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公开(公告)号：CN105006499A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510381720.1
申请日：2015-06-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0203 , H01L31/024 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/024
Abstract: 本发明属于电子材料与元器件技术领域，提供一种基于FPC柔性衬底的全集成热补偿型热释电红外探测器，包括：器件外壳、器件底座、设置在底座上的电路板；所述电路板为FPC柔性电路板，该电路板上表面集成有场效应管和双元敏感元，所述双元敏感元中每一个敏感元由从下往上依次设置在电路板上的下电极、复合材料层和上电极构成，且双元敏感元上电极相连接；所述双元敏感元中其中一个敏感元还包括设置在上电极上的红外吸收层、构成热释电红外敏感元，其下电极与所述场效应管的栅极相连接；另一个则成为热释电补偿敏感元，其下电极作为探测器的接地端。该热补偿型热释电红外单元探测器具有性能优越、制作简单、生产成本低、生产效率高的优点。
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公开(公告)号：CN102903789B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210234659.4
申请日：2012-07-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 复合材料红外探测器制备方法，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括下述步骤：1）制备衬底和绝热层，衬底的厚度为0.01-10mm；绝热层的厚度为100nm~50um；2）在绝热层上制备热敏感单元，所述热敏感单元包括热敏感薄膜和电极，热敏感薄膜的材料为PZT/PVDF复合热释电材料；热敏感薄膜厚度为15~20um；3）在热敏感单元的表面制作红外吸收层；4）用激光刻蚀的方法对热敏感薄膜和电极进行图形化。本发明工艺简单，可以实现薄膜的大面积低温制备，满足与ROIC电路兼容的要求。
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公开(公告)号：CN103474502A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310384478.4
申请日：2013-08-29
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种补偿型热释电红外单元探测器，属于红外探测器技术领域。它包括外壳（1）、设置在外壳首端的窗口，所述窗口上设置有红外滤光片（2）、底座（3）、引脚（4）、双面电路板（5）、场效应管（6）、热释电红外敏感元（7）、热释电补偿敏感元（8）、电阻（9）；双面电路板（5）中心设置有通孔，场效应管（6）内嵌在所述通孔中，其底部与双面电路板（5）下表面齐平，其中场效应管（6）的厚度小于双面电路板（5）的厚度；所述通孔的正上方设置有热释电红外敏感元（7）和热释电补偿敏感元（8）。该补偿型热释电红外单元探测器具有性能优越、制作简单、生产成本低、生产效率高和应用范围广的优点。
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公开(公告)号：CN101527314B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910058648.3
申请日：2009-03-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: ABO3/MgO/GaN异质结构及其制备方法，涉及微电子材料领域。本发明的ABO3/MgO/GaN异质结构包括衬底基片和ABO3，衬底基片和ABO3之间，有一个MgO纳米缓冲层薄膜，所述衬底基片为GaN外延片，ABO3为钙态矿结构的氧化物薄膜材料。本发明的MgO薄膜热稳定性良好，与氧结合稳定，是减小氧原子向半导体衬底扩散的有效阻挡层；同时MgO具有立方对称的晶体结构，晶格常数与大多数铁电氧化物接近，纳米厚度的MgO薄膜使得后续生长的ABO3结构的铁电薄膜能够在GaN上取向生长。采用本发明方法制备的ABO3/MgO/GaN异质结构各层界面清晰，为实现氧化物/半导体集成器件提供了一种可行的材料设计和生长方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119810524A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411864240.6
申请日：2024-12-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06V10/764 , G01J5/34 , G01J5/00 , G06V10/143 , G06V10/26 , G06V10/28 , G06V10/44 , G06V10/70 , G06V10/774 , G06V10/776 , G06N20/10 , G01J5/48
Abstract: 本发明涉及热释电红外检测的推扫成像领域，具体为一种针对热释电红外线列器件推扫成像的目标识别方法。本发明基于各像元在时间上的连续斜率变化判断有效信号，不仅解决输出信号幅度受环境温度影响的问题，还避免了统一阈值判断受限于线列器件各像元一致性差异的问题，同时防止了尖峰噪声对于目标探测的影响，扩展了应用范围；以运动方向边缘特征占据整体成像范围的比例作为关键特征，解决了随目标速度变化影响探测识别准确率的问题；同时计算所需特征值也从N×通道数减少至2×通道数，降低了特征规模，进而提升识别速度。最终本发明不仅提升了目标识别的准确率和速度，且解决了现有识别技术受限于目标速度的问题，提升了可应用性。
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公开(公告)号：CN118132982A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410192133.7
申请日：2024-02-21
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: G06F18/213 , G06F30/20 , G06F17/15
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种基于多项式拟合的声表面波谐振器COM参数提取方法，包括采用实测拟合法提取多组COM参数，对每一组COM参数及其对应的谐振频率进行中心化和缩放，得到中心化缩放COM参数和中心化缩放谐振频率；定义9阶多项式模型组，并采用加权残差优化方法处理得到最优9阶多项式模型组；将目标谐振频率进行中心化和缩放后输入最优9阶多项式模型组，得到目标中心化缩放COM参数；将目标中心化缩放COM参数还原后代入COM模型得到目标谐振器的电声特性曲线；本发明能够实现声表面波谐振器的快速、精确模拟。
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公开(公告)号：CN118100851A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410286231.7
申请日：2024-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频微机电系统技术领域，具体涉及一种兰姆波谐振器。本发明首先在兰姆波谐振器底部设置布拉格反射层，用以反射谐振器底部泄露的能量，同时提高谐振器机械稳定性与功率容量；其次将电极与压电层分开悬空设置，悬空电极不与压电薄膜直接接触，仅起到为谐振器提供电学激励的作用，可以减小压电薄膜质量负载与机械损耗，同时增加谐振器的Q值；最后采用介电嵌入活塞结构通过在电极末端投影区域的压电薄膜上刻槽并填充介电材料，形成自由振动边界，从而抑制谐振器的横向杂散模态。最终本发明实现了高频下抑制杂散模态效果良好、能量泄露少并且谐振器品质因素Q值高的优点。
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公开(公告)号：CN117131917A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311095235.9
申请日：2023-08-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于忆阻器神经网络计算领域，具体涉及一种忆阻器神经网络权重训练方法。本发明将神经网络权重参数写入到忆阻器阵列后，通过对忆阻器施加正向脉冲使得该忆阻器的电导值增大ΔG1，若修改后推理过程的损失值相比于修改前降低了，则保存本次修改；若忆阻器电导值增大后推理过程产生的损失值相比于修改前增大了，则对该忆阻器施加反向脉冲，使得该忆阻器的电导值降低2ΔG2；如此循环使得本发明对目标忆阻器训练得到的权重精度逐次逼近的方式趋近于理想值。本发明有效解决了现有技术中神经网络以离线训练的方式移植到忆阻器上后，神经网络性能下降的缺陷，且本发明中提出的忆阻器神经网络权重训练规则简单，易于实现自动化。
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公开(公告)号：CN116380971A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310447778.6
申请日：2023-04-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明属于材料热学性质测试领域，具体为一种接触式热导率测量方法。通过在电极两端施不同加热频率ω的交流信号V1ω进行测量，得到不同加热频率ω对应的三次谐波信号V3ω，利用三次谐波信号V3ω与温度振幅T2ω的关系式，计算出电极的频谱T2ω；再基于得到的电极的频谱T2ω，找出装置的界面热阻敏感频段。利用装置在高频下对待测样品热导率不敏感的特性，在截面热阻敏感频段中，通过有限元仿真模型进行分析，得到装置的界面热阻的拟合值；基于界面热阻，在1‑10频段即低频段通过有限元仿真模型进行分析，得到待测样品热导率。发明将界面热阻影响纳入拟合范围内，有效提升了热导率的测量精度。
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