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公开(公告)号：CN114069388B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202010788633.9
申请日：2020-08-07
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种基于GaAsP界面过渡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。所述半导体器件由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaAs1‑x1Px1下过渡层、下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱上波导层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、GaAs1‑x11Px11上过渡层和GaAs帽层。本发明还提供所述AlGaInP红光半导体激光器的制备方法。通过在GaAs过渡层生长界面上主动生长GaAsP过渡层，调整AsH3、PH3气流量比例，实现GaAs1‑xPx材料组份渐变生长，减少As/P气体切换引入的应力和缺陷，提高小功率AlGaInP红光半导体激光器使用寿命。
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公开(公告)号：CN114389151B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202011132600.5
申请日：2020-10-21
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种具有超晶格电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。该激光器由下至上依次包括衬底、缓冲层、下过渡层、Al0.5In0.5P下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、上波导层、超晶格结构‑第一上限制层、腐蚀终止层、Al0.5In0.5P第二上限制层、上过渡层和帽层。本发明激光器能够有效的抑制电子溢出，缓解有源区应力，提高限制层材料生长质量；同时具有较高光限制因子，提高光增益，达到了降低阈值电流，提高斜率效率的目的，从而使小功率AlGaInP红光激光器具有较低的工作电流，减少了热量的产生。
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公开(公告)号：CN116266692A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202111551276.5
申请日：2021-12-17
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种提高光限制因子的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法，属于光电子技术领域，由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaInP下过渡层、下限制层一、下限制层二、下波导层、GaInAsP量子阱、上波导层、上限制层一、上限制层二、GaInP上过渡层和GaAs帽层；本发明通过非对称限制层及波导层设计，实现光场向N限制层偏移，减少吸收损耗，降低阈值电流；通过在N、P限制层中插入高折射率层，集中光场，提高光限制因子，降低阈值电流；通过降低光场集中区域掺杂浓度，降低吸收损耗。
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公开(公告)号：CN114765344A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110053399.X
申请日：2021-01-15
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种优化电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。所述红光半导体激光器包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下过渡层、下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、上波导层、(Alx6Ga1‑x6)y4In1‑y4P渐变电子阻挡层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、带隙过渡层和GaAs帽层。通过优化电子阻挡层的结构及厚度设计，在低Al组分AlGaInP波导层及AlInP限制层中插入组分渐变(Al1‑xGax)yIn1‑yP结构，并优化该层厚度及掺杂设计，达到抑制电子溢出的目的，同时有效提高空穴能量，提高空穴注入效率，使小功率AlGaInP红光激光器具有较小的工作电流及更高的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN112582877B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201910934215.3
申请日：2019-09-29
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种650nm垂直腔面激光器及其制备方法，所述激光器包括GaAs衬底，所述GaAs衬底表面自下而上依次生长GaAs缓冲层、N型DBR层、AlxGa1‑xInP下波导层、量子阱、AlxGa1‑xInP上波导层、P型DBR层、GaAs窗口层；所述N型DBR层自下而上包括低反射率AlxGa1‑xInP/AlInP DBR层、高反射率AlxGa1‑xInP/AlInP DBR层，所述低反射率AlxGa1‑xInP/AlInP DBR层在GaAs缓冲层上生长，所述AlxGa1‑xInP下波导层在高反射率AlxGa1‑xInP/AlInP DBR层上生长。本发明公开了一种650nm垂直腔面激光器及其制备方法，工艺设计合理，操作简单，不仅有效解决了原有的激光器材料易氧化，激光器可靠性差的问题，同时还通过高低不同反射率的DBR层堆叠，实现光子的最大行程反射，提高了有源区复合效率，增加激光器功率，具有较高的实用性。
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公开(公告)号：CN111092366B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201811233649.2
申请日：2018-10-23
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01S5/22
摘要： 本发明涉及一种具有双面电流限制结构的半导体激光器及制备方法，属于半导体激光器技术领域，激光器从下至上设有下电极层、衬底、缓冲层、下包层、有源层、上包层、接触层，衬底与缓冲层之间水平方向间隔设有掩盖层；在衬底上逐渐生长掩盖层、外延层；接触层上腐蚀出脊型结构，脊型结构包括凸部和凹部，凹部下陷至上包层中；接触层的脊型结构上方生长绝缘层，凸部顶端的绝缘层设有空断间隔，绝缘层上方蒸镀上电极层，在衬底下表面蒸镀下电极层。相比传统的单面电流限制结构，利用本发明的制备方法制备的双面电流限制结构激光器，仅需要一次外延及一次外延层刻蚀工艺，不会增加激光器制作步骤和成本，不会影响激光器的产出率。
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公开(公告)号：CN112542540A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910890733.X
申请日：2019-09-20
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种GaAs基超高亮度LED结构及其制备方法，该LED结构包括由下而上依次设置的N电极、GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaAs缓冲层、AlGaAs/AlAs DBR、AlInP N限制层、AlGaInP N波导层、AlGaInP多量子阱有源层、AlGaInP P波导层、AlInP P限制层、GaP窗口层和P电极，P电极的周围设置有导热柱。本发明提供的GaAs基超高亮度LED结构，工作时的温度由普通LED的85℃‑100℃降为70℃‑85℃，相同尺寸下平均亮度高出20％。
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公开(公告)号：CN111092366A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201811233649.2
申请日：2018-10-23
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01S5/22
摘要： 本发明涉及一种具有双面电流限制结构的半导体激光器及制备方法，属于半导体激光器技术领域，激光器从下至上设有下电极层、衬底、缓冲层、下包层、有源层、上包层、接触层，衬底与缓冲层之间水平方向间隔设有掩盖层；在衬底上逐渐生长掩盖层、外延层；接触层上腐蚀出脊型结构，脊型结构包括凸部和凹部，凹部下陷至上包层中；接触层的脊型结构上方生长绝缘层，凸部顶端的绝缘层设有空断间隔，绝缘层上方蒸镀上电极层，在衬底下表面蒸镀下电极层。相比传统的单面电流限制结构，利用本发明的制备方法制备的双面电流限制结构激光器，仅需要一次外延及一次外延层刻蚀工艺，不会增加激光器制作步骤和成本，不会影响激光器的产出率。
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公开(公告)号：CN105834171A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610362921.1
申请日：2016-05-27
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： B08B7/00 , C23C16/458 , C30B25/12
CPC分类号： B08B7/00 , C23C16/458 , C30B25/12
摘要： 一种利用MOCVD设备对石墨托盘进行腐蚀清洗的方法，包括以下步骤：（1）将石墨托盘放入MOCVD设备的反应室中；（2）调整反应室和反应室上盖石英制顶板的温度；（3）通入氯化氢，进行预腐蚀；（4）提升氯化氢流量，根据石墨托盘生长材料厚度来决定腐蚀的速率；（5）停止通入氯化氢，对石墨托盘进行烘烤；（6）关闭加热，反应室温度降至100℃以下时，腐蚀清洗完毕。本发明直接在MOCVD设备的基础上对石墨盘进行腐蚀，不必额外进行设备改造，通过氯化氢腐蚀对石墨托盘进行清洗，既解决了腐蚀均匀性的难题，又对腐蚀程度进行了精确把握，间接减小了对石墨托盘的影响，延长了石墨托盘的使用寿命，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN117790655A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202211199884.9
申请日：2022-09-29
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及光电子技术领域，且公开了一种具有高亮度红黄光mini外延片，包括GaAs衬底、GaAs‑buffer层、腐蚀截至层、N侧欧姆接触层、电流扩展层、AlInP限制层、MQW发光层、AlInP限制层和GaP层，所述AlInP限制层的顶部设有GaP接触层，所述GaP接触层的顶部设有GaP电流横向扩展层，所述GaP电流横向扩展层的顶部设有高速GaP层。该具有高亮度红黄光mini外延片及其制备方法，通过在AlGaInP过渡层上生长三层GaP：GaP接触层、高低掺间隔GaP层和高速GaP层，高低掺间隔GaP的掺杂量差>1E18，使电流在高掺层尽可能走的更远，从而实现更加充分的电流扩展，提高发光亮度、提升亮度均匀性、改善老化，且可以减薄GaP的生长厚度，降低成本。
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