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公开(公告)号：CN101553924B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200780045357.X
申请日：2007-11-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 提供一种非易失性半导体存储器件，该非易失性半导体存储器件通过使施加时间无差异地施加正负极性任意的电压，能够对可变电阻元件进行稳定的高速转换动作。该非易失性半导体存储器件包括：2端子结构的可变电阻元件，其通过在两端施加满足规定条件的电压，由该两端的电流电压特性限定的电阻特性可在稳定地取得的低电阻状态和高电阻状态这2个电阻特性之间转移，该可变电阻元件具有当施加绝对值为第一阈值电压以上的第一极性电压时、从低电阻状态转移到高电阻状态，当施加绝对值为第二阈值电压以上的第二极性的电压时、从高电阻状态转移到低电阻状态的特性；串联连接到可变电阻元件的可调整负载电阻的负载电路；和可在串联电路的两端施加电压的电压产生电路；其中，在该非易失性半导体存储器件中，通过调整负载电路的电阻就能在可变电阻元件的状态之间转移。
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公开(公告)号：CN102446548A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110292340.2
申请日：2011-09-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2013/0071 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/79
Abstract: 非易失性半导体存储器设备。非易失性半导体存储器设备包括用于存储用户数据的存储器单元阵列，其通过布置存储器单元提供，每个存储器单元具有可变电阻元件，该可变电阻元件具有第一电极2、第二电极3以及夹置在第一电极和第二电极之间由金属氧化物制成的可变电阻器4。第一和第二电极分别由与该可变电阻器4形成欧姆结的导电材料和与该可变电阻器4形成非欧姆结的导电材料形成。可变电阻器通过在电极之间施加电压在两个或更多不同电阻状态之间变化。变化之后的电阻状态以非易失性方式维持。在存储器单元阵列用于存储用户数据之前的未使用状态，存储器单元阵列中的所有存储器单元的可变电阻元件被设置为两个或更多不同电阻状态的最高电阻状态。
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公开(公告)号：CN101685828B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910178533.8
申请日：2009-09-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/005 , G11C13/0004 , G11C13/0011 , G11C13/0033 , G11C14/00 , G11C14/0045 , G11C2211/4016 , G11C2213/31 , H01L27/2436 , H01L27/2454 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及半导体存储装置。提供了一种廉价的高性能非易失性存储器，其能够无限次随机写入和读出。单位存储单元由MISFET(108)和电阻变化元件(113)构成，所述MISFET(108)具有与半导体衬底电隔离的沟道体，所述电阻变化元件具有一端与MISFET的漏极相连的二端子结构。MISFET(108)起易失性存储元件的作用，而电阻变化元件(113)起非易失性存储元件的作用，从而在电源关断之前MISFET(108)中所储存的信息被复制到电阻变化元件(113)，并且在电源接通时电阻变化元件中所储存的信息被传送到MISFET(108)，因而，MISFET(108)被用作能够随机写入和读出的易失性存储器。
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公开(公告)号：CN106537906B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201580038421.6
申请日：2015-07-08
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供与现有技术相比通用性高且能够使观察对象物质的状态可视化的摄像装置。摄像装置(1)具有滤光片部(111)、受光部(112)和图像处理部(13)。滤光片部(111)具有光谱透射特性不同的多个滤光片，使与观察对象物质的吸光光谱或荧光光谱对应的特定的波段的光透过。受光部(112)接受由滤光片部(111)透射的光，将接受的光由光电转换元件(112a)转换为电信号而输出。图像处理部(13)将从受光部(112)输出的电信号转换为可见光波段的信号输出向显示装置(2)。
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公开(公告)号：CN105518875A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480046696.X
申请日：2014-07-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/10 , G02B5/20 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14
CPC classification number: H01L31/02162 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L31/02164
Abstract: 本发明提供能够防止本来不透射的波长的光的异常透射、能够使光谱波形的半值宽度减小的光电转换装置及其制造方法。在基板(100)上形成第一光电转换元件(101)，在该第一光电转换元件(101)之上隔着绝缘膜(1、2、3)形成具有周期性或非周期性地配置的多个开口(41)的第一金属膜(31)。设置覆盖上述第一金属膜(31)的多个开口(41)的一部分的第二金属膜(32)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103035289B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210375954.1
申请日：2012-10-08
Applicant: 夏普株式会社 , 尔必达存储器股份有限公司
CPC classification number: G11C13/0028 , G11C13/0002 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，能够使向可变电阻元件的电压施加极性不同的2种写入工作后的各验证工作分别低功耗且高速地执行。写入电路（22）构成为能分别执行设定工作和重置工作，设定工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻低电阻化，重置工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻高电阻化，读出电路（21）构成为能够分别执行第1读出工作和第2读出工作，第1读出工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态，第2读出工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态。
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公开(公告)号：CN104568865A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410539344.X
申请日：2014-10-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明提供荧光检测装置和清扫机。本发明提供一种能够简便地搬运到各种场所和环境，并能够容易地对检测对象物质发出的特定波长的荧光进行检测的技术。荧光检测装置在能够携带的箱体中具备：照射部，该照射部向被摄体照射规定的波段的激发光；滤光片部，该滤光片部具有使被摄体相对于激发光发出的特定波长的荧光透过的荧光滤光片；受光部，该受光部接收透过荧光滤光片的荧光；和提示部，该提示部向用户提示基于受光部的受光结果的信息。
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公开(公告)号：CN103325939A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310093687.3
申请日：2013-03-22
Applicant: 夏普株式会社 , 尔必达存储器股份有限公司
CPC classification number: H01L45/126 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及可变电阻元件以及非易失性半导体存储装置。本发明实现一种动作裕度宽的高集成存储器。在第一电极（14）和第二电极（12）之间夹持包含金属氧化物的可变电阻体（13）而构成的可变电阻元件（1）中，在这样的金属氧化物中具有流过两电极（12、14）间的电流的电流密度局部高的电流路径，在两电极（12、14）中至少电阻率更高的一个特定电极的电阻率为100μΩcm以上的情况下，将这样的特定电极与可变电阻体（13）接触的接触区域的短边方向或短轴方向的尺寸（R）相对于特定电极的膜厚（d）设定为1.4倍以上。由此，降低起因于电极的加工偏差而在电极部分产生的寄生电阻的偏差，抑制起因于寄生电阻的偏差而产生的可变电阻元件的电阻变化特性的偏差。
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公开(公告)号：CN102339636A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110198320.9
申请日：2011-07-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C7/1048 , G11C7/12 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2213/79 , G11C2213/82
Abstract: 本发明涉及半导体存储装置及其驱动方法。在具有存储元件的半导体存储装置的改写中，从公用线侧也施加电压脉冲，故无法高速动作。半导体存储装置具有：存储单元阵列（100），矩阵状排列多个将二端子型的存储元件R和选择用的晶体管Q串连而成的存储单元；第一电压施加电路（101），对位线施加改写电压脉冲；第二电压施加电路（102），对位线及公用线施加预充电电压，其中在存储单元改写时，第二电压施加电路（102）预先将存储单元两端预充电为同一电压后，第一电压施加电路（101）将改写电压脉冲经位线施加在改写对象的存储单元的一端，并且在施加该改写电压脉冲期间，维持第二电压施加电路（102）经公用线对该存储单元另一端施加该预充电电压。
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公开(公告)号：CN101847647A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010126413.6
申请日：2010-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , H01L45/00
CPC classification number: H01L27/249 , G11C13/0007 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2454 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/1616
Abstract: 本发明提供具备大容量且能够廉价地制作的三维存储器单元阵列的非易失性半导体存储装置。在具备可变电阻元件的双端子型存储器单元的三维存储器单元阵列(1)中，在Z方向上邻接的存储器单元的各一端与分别在X及Y方向上配置多个，且在Z方向上延伸的中间选择线的一个连接，Z方向的相同位置的各存储器单元的另一端与在Z方向上配置多个的第三选择线的一个共通地连接，选择晶体管分别在X及Y方向上配置多个的二维阵列(2)与存储器单元阵列(1)在Z方向上邻接，在X方向上邻接的多个选择晶体管的栅与第一选择线共通地连接，在Y方向上邻接的多个选择晶体管的漏极与第二选择线共通地连接，多个选择晶体管的源极与中间选择线个别地连接，第一选择线与X解码器连接，第二选择线与Y解码器连接，第三选择线与Z解码器连接。
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