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公开(公告)号：CN115996031A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310297640.2
申请日：2023-03-24
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供了一种谐振器的制作方法以及谐振器，该方法包括：首先，提供层叠的第一衬底以及预备压电层；然后，对预备压电层进行应力检测，得到预备压电层的第一应力值，根据预备压电层的第一应力值的分布情况，对预备压电层进行多次分割，形成多个压电层；之后，在压电层的远离第一衬底的表面上形成多个间隔设置的第一金属层，在各第一金属层的远离压电层的表面上形成层叠的牺牲层以及第一键合层；之后，提供层叠的第二衬底以及第二键合层，并且将第一键合层与第二键合层进行键合；最后，去除第一衬底，在压电层的远离第一金属层的表面上形成多个间隔设置的第二金属层，形成刻蚀孔，并通过刻蚀孔去除牺牲层，以得到空腔。保证了谐振器的性能较好。
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公开(公告)号：CN115412042A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211062809.8
申请日：2022-09-01
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，包括衬底上形成单晶压电薄膜层,单晶压电薄膜层刻蚀贯通至衬底的第一沟槽,第一沟槽内沉积第一牺牲层；单晶压电薄膜层沉积第二牺牲层和底电极,第二牺牲层用于形成底电极和单晶压电薄膜层之间的底电极空气桥；底电极依次形成第三牺牲层和支撑层,第三牺牲层形成支撑层和底电极之间的空腔；支撑层上形成键合层；键合层上通过晶圆键合层键合晶圆；去除衬底；单晶压电薄膜层上依次形成第四牺牲层和顶电极,第四牺牲层用于形成顶电极和单晶压电薄膜层之间的顶电极空气桥,顶电极空气桥通过第一沟槽和空腔连通；顶电极刻蚀单晶压电薄膜层形成第二沟槽,第二沟槽和底电极空气桥连通。
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公开(公告)号：CN115001430A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210591204.1
申请日：2022-05-26
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种谐振器及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：第一衬底以及依次形成于第一衬底上的压电层、下电极和第一质量负载层；在下电极上形成覆盖第一质量负载层的牺牲层；在器件晶圆具有牺牲层的一侧形成支撑层；通过键合工艺在支撑层上形成第二衬底；去除第一衬底以使压电层露出；在压电层上依次形成上电极和第二质量负载层；释放牺牲层以在第一质量负载层和支撑层之间形成空腔。由此，通过控制第一质量负载层和第二质量负载层所占谐振器的有效工作区域面积比例对应实现谐振器的调谐，从而制造具有不同谐振频率的谐振器，有效避免了因为外加元件调谐所带来的损耗，保证了谐振器具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN114221631A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111569313.5
申请日：2021-12-21
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 一种谐振器及其制备方法、滤波器，涉及谐振器技术领域。该制备方法包括：在第一衬底上依次形成压电层和第一电极层；在第一电极层上形成第一键合层；图形化第一键合层，以形成露出压电层的第一凹槽；形成填充第一凹槽的牺牲材料得到第一器件；在第二衬底上形成第二键合层；图形化第二键合层，以形成露出第二衬底的第二凹槽；形成填充第二凹槽的牺牲材料得到第二器件；键合第一器件的第一键合层和第二器件的第二键合层，并去除第一衬底；在压电层远离第一电极层的一面形成第二电极层得到第三器件；在第三器件上形成释放孔，通过释放孔释放牺牲材料以形成谐振器的空腔。该制备方法制备的谐振器的压电层为单晶材料，能够满足高性能器件的要求。
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公开(公告)号：CN118432572A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410578296.9
申请日：2024-05-10
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，通过在方法中融入第一衬底以及单晶薄膜层，并且使得单晶薄膜层作为压电堆叠膜层的生长表面，进而借助单晶薄膜层的特性，在单晶薄膜层上形成压电堆叠膜层时，获得高质量的准单晶压电层，进而将其应用到器件中，有效提高体声波谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN112234949B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202011181545.9
申请日：2020-10-29
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本发明涉及谐振器技术，具体涉及一种多频段可调谐的三维体声波谐振器，包括衬底、声反射层和压电振荡堆结构；声反射层位于压电振荡堆结构的下方，压电振荡堆结构包括底电极、压电材料层、侧面电极及顶电极；侧面电极和顶电极分别设置于压电材料层侧面和顶部。该器件在给上下、左右、前后三对电极中的一对添加激励信号时，由于压电材料在三个维度上的尺寸不同，即表现为不同的谐振频率；该器件能够将激励信号和直流偏压加载在不同电极对上，且在较低的直流偏压下可以产生较大的位置偏移，进而调整谐振器的谐振频率。通过切换信号加载电极，既可以产生不同的谐振频率，又可以在特定谐振频率附近进行动态调节，扩展体声波谐振器的应用范围。
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公开(公告)号：CN116633309B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202310622780.2
申请日：2023-05-25
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，通过在压电层上刻蚀应力释放槽，从而释放压电层的内部应力，有效解决压电层内应力过大可能发生的开裂问题，并且在压电层沉积过程之后通过衬底转移的方式形成图案化电极，避免压电层的生长环境对电极造成的不利影响。同时，第一电极和支撑层利用应力释放槽，能够在其内形成位于有效谐振区域外侧的第一声反射结构，从而通过第一声反射结构能够从横向将声波反射回有效谐振区域内，从而提高器件的Q值。
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公开(公告)号：CN112350683B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202011305961.5
申请日：2020-11-20
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种类石墨烯结构的超高频谐振器，具体指一种可以提高谐振器机电耦合系数的超高频谐振器结构，该谐振器在压电材料上表面部布置有类石墨烯结构分布的正负电极，每个电极被三个相异极性的电极环绕，进而形成三个方向的电场分布。该谐振器结构能够有效的提高谐振器的谐振频率和机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN115276600B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202211062831.2
申请日：2022-09-01
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，涉及薄膜体声波器件技术领域，包括衬底，所述衬底上依次层叠有底电极、压电层和顶电极，所述衬底与所述底电极之间形成有空腔，所述底电极、所述压电层和所述顶电极分别在所述衬底上的投影相重合的区域形成有效区，在所述底电极和所述压电层之间形成有第一空气桥,在所述有效区外的所述压电层上形成有第一凹槽，所述第一凹槽位于所述压电层背离所述底电极的一侧，所述第一凹槽和所述第一空气桥在投影方向对应设置。通过第一空气桥限制通过底电极的声波能量，同时通过在非有效区的压电层形成第一凹槽以减小压电层的横向声波泄露，充分的减少了声波能量的泄露，提高了谐振器的Q值。
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公开(公告)号：CN117118387A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311044502.X
申请日：2023-08-16
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请公开了一种谐振器及其制备方法、外延膜转移方法和滤波器。其中，谐振器包括：支撑衬底、第一键合层、第二键合层，单晶压电薄膜、底电极和顶电极；支撑衬底具有一凹槽，凹槽开设在第一表面，并包括深度不同的多个子凹槽；第一键合层设置于凹槽内；第二键合层设置于第一键合层远离支撑衬底的一侧，与支撑衬底和第一键合层键合；单晶压电薄膜设置于第二键合层远离第一键合层的一侧；底电极设置在单晶压电薄膜靠近第二键合层的一侧；顶电极设置在单晶压电薄膜远离第二键合层的一侧。通过上述方式，第一键合层与支撑衬底的交界面可以给泄露的声波能量提供多重反射，改善声波能量自谐振区向非谐振区的泄漏情况，提高谐振器性能。
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