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公开(公告)号：CN103890980A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280039160.6
申请日：2012-08-09
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明为一种半导体发光元件，其具有13族元素氮化物膜（3）、设置在13族元素氮化物膜（3）上的n型半导体层（21）、设置在n型半导体层（21）上的发光区域（23）以及设置在发光区域（23）上的p型半导体层（25），所述13族元素氮化物膜是在晶种基板上通过助熔剂法由含有助熔剂及13族元素的熔液于含氮气氛下育成的，其特征在于，所述13族元素氮化物膜（3）含有夹杂物分布层（3a）和夹杂物缺乏层（2b），所述夹杂物分布层（3a）被设置于自13族元素氮化物膜（3）的晶种基板侧的界面（11a）起50μm以下的区域，且分布有源自熔液的成分的夹杂物，所述夹杂物缺乏层（2b）被设置于夹杂物分布层上，且所述夹杂物缺乏层（2b）中缺乏夹杂物。
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公开(公告)号：CN101952773B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200980106068.5
申请日：2009-02-03
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 吉野隆史
IPC: G02F1/37
CPC classification number: G02F1/3775 , B82Y20/00 , G02F1/361 , G02F2001/372 , G02F2202/06 , G02F2202/20 , G02F2202/28
Abstract: 本发明提供一种波长转换元件(1)，包括：支持基板(8)；波长转换用基板(2)，其由强介电性单晶所构成的Z板构成，形成有周期极化反转结构，厚度为10μm以上、100μm以下；设置在所述波长转换用基板的底面(2b)的缓冲层(6)；和将所述支持基板(8)和所述缓冲层(6)粘结，厚度为0.6μm以上、2.0μm以下的有机树脂粘结剂层(7)。
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公开(公告)号：CN101939699A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104539.9
申请日：2009-02-03
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 吉野隆史
CPC classification number: G02B6/262 , G02B6/4207 , G02F1/3775
Abstract: 本发明提供一种高次谐波发生器，其具有固体激光振荡器、将由该固体激光振荡器所激发的激光的波长进行转换从而发生高次谐波的调制用光波导、激光的入射侧端面、高次谐波的出射侧端面、一侧的侧面及另一侧的侧面。出射侧端面具有在一侧的侧面(1a)侧所形成的研磨面(6)和在另一侧的侧面(1b)侧所形成的光散射面(5)，该一侧的侧面(1a)和研磨面(6)所形成的角θ为钝角，该另一侧的侧面(1b)与光散射面(5)之间所成的角α为钝角或直角。
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公开(公告)号：CN1985443A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200580023659.8
申请日：2005-07-11
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在雷达装置用的无线振荡装置中，不需要通过频带的要求规格高的接收侧滤波器，也不需要高性能且高耐久性的振荡装置及放大器，这样来提供实用性高的雷达装置用无线振荡装置。无线振荡装置具有：振荡用光调制器(2)；调制单元(6)，其用于调制通过光调制器(2)的载波P，使边带Q、R重叠；振荡用感光器(7)，其接收来自光调制器(2)的出射光B，转换为电信号；和放射单元(8)，根据该电信号来放射无线信号C。
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公开(公告)号：CN111052413B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201880052333.5
申请日：2018-07-31
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种13族元素氮化物结晶层，其包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶，且具有上表面及底面。在利用阴极发光观察上表面时，具有线状的高亮度发光部和与所述高亮度发光部相邻的低亮度发光区域。高亮度发光部包括沿着所述13族元素氮化物结晶的m面延伸的部分。上表面的算术平均粗糙度Ra为0.05nm以上1.0nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108138361B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201680052907.X
申请日：2016-09-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/208 , C30B29/38 , C30B19/12
Abstract: 作为本发明的一个实施方式的基底基板(14)在蓝宝石基板(15)上具备第13族氮化物的晶种层(16)。在晶种层(16)的主面以条纹状重复出现凸部(16a)和凹部(16b)，凸部(16a)的阶差(ha)为0.3～40μm，凸部(16a)的宽度(wa)为5～100μm，凹部(16b)的厚度(tb)为2μm以上，凹部(16b)的宽度(wb)为50～500μm。
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公开(公告)号：CN107208312B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201680004629.0
申请日：2016-01-28
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 自立基板包括第一氮化物层和第二氮化物层，该第一氮化物层是通过氢化物气相生长法或氨热法培养得到的且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物，该第二氮化物层通过钠助熔剂法在第一氮化物层上培养得到且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物。第一氮化物层中，排列有多个在第一氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子，第二氮化物层中，排列有多个在第二氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子，第一氮化物层的厚度大于第二氮化物层的厚度。
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公开(公告)号：CN105658849B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201580001462.8
申请日：2015-06-25
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化镓自立基板，由在大致法线方向具有单晶结构的板形成，所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造：准备取向多晶烧结体，在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致，在晶种层上，形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层，形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致，除去取向多晶烧结体，得到氮化镓自立基板。根据本发明，能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。
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公开(公告)号：CN108425147A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810254199.9
申请日：2012-08-09
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , C30B19/02 , C30B29/38 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02625 , H01L33/007
Abstract: 在晶种基板(11)上，通过助熔剂法由含有助熔剂及13族元素的熔液，于含氮氛围下育成13族元素氮化物(3)。13族元素氮化物膜(3)含有夹杂物分布层(3a)和夹杂物缺乏层(3b)，所述夹杂物分布层(3a)被设置于自晶种基板(11)侧的界面起50μm以下的区域，且分布有源自熔液的构成成分的夹杂物，所述夹杂物缺乏层(3b)被设置于该夹杂物分布层(3a)上。
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公开(公告)号：CN107002283A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580063728.1
申请日：2015-11-30
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 结晶基板2由13族元素氮化物结晶构成，且具有第一主面2a及第二主面2b。低载流子浓度区域4和高载流子浓度区域5在第一主面2a与第二主面2b之间延伸。低载流子浓度区域4的载流子浓度为1018/cm3以下，低载流子浓度区域4的缺陷密度为107/cm2以下。高载流子浓度区域5的载流子浓度为1019/cm3以上，高载流子浓度区域6的缺陷密度为108/cm2以上。
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