公开(公告)号：CN110692125A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201880036392.3

申请日：2018-05-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的实施方式的有源矩阵基板具备：基板；多个第1TFT，其支撑于基板，设置在非显示区域；以及周边电路，其包含多个第1TFT。各第1TFT具有：第1栅极电极，其设置在基板上；第1栅极绝缘层，其覆盖第1栅极电极；第1氧化物半导体层，其隔着第1栅极绝缘层与第1栅极电极相对；以及第1源极电极和第1漏极电极，其连接到第1氧化物半导体层的源极接触区域和漏极接触区域。各第1TFT具有底部接触结构。第1栅极绝缘层的与沟道区域重叠的第1区域的厚度比第1栅极绝缘层的与源极接触区域和漏极接触区域重叠的第2区域的厚度小。

公开(公告)号：CN105765729B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201480064634.1

申请日：2014-08-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  金子诚二 ,  神崎庸辅 ,  高丸泰 ,  井手启介 ,  松尾拓哉 ,  森重恭 ,  松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体装置(100)在基板上包括：多个氧化物半导体TFT，该氧化物半导体TFT具有第一栅极电极(12)、与第一栅极电极接触的第一绝缘层(20)、以隔着第一绝缘层与第一栅极电极相对的方式配置的氧化物半导体层(16)以及与氧化物半导体层连接的源极电极(14)和漏极电极(15)；和仅覆盖多个氧化物半导体TFT中的一部分的氧化物半导体TFT的有机绝缘层(24)，多个氧化物半导体TFT包括被有机绝缘层覆盖的第一TFT(5A)和没有被有机绝缘层覆盖的第二TFT(5B)，第二TFT包括以隔着第二绝缘层(22)与氧化物半导体层相对的方式配置的第二栅极电极(17)，该第二栅极电极(17)配置成在从基板法线方向看时隔着氧化物半导体层与第一栅极电极的至少一部分重叠。

公开(公告)号：CN109716533A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780057618.3

申请日：2017-09-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30

Abstract: 半导体装置(100A)具备：基板(1)；第1栅极电极(2)，其设置在基板上；第1栅极绝缘层(3)，其覆盖第1栅极电极；第1氧化物半导体层(4)，其隔着第1栅极绝缘层与第1栅极电极相对；第1源极电极(5)和第1漏极电极(6)，其电连接到第1氧化物半导体层；第2栅极绝缘层(7)，其覆盖第1氧化物半导体层；第2栅极电极(8)，其隔着第2栅极绝缘层与第1氧化物半导体层相对；第3栅极绝缘层(9)，其覆盖第2栅极电极；第2氧化物半导体层(10)，其隔着第3栅极绝缘层与第2栅极电极相对；以及第2源极电极(11)和第2漏极电极(12)，其电连接到第2氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN108780758A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780018533.4

申请日：2017-03-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

Abstract: 半导体装置(100)具备基板(1)和薄膜晶体管(10)。薄膜晶体管具有：氧化物半导体层(11)，其包含沟道区域(11a)以及第1、第2接触区域(11b、11c)；栅极绝缘层(12)，其设置为覆盖氧化物半导体层；栅极电极(13)，其设置在栅极绝缘层上，隔着栅极绝缘层与沟道区域重叠；源极电极(14)，其与第1接触区域电连接；以及漏极电极(15)，其与第2接触区域电连接。半导体装置还具备配置在氧化物半导体层与基板之间的遮光层(2)，沟道区域是与遮光层中的与氧化物半导体层重叠的部分对齐的。

公开(公告)号：CN104103668B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201410144456.5

申请日：2014-04-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 肥塚纯一 ,  片山雅博 ,  岛行德 ,  冈崎健一 ,  松尾拓哉 ,  森重恭 ,  神崎庸辅 ,  松木园广志

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明的显示装置，包括：像素部（104）；以及设置在所述像素部（104）外侧的驱动电路部（106），其中，所述像素部包括像素晶体管、覆盖所述像素晶体管且包含无机材料的第一绝缘层（122）、设置在所述第一绝缘层上且包含有机材料的第二绝缘层（124）、设置在所述第二绝缘层上且包含无机材料的第三绝缘层（128），所述驱动电路部包括对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管、覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘层，并且，在所述驱动电路部中没有形成所述第二绝缘层。从而在抑制晶体管的电特性变动的同时，提高其可靠性。

公开(公告)号：CN103262250B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201180059369.4

申请日：2011-12-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/312 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/15 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/46 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的半导体装置包括：形成在基板(60)上的薄膜晶体管(10)的栅极电极(62)和供氧层(64)；形成在栅极电极(62)和供氧层(64)之上的栅极绝缘层(66)；形成在栅极绝缘层(66)之上的薄膜晶体管(10)的氧化物半导体层(68)；和配置在栅极绝缘层(66)和氧化物半导体层(68)之上的薄膜晶体管(10)的源极电极(70S)和漏极电极(70d)。

公开(公告)号：CN103545318A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310302897.9

申请日：2013-07-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 山崎舜平 ,  坂本直哉 ,  佐藤贵洋 ,  越冈俊介 ,  长隆之 ,  山元良高 ,  松尾拓哉 ,  松木园广志 ,  神崎庸辅

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/77 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/201

Abstract: 本发明的一个方式提供如下半导体装置：使用氧化物半导体膜，将含有铜的金属膜用于布线或信号线等，具有稳定的电特性且高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；形成在该栅电极上的栅极绝缘膜；与该栅极绝缘膜接触且包含与该栅电极重叠的沟道形成区域的氧化物半导体膜：形成在该氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在该氧化物半导体膜、该源电极以及该漏电极上的氧化物绝缘膜，该源电极及该漏电极都包括：在该沟道形成区域的两端具有其一个端部的第一金属膜；形成在该第一金属膜上的含有铜的第二金属膜；形成在该第二金属膜上的第三金属膜，该第二金属膜形成在该第一金属膜的一个端部的内侧。

公开(公告)号：CN103492938A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280017469.5

申请日：2012-04-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/52

Abstract: 提供一种能够在抑制显示品质下降的同时提高薄膜晶体管的可靠性的液晶显示面板。漏极电极(125d)与G用像素电极(130g)连接的G用TFT(120g)，相对于该G用像素电极(130g)，配置于B用像素电极(130b)的相反侧。漏极电极(125d)与B用像素电极(130b)连接的B用TFT(120b)和该B用像素电极(130b)的距离，大于漏极电极(125d)与G用像素电极(130g)连接的G用TFT(120g)和该G用像素电极(130g)的距离。漏极电极(125d)与R用像素电极(130r)连接的R用TFT(120r)和B用像素电极(130b)的距离，大于与B用像素电极(130b)连接的B用TFT(120b)和该B用像素电极(130b)的距离。

公开(公告)号：CN101636827B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200880008554.9

申请日：2008-02-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守屋由瑞 ,  中岛睦 ,  海瀬泰佳 ,  喜多诚 ,  松木园广志 ,  伊藤良行

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板。在本发明的有源矩阵基板(100)中，半导体层(110)具有与第一薄膜晶体管(130)的源极区域(132)相邻接的第一吸杂区域(112)；与第二薄膜晶体管(140)的漏极区域(146)相邻接的第二吸杂区域(114)；和第三吸杂区域(116)，其与薄膜晶体管元件(120)所包含的薄膜晶体管的源极区域和漏极区域中位于第一薄膜晶体管(130)的沟道区域(134)与第二薄膜晶体管(140)的沟道区域(144)之间的源极区域和漏极区域中的任一个相邻接。

公开(公告)号：CN110692125B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201880036392.3

申请日：2018-05-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的实施方式的有源矩阵基板具备：基板；多个第1TFT，其支撑于基板，设置在非显示区域；以及周边电路，其包含多个第1TFT。各第1TFT具有：第1栅极电极，其设置在基板上；第1栅极绝缘层，其覆盖第1栅极电极；第1氧化物半导体层，其隔着第1栅极绝缘层与第1栅极电极相对；以及第1源极电极和第1漏极电极，其连接到第1氧化物半导体层的源极接触区域和漏极接触区域。各第1TFT具有底部接触结构。第1栅极绝缘层的与沟道区域重叠的第1区域的厚度比第1栅极绝缘层的与源极接触区域和漏极接触区域重叠的第2区域的厚度小。