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公开(公告)号：CN111834362B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010291750.4
申请日：2020-04-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 集成电路，包括：第一单元和第二单元。沿着第一方向具有第一单元高度的第一单元包括第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域在与第一方向不同的第二方向上延伸。在布局图中，第一有源区域与第二有源区域重叠。具有第二单元高度的第二单元包括第一多个有源区域和第二多个有源区域。第一多个有源区域和第二多个有源区域在第二方向上延伸，并且在布局图中，第一多个有源区域分别与所述第二多个有源区域重叠。第一单元邻接第二单元，并且在布局图中，第一有源区域与所述第一多个有源区域中的一个对准。本申请的实施例还涉及制造集成电路的方法。
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公开(公告)号：CN113690216B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111005849.4
申请日：2017-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 集成电路结构包括栅极结构组、第一导电结构、第一组通孔和第二组通孔，以及第一组导电结构。该栅极结构组位于第一层级处。第一导电结构在第一方向上延伸，与该栅极结构组重叠并且位于第二层级处。第一组通孔位于栅极结构组和第一导电结构之间。第一组通孔将该栅极结构组连接至第一导电结构。第一组导电结构在第二方向上延伸，与第一导电结构重叠并且位于第三层级处。第二组通孔将第一组导电结构连接至第一导电结构，并且位于第一组导电结构和第一导电结构之间。
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公开(公告)号：CN113299609B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202110502362.0
申请日：2021-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/02 , H01L27/092 , G06F30/392
Abstract: 一种半导体器件包括具有有源区的半导体衬底和设置在半导体衬底下方的第一掩埋金属层。该第一掩埋金属层包括第一掩埋导电轨、从第一掩埋导电轨延伸的第一组掩埋导电指和与第一组掩埋导电指交错的第二组掩埋导电指。第一组和第二组掩埋导电指在有源区中的多于一个下方延伸。以这种方式，第一组和第二组掩埋导电指可用于在具有减小的电阻的首标电路中分配不同电压，诸如非门控参考电压TVDD和门控参考电压VVDD。本发明的实施例还公开了制造半导体器件的方法以及用于生成布局图的系统。
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公开(公告)号：CN110660800B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201910569802.7
申请日：2019-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/02
Abstract: 半导体器件包括：多个鳍，基本上平行于第一方向延伸；多个鳍中的至少一个鳍是伪鳍；以及多个鳍中的至少一个鳍是有源鳍；以及至少一个栅极结构，形成在多个鳍中的相应鳍上方并基本上平行于第二方向延伸，第二方向基本上垂直于第一方向；以及其中，多个鳍和至少一个栅极结构位于包括奇数个鳍的单元区域中。在实施例中，单元区域基本上是矩形的并且具有基本上平行于第一方向的第一边缘和第二边缘；以及第一边缘和第二边缘都不与多个鳍中的任一个重叠。
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公开(公告)号：CN113889464A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202011634686.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/8238
Abstract: 本发明的实施例提供了一种集成电路、集成电路上的电源门控单元及其制造方法。电源门控单元包括：中心区域；围绕中心区域的周边区域；第一有源区域位于中心区域，所述第一有源区域在第一方向上具有第一宽度，所述第一宽度对应于在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的至少四个鳍结构；多个第二有源区域位于周边区域中，每个第二有源区域在第一方向上具有第二宽度，该第二宽度对应于在第二方向上延伸的至少一个且不超过三个的鳍结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113594156A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110480078.8
申请日：2021-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 半导体器件包括衬底、栅极结构、源极/漏极结构、后侧通孔和电源轨。栅极结构沿着与衬底的前侧表面平行的第一方向延伸。后侧通孔沿着与衬底的前侧表面平行但垂直于第一方向的第二方向延伸，后侧通孔具有沿着第一方向与源极/漏极结构中的一个对准的第一部分和沿着第一方向与栅极结构对准的第二部分，后侧通孔的第一部分沿着第一方向具有第一宽度，并且后侧通孔的第二部分沿着第一方向具有第二宽度，其中第一宽度大于第二宽度。电源轨位于衬底的后侧表面上，并且与后侧通孔接触。本发明的实施例还涉及半导体器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN113268945A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110164347.X
申请日：2021-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 一种制造集成电路的方法包括以下步骤：产生集成电路的单元的布局图；及将产生的布局图储存在非暂时性计算机可读媒体上。在产生该单元的布局图的步骤中，在单元的边界内配置第一主动区域。第一主动区域沿着第一方向延伸。在边界内配置至少一个栅极区域。至少一个栅极区域沿着横切第一方向的第二方向跨越第一主动区域延伸。配置第一导电区域以与第一主动区域及边界的第一边缘重叠。第一导电区域用以形成至第一主动区域的电连接。
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公开(公告)号：CN107564904B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201710524957.X
申请日：2017-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/105 , H01L27/088
Abstract: 本发明公开了一种集成电路，包括至少一个第一有源区、与所述第一有源区邻近的至少一个第二有源区以及多个第三有源区。第一有源区和第二有源区被交错。第三有源区设置为与所述第一有源区邻近，其中所述第三有源区基本互相对准。本发明还提供了集成电路布局及其配置方法。
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公开(公告)号：CN111834362A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010291750.4
申请日：2020-04-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 集成电路，包括：第一单元和第二单元。沿着第一方向具有第一单元高度的第一单元包括第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域在与第一方向不同的第二方向上延伸。在布局图中，第一有源区域与第二有源区域重叠。具有第二单元高度的第二单元包括第一多个有源区域和第二多个有源区域。第一多个有源区域和第二多个有源区域在第二方向上延伸，并且在布局图中，第一多个有源区域分别与所述第二多个有源区域重叠。第一单元邻接第二单元，并且在布局图中，第一有源区域与所述第一多个有源区域中的一个对准。本申请的实施例还涉及制造集成电路的方法。
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公开(公告)号：CN111816655A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010274127.8
申请日：2020-04-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种集成电路包括第一晶体管、第二晶体管和第一绝缘层。第一晶体管设置在第一层中并且包括第一栅极。第二晶体管设置在第一层上方的第二层中，并且包括第二栅极。第一栅极和第二栅极在第一方向上彼此分离。第一绝缘层设置在第一晶体管的第一栅极和第二晶体管的第二栅极之间。第一绝缘层配置为将第一晶体管的第一栅极与第二晶体管的第二栅极电绝缘。本发明的实施例还涉及形成集成电路的方法。
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