公开(公告)号：CN1348216A

公开(公告)日：2002-05-08

申请号：CN01140933.9

申请日：2001-09-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松尾美惠 ,  早坂伸夫 ,  有门经敏 ,  石内秀美 ,  作井康司 ,  田洼知章

IPC: H01L25/065

CPC classification number: H01L2224/16145

Abstract: 一种层叠型半导体器件,由包含半导体集成电路芯片且具有规格的多个半导体集成电路器件层叠而成,其中:上述半导体集成电路器件中的至少三个以上的预定的半导体集成电路器件按上述规格的值的大小的顺序进行层叠。

公开(公告)号：CN1343006A

公开(公告)日：2002-04-03

申请号：CN01132599.2

申请日：2001-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  中田錬平 ,  依田孝 ,  早坂伸夫 ,  久恒善美

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76838 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  Y10S438/959 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供一种半导体装置,具有半导体基板和在该半导体基板上的导电层,所述导电层含有铜,所述导电层的表面区域具有C－H和C－C键中的至少一种,所述表面区域中的形成C－H键的C原子和形成C－C键的C原子的总量占所述表面区域中的元素总量为30%以上。

公开(公告)号：CN1325129A

公开(公告)日：2001-12-05

申请号：CN01119694.7

申请日：2001-03-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  早坂伸夫 ,  伊藤信一 ,  奥村胜弥

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B05C5/005

Abstract: 一种成膜装置,备有:药液喷出喷嘴,对被处理衬底连续地喷出药液;气体喷出部,配置在该药液喷嘴下方,对从该喷嘴喷出的药液吹气,通过该气体的压力使药液的轨迹改变;药液回收部,相对于喷出的药液与所述气体喷出部相隔配置,回收由该喷出部使轨迹改变的药液;和移动部,使所述液体喷出喷嘴和所述被处理衬底相对移动。所述气体喷出部备有:激光振荡器,使激光振荡;和气体发生膜,由所述振荡器照射的激光加热气化产生所述气体。