖材料，围绕第一帽盖材料，其中第二帽盖材料在纳米片之间的第一位置处比在沿着纳米片的侧壁的第二位置处更厚；以及栅极填充材料，在第二帽盖材料之上。
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公开(公告)号：CN114823672A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110779123.X
申请日：2021-07-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开总体涉及半导体器件及方法。实施例包括一种器件，其具有位于衬底上的纳米结构，纳米结构包括沟道区域。该器件还包括栅极电介质层，围绕每个纳米结构。该器件还包括第一功函数调整层，位于栅极电介质层上，该第一功函数调整层包括第一n型功函数金属、铝和碳，该第一n型功函数金属的功函数值小于钛。该器件还包括粘合层，位于第一功函数调整层上。该器件还包括填充层，位于粘合层上。
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公开(公告)号：CN114597208A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202110549995.7
申请日：2021-05-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种器件包括：p型晶体管，该p型晶体管包括：第一沟道区域；第一栅极电介质层，其位于第一沟道区域上；含钨功函数调整层，其位于第一栅极电介质层上；以及第一填充层，其位于含钨功函数调整层上；以及n型晶体管，该n型晶体管包括：第二沟道区域；第二栅极电介质层，其位于第二沟道区域上；无钨功函数调整层，其位于第二栅极电介质层上；以及第二填充层，其位于无钨功函数调整层上。
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公开(公告)号：CN113270403A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010894273.0
申请日：2020-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。公开了一种具有不同栅极结构配置的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：设置在衬底上的鳍结构；设置在所述鳍结构上的纳米结构沟道区域；以及栅极环绕式(GAA)结构，围绕所述纳米结构沟道区域。所述GAA结构包括：具有金属掺杂区域的高K(HK)栅极电介质层，所述金属掺杂区域具有第一金属材料的掺杂剂；设置在所述HK栅极电介质层上的p型功函数金属(pWFM)层；插入在所述HK栅极电介质层和所述pWFM层之间的双金属氮化物层；设置在所述pWFM层上的n型功函数金属(nWFM)层；以及设置在所述nWFM层上的栅极金属填充层。所述pWFM层包括第二金属材料，并且所述双金属氮化物层包括所述第一金属材料和所述第二金属材料。
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公开(公告)号：CN113053885A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010638792.0
申请日：2020-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本申请公开了半导体器件和方法。公开了一种包括围绕功函数金属层的阻挡层的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：半导体衬底；第一沟道区域，位于半导体衬底之上；第二沟道区域，位于第一沟道区域之上；栅极电介质层，围绕第一沟道区域和第二沟道区域；功函数金属层，围绕栅极电介质层；以及阻挡层，围绕功函数金属层，围绕第一沟道区域的第一阻挡层与围绕第二沟道区域的第二阻挡层融合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111816564A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201910728437.X
申请日：2019-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/28
Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。公开了半导体器件和制造方法。提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。在实施例中，使用处理工艺以将硅引入p-金属功函数层。通过将硅引入p-金属功函数层，可以防止可能包括诸如铝之类的可扩散材料的随后沉积的层扩散通过p-金属功函数层并影响器件的工作。
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公开(公告)号：CN107017157B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201610903179.0
申请日：2016-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/49
Abstract: 一种提供(例如，功函层的)预沉积处理以完成功函调整的方法和结构。在各个实施例中，在衬底上方形成栅极介电层，以及在栅极介电层上方沉积功函金属层。功函金属层具有第一厚度。然后，可以实施功函金属层的预处理工艺，其中，预处理工艺从功函金属层的顶面去除被氧化层以形成处理的功函金属层。处理的功函金属层具有小于第一厚度的第二厚度。在各个实施例中，在实施预处理工艺之后，在处理的功函金属层上方沉积另一金属层。本发明实施例涉及原子层沉积方法及其结构。
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公开(公告)号：CN107017156A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610900912.3
申请日：2016-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L21/28176 , H01L21/28556 , H01L21/67167 , H01L27/0886 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/78
Abstract: 一种用于提供(例如，功函层的)预沉积处理以完成功函调整的方法和结构。在各个实施例中，在衬底上方形成栅极介电层以及在栅极介电层上方沉积功函金属层。之后，实施功函金属层的基于氟的处理，其中，基于氟的处理从功函金属层的顶面去除氧化层以形成处理的功函金属层。在一些实施例中，在实施基于氟的处理之后，在处理的功函金属层上方沉积另一金属层。本发明实施例涉及原子层沉积方法及其结构。
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公开(公告)号：CN111816564B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN201910728437.X
申请日：2019-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。公开了半导体器件和制造方法。提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。在实施例中，使用处理工艺以将硅引入p‑金属功函数层。通过将硅引入p‑金属功函数层，可以防止可能包括诸如铝之类的可扩散材料的随后沉积的层扩散通过p‑金属功函数层并影响器件的工作。
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公开(公告)号：CN115050807A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210344583.4
申请日：2022-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本文所述的一些实施例提供一种晶体管及其制造方法。此方法包含形成晶体管的通道结构。此方法包含形成包含铝和碳的功函数材料在通道结构周围。形成功函数材料在通道结构周围包含施加化学浸泡液，其中化学浸泡液的材料包含铝、碳及氢基材料。功函数材料包含的钛的浓度为功函数材料的0％至小于1.5％。本文所述的一些实施例提供一种晶体管。晶体管包含通道结构及设置在通道结构周围的碳化铝(AlC)基功函数材料。功函数材料包含的钛的浓度为功函数材料的0％至小于1.5％。
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