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公开(公告)号：CN114093792A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111371780.7
申请日：2018-07-02
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用加热器，其是在AlN陶瓷基体的内部埋设有发热体的半导体制造装置用加热器，在所述AlN陶瓷基体中埋设有RF电极，所述AlN陶瓷基体在含有O、C、Ti、Ca、Y的同时，含有铝酸钇相作为结晶相，且Ti/Ca的质量比为0.13以上，所述AlN陶瓷基体的Ti含有率为18质量ppm以上95质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN106061924B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201580011169.X
申请日：2015-03-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/3065 , C04B37/02
Abstract: 在工序(a)中，将包含热膨胀系数大于陶瓷基体(12)的金属的钎料(56)、热膨胀系数比钎料(56)小的多孔体(54)以及供电端子(40)，按照供电端子(40)的接合面(43)与陶瓷基体(12)的接合面(13)对置的方式配置于接合面上(13)。在工序(b)中，使钎料(56)熔融，使钎料(56)渗透到多孔体(54)的气孔内而形成包含钎料(56)和多孔体(54)的接合层，介由接合层将陶瓷基体(12)的接合面(13)与供电端子(40)的接合面(43)进行接合。
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公开(公告)号：CN102738054A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210088464.3
申请日：2012-03-29
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , C04B35/622 , C04B37/00
CPC classification number: C04B35/645 , B32B18/00 , C04B35/111 , C04B35/581 , C04B35/6264 , C04B35/63456 , C04B35/63488 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/445 , C04B2235/5445 , C04B2235/6023 , C04B2235/661 , C04B2235/784 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/9638 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , H01L21/6833 , Y10T279/23
Abstract: 本发明提供静电卡盘的制法和静电卡盘。本发明的课题是将介电层的厚度的偏差抑制在低程度。本发明的静电卡盘的制法包含：(a)在成型模具中投入包含陶瓷粉体、溶剂、分散剂和胶凝剂的陶瓷料浆，在该成型模具内使胶凝剂发生化学反应而使浆料凝胶化后进行脱模，从而得到第1和第2陶瓷成型体的工序；(b)将第1和第2陶瓷成型体干燥后进行脱脂，进一步进行煅烧，从而得到第1和第2陶瓷煅烧体的工序；(c)在第1和第2陶瓷煅烧体的任一方的表面印刷静电电极用糊而形成静电电极的工序；以及(d)在以夹入静电电极的方式使第1和第2陶瓷煅烧体重叠的状态下进行热压烧成的工序。
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公开(公告)号：CN100593226C
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200710089470.X
申请日：2007-03-23
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/683 , C23C16/00 , C23C16/458 , C23C16/46
CPC classification number: C04B35/101
Abstract: 本发明的目的是降低在第1主面(SF1)和埋设电极(2)之间的氧化铝基体(1)上产生的裂纹的发生率。所采用的方法是，氧化铝烧结体具备：具有相对的第1主面和第2主面的氧化铝基体(1)；在离第1主面(SF1)0.4毫米以下深度HD由埋设在氧化铝基体(1)内的金属构成的膜状的埋设电极(2)；在比埋设电极(2)更靠第2主面(SF2)侧埋在氧化铝基体(1)内的金属做成的埋设端子(3)。埋设端子(3)与埋设电极(2)接触，埋设电极(2)的膜厚HE在25微米以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100568482C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200710146598.5
申请日：2007-08-22
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , Y10T279/23
Abstract: 本发明提供吸附特性、热均匀性和耐绝缘破坏性优良的带加热器的静电吸盘。带加热器的静电吸盘(1)具备由包含氧化铝的烧结体做成的基体(2)、在基体中的上侧设置的ESC电极(3)、埋在基体中的下侧而设置的电阻发热体(4)，基体由从ESC电极到基体的上表面(2a)的电介质层(21)、从ESC电极到基体的下表面(2b)的支撑部件(22)构成。支撑部件在与电介质层相接的ESC电极附近区域(22a)和比该ESC电极附近区域(22a)更下方的下方区域(22b)的碳含量不同，电介质层中的碳含量在100wtppm以下，ESC电极附近区域的碳含量在0.13wt%以下，下方区域的碳含量在0.03wt%以上，并且，该ESC电极附近区域的碳含量比下方区域的碳含量更小。电阻发热体(4)含有铌或铂。
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公开(公告)号：CN101110383A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710136117.2
申请日：2007-07-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种带加热器静电卡盘，具备：由包含氧化铝的烧结体构成的基体；设在该基体中的上部侧的电极；以及埋设在基体中的下部侧的电阻发热体，上述基体包括从电极到基体上表面的电介质层和从电极到基体下表面的支撑部件。该带加热器静电卡盘的特征在于，上述电介质层中的含碳量为100ppm以下，上述支撑部件中的含碳量为0.03～0.25wt％，上述电阻发热体形成为线圈状且主要成分为铌。
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公开(公告)号：CN113632588A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080021793.9
申请日：2020-03-03
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05B3/02 , H05B3/74 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 陶瓷加热器(10)具备：陶瓷制的板(20)，其在上表面设有晶片载置面(20a)且在内部埋设有电阻发热体(24)；陶瓷制的筒状轴(40)，其上端与板(20)的下表面接合；以及供电构件(54a、54b)，其沿上下方向贯通筒状轴(40)的周壁部而与电阻发热体(24)电连接。供电构件(54a、54b)埋设于筒状轴40的周壁部，与筒状轴40的陶瓷材料密合。
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公开(公告)号：CN111466018A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201980006370.7
申请日：2019-09-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , B28B11/00 , C04B35/624 , C04B35/645
Abstract: 本实施方式的晶片载置台的制法包括下述工序：(a)将包含陶瓷粉末和凝胶化剂的陶瓷浆料填充至金属网(22)的网眼部分(22a)，使凝胶化剂发生化学反应而使陶瓷浆料凝胶化之后，进行脱脂、预烧，从而制作陶瓷填充网(20)的工序；(b)在模铸成型之后进行预烧而得到的第1陶瓷预烧体(31)与第2陶瓷预烧体(32)之间夹入陶瓷填充网(20)，从而制作层叠体(40)的工序；以及(c)将层叠体(40)进行热压烧成，从而制作晶片载置台(10)的工序。
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