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公开(公告)号：CN101529339A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780037477.5
申请日：2007-11-12
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/31133
摘要： 提供了一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法。这种低蚀刻性光刻胶清洗剂包含(a)季胺氢氧化物，(b)二甲基亚砜，(c)通式见上述的烷基二醇芳基醚及其衍生物，其中R1为C6－18芳基；R2为H、C1－18烷基或C6－18芳基，m＝2－6，n＝1－6，(d)乙醇胺，(e)水和(f)缓蚀剂。该清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时能有效地抑制二氧化硅、Cu、Pb和Sn等金属以及低k材料等的腐蚀。
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公开(公告)号：CN101412948A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710047265.7
申请日：2007-10-19
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： C11D7/32 , H01L21/3065 , H01L21/304
摘要： 本发明公开了一种等离子刻蚀残留物清洗剂，其含有氟化物和水，还含有溶剂N－羟乙基吡咯烷酮。本发明的清洗剂对等离子刻蚀残留物具有高效的清洗能力，对低介质材料(如SiO2和PETEOS)和金属材料(如Ti、Al和Cu)等晶片基材有较低的蚀刻速率，低缺陷水平，且操作窗口宽，安全环保，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101373340A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200710045210.2
申请日：2007-08-23
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种光刻胶清洗剂，其含有：季铵氢氧化物、聚羧酸类缓蚀剂、芳基醇和/或其衍生物、二甲基亚砜和水。本发明的光刻胶清洗剂可有效除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它刻蚀残留物，同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料具有很低的腐蚀性，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101364056A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200710044790.3
申请日：2007-08-10
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C23F1/34 , C11D7/06 , C11D7/3218 , C11D7/34 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要： 本发明公开了一种光刻胶清洗剂，其含有：氢氧化钾、二甲基亚砜、季戊四醇和醇胺。本发明的光刻胶清洗剂可有效除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它残留物，同时对于Cu(铜)等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101286017A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200710039482.1
申请日：2007-04-13
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明公开了一种厚膜光刻胶清洗剂，其含有：二甲基亚砜、氢氧化钾、苯甲醇和/或其衍生物、季铵氢氧化物和烷基醇胺。本发明的厚膜光刻胶清洗剂可以除去金属、金属合金和电介质基材上的100μm以上厚度的厚膜光刻胶(光阻)，且同时对于二氧化硅、铜等金属和低k(介电常数)材料等具有较低的腐蚀性，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101201557A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200610147346.X
申请日：2006-12-15
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/06 , C11D7/263 , C11D7/3218 , C11D7/34 , C23G5/02893 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要： 本发明公开了一种清洗厚膜光刻胶的清洗剂。这种光刻胶清洗剂含有二甲基亚砜、氢氧化钾、烷基醇胺和烷基二醇单苯基醚。本发明的清洗剂可以除去金属、金属合金或电介质基材上的100μm以上厚度的厚膜光刻胶(光阻)，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101201556A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200610147345.5
申请日：2006-12-15
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D1/72 , C11D1/721 , C11D3/2072 , C11D3/30 , C23G5/02 , C23G5/02861 , G03F7/425
摘要： 本发明公开了一种低蚀刻性的光刻胶清洗剂，其特征在于含有：季胺氢氧化物，如式I所示的烷基二醇芳基醚或其衍生物，和如式II所示的苯乙酮或其衍生物；式I式II其中，R1为含6～18个碳原子的芳基；R2为H、C1～C18的烷基或含有6～18个碳原子的芳基；m＝2～6；n＝1～6；R5和R6为H、羟基、C1～C2的烷基、C1～C2的烷氧基或C1～C2的羟烷基。本发明的低蚀刻性光刻胶清洗剂可用于去除金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它残留物，同时对于二氧化硅、铜等金属以及低k材料等具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101187788A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200610118465.2
申请日：2006-11-17
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/06 , C11D7/261 , C11D7/3218 , C11D7/5009 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要： 本发明公开了一种低蚀刻性的适用于清洗较厚光刻胶的清洗液，其特征是含有氢氧化钾、二甲基亚砜、苯甲醇和乙醇胺。本发明的清洗液可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它残留物，尤其适用于较厚(厚度大于100微米)光刻胶的清洗，同时对于Cu(铜)等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101169597A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200610117667.5
申请日：2006-10-27
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种光刻胶清洗剂，包含二甲基亚砜、季铵氢氧化物，其特征在于还含有表面活性剂：含羟基聚醚。这种含有含羟基聚醚表面活性剂的光刻胶清洗剂对于金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它残留物具有良好的清洗能力，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115584263A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202110757253.3
申请日：2021-07-05
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/10 , H01L21/306
摘要： 本发明提供了一种化学蚀刻组合物及其应用。所述化学蚀刻组合物包括磷酸、硅烷化合物和去离子水。采用本发明的蚀刻组合物，能够有效提高氮化硅/氧化硅的蚀刻选择比，同时避免在基底上形成颗粒，操作窗口较大，在半导体高温蚀刻工艺中具有良好的应用前景。
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