公开(公告)号：CN102492993B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201210003531.7

申请日：2007-02-22

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 今井克宏 ,  岩井真 ,  下平孝直 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗

IPC: C30B29/40 ,  C30B9/00

CPC classification number: C30B9/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1096

Abstract: 本发明涉及氮化物单晶的制造方法及其装置，本发明提供一种氮化物单晶的制造方法，其为使用含有助熔剂和原料的溶液来制造氮化物单晶的方法，其特征在于，使用的生长装置包括：用于容纳所述溶液的多个坩埚、用于加热所述坩埚的发热体、容纳所述多个坩埚并由热传导性材料制成的组件以及用于至少容纳所述组件和所述发热体并填充至少包含氮气的气氛气体的压力容器；分别在所述每个坩埚内设置一个种晶，通过移动所述组件来同时搅拌所述各坩埚内的所述溶液，在所述各坩埚内由各个种晶生长成所述氮化物单晶。

公开(公告)号：CN103732809A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280038697.0

申请日：2012-07-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  平尾崇行 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  C30B33/08 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B29/403 ,  C30B33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  Y10T156/11

Abstract: 在晶种基板11的培养面上，通过助熔剂法，从含有助熔剂以及13族元素的熔液，在含氮气氛下设置13族元素氮化物膜3。在13族元素氮化物膜3的自晶种基板11侧的界面11a起50μm以下的区域，设置有分布了来自熔液成分的夹杂物的夹杂物分布层3a，在夹杂物分布层3a上，设置有夹杂物很少的夹杂物缺乏层3b。从晶种基板11的背面1b侧照射激光A，通过激光剥离法，将13族元素氮化物单晶3从晶种基板11剥离。

公开(公告)号：CN103620096A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201380001907.3

申请日：2013-03-29

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 坂井正宏 ,  岩井真

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02

CPC classification number: C30B19/02 ,  C30B9/10 ,  C30B9/12 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L31/03044 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 通过助熔剂法在熔融液内制造第13族元素氮化物的方法，熔融液通过令碱金属与碱土金属中的至少一种原料、第13族元素原料以及液体锗原料组合物加热而生成。由此，通过助熔剂法在熔融液内制造第13族元素氮化物晶体时，可以抑制得到的第13族元素氮化物晶体的载离子浓度等特性的面内分布。

公开(公告)号：CN101405438B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200780009623.3

申请日：2007-03-14

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学 ,  丰田合成株式会社

Inventor： 岩井真 ,  下平孝直 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗 ,  山崎史郎

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00

CPC classification number: C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/06 ,  C30B29/403 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1024

Abstract: 一种使用含易氧化性物质的助熔剂7生长氮化物单晶的装置，其具有用于收容助熔剂7的坩锅1、用于收容坩锅1并填充至少含氮气的气氛气体的压力容器20、配置在压力容器20内且在坩锅1外的炉体材料15A、15B、安装在炉体材料上的加热器17、18，以及覆盖炉体材料的耐碱性且耐热性的金属层16A、16B。

公开(公告)号：CN102471920A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080030599.3

申请日：2010-07-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 下平孝直 ,  今井克宏 ,  岩井真

IPC: C30B9/10 ,  C30B29/38 ,  H01L21/208

CPC classification number: H01L21/02639 ,  C30B9/10 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0265

Abstract: 在基板上形成多个III族金属氮化物单晶的晶种膜(3C)，此时在基板上形成没有被所述晶种膜(3C)覆盖的非育成面(1b)的晶种膜。通过助熔剂法在所述晶种膜上育成III族金属氮化物单晶。多个晶种膜(3C)由所述非育成面(1b)相互分开，且至少在两个方向上排列。晶种膜(3C)的最大内切圆直径(A)为50μm以上、6mm以下，晶种膜(3C)的外接圆直径为50μm以上、10mm以下，非育成面(1b)的最大内切圆直径为100μm以上、1mm以下。

公开(公告)号：CN101405439B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200780009865.2

申请日：2007-03-14

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学 ,  丰田合成株式会社

Inventor： 岩井真 ,  下平孝直 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗 ,  山崎史郎

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00

CPC classification number: C30B9/10 ,  C30B7/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/06 ,  C30B29/406 ,  C30B35/002 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1016 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1064 ,  Y10T117/1096

Abstract: 本发明提供一种氮化物单晶的制造装置，该装置具备：用于收纳溶液的坩埚、收纳坩埚的内侧容器(16)、收纳内侧容器(16)的加热容器(31)和压力容器(30)；所述加热容器(31)具备发热体(14)、设置发热体(14)的容器主体(13)以及与容器主体(13)组合的盖子(12)；所述压力容器用来收纳加热容器(31)并填充有至少含有氮气的氛围气体。盖子(12)对于容器主体的配合面(12b)相对水平面倾斜。

公开(公告)号：CN102292476A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200980155467.0

申请日：2009-12-21

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平尾崇行 ,  岩井真 ,  今井克宏

IPC: C30B29/38

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/10 ,  C30B29/406 ,  Y10T428/24355

Abstract: 以蓝宝石基板作为晶种基板，在其表面形成氮化镓薄膜，将其装入培育容器12中。再称取摩尔比25～32∶68～75的金属镓与金属钠装入培育容器12中。将此培育容器12放入反应容器20中，连结进气管22与反应容器20，介由压力控制器40从氮气瓶42中向反应容器20中填充氮气。然后，控制反应容器20内的氮气压使其达到所定值，设定各个目标温度使下层加热器46的温度高于上层加热器44，进行氮化镓晶体生长。由此可以获得晶粒尺寸大且位错密度小的3B族氮化物晶体。

公开(公告)号：CN102272358A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200980154332.2

申请日：2009-11-26

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  丰田合成株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 岩井真 ,  东原周平 ,  北冈康夫 ,  森勇介 ,  佐藤峻之 ,  永井诚二

IPC: C30B9/10 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B19/02 ,  C30B19/06 ,  C30B29/406 ,  C30B35/002

Abstract: 通过含钠熔液的助熔剂法培养单晶的方法，在钇·铝·石榴石构成的反应容器内收容助熔剂。较之于使用了氧化铝容器或氧化钇容器的情况下，可显著削减氧、硅等杂质的带入量，可成功得到残留载流子浓度低、电子迁移率大、电阻率高的单晶。

公开(公告)号：CN101611178A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880005131.1

申请日：2008-01-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  今井克宏 ,  岩井真 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗 ,  北冈康夫

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B19/02 ,  C30B19/062 ,  C30B19/08 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02625

Abstract: 在培养容器(1)内，在含有助熔剂以及单晶原料的熔液(2)中，在晶种基板(5)上制造氮化物单晶时，在培养容器(1)内的熔液(2)的水平方向上设置温度梯度。由此，通过助熔剂法培养氮化物单晶时，抑制杂晶附着到单晶上，并且使单晶的膜厚均匀化。

公开(公告)号：CN101586253A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910143035.X

申请日：2009-05-22

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 永井诚二 ,  山崎史郎 ,  药师康英 ,  佐藤峻之 ,  岩井真 ,  今井克宏 ,  森勇介 ,  北冈康夫

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/10

CPC classification number: C30B9/12 ,  C30B9/10 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明涉及N型III族氮化物基化合物半导体及其制造方法。本发明的一个目的是通过熔剂工艺来实现具有高电子浓度的高品质n型半导体晶体的制造。本发明的通过熔剂工艺制造n型III族氮化物基化合物半导体的方法包括：利用熔剂来熔化至少III族元素以制备熔体；对该熔体供给含氮气体；以及由该熔体在籽晶上生长n型III族氮化物基化合物半导体晶体。在该方法中，将碳和锗溶于该熔体中，并且将锗作为施主引入该半导体晶体，由此制造n型半导体晶体。该熔体中锗对镓的摩尔百分比是0.05mol％至0.5mol％，并且碳对钠的摩尔百分比是0.1mol％至3.0mol％。