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公开(公告)号：CN111270210A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010186065.5
申请日：2020-03-17
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶粒高定向取向的钌溅射靶材及其制备方法，钌溅射靶材呈现(002)晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸1-10 μm，氧含量100 ppm以内；所述(002)晶面与(101)晶面积分强度比不低于3。所述制备方法包括以下步骤：选择4N及以上纯度，粒度为1-10 μm的钌粉；随后将粉末进行冷压成型；再将冷压成型的锭坯进行低温微波烧结；再将锭坯进行低温真空热压烧结进一步提高致密度；最后机加工获得靶材。本发明采用较低的烧结温度、低温真空热压技术及充氢气形成还原气氛，使得钌溅射靶材性能优异，高致密度和(002)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、厚度均匀的钌薄膜，制备工艺简便，条件温和易于操控，而且可大大提高生产效率，极大地节约制备成本。
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公开(公告)号：CN111235536A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010186255.7
申请日：2020-03-17
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶粒高定向取向的铱溅射靶材及其制备方法，铱溅射靶材呈现(111)晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸1-10μm，氧含量100 ppm以内；所述(111)晶面与(200)晶面积分强度比不低于4。所述制备方法包括以下步骤：选择4N及以上纯度，粒度为1-10μm的铱粉；随后将粉末进行冷压成型；再将冷压成型的锭坯进行低温微波烧结；再将锭坯进行低温真空热压烧结进一步提高致密度；最后机加工获得靶材。本发明采用较低的烧结温度、低温真空热压技术及充氢气形成还原气氛，使得铱溅射靶材性能优异，高致密度和(111)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、厚度均匀的铱薄膜，制备工艺简便，条件温和易于操控，而且可大大提高了生产效率，极大地节约制备成本。
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公开(公告)号：CN110592540A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910923533.X
申请日：2019-09-27
申请人： 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明公开了一种靶材的加工装置和加工方法。靶材的加工装置包括夹具、内固定件和外固定件。内固定件包括底板和内定位销，外固定件包括压板和外定位销。靶材加工方法包括：提供夹具，将靶材装夹于夹具上，加工靶材的溅射面；将靶材翻面，在靶材的装配面开设内固定孔；提供底板，在底板上开设内定位孔；采用固定件将靶材固定在底板上；将底板装夹于夹具上，加工靶材的装配面的外曲面；提供压板，在压板上加工配合曲面；在底板开设外固定孔，在压板开设第三固定孔；将靶材固定于底板和压板之间；加工靶材的内曲面和定位槽。本发明的优点是定位精度高，能保证靶材加工的尺寸和精度，同时效率高，成本低。
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公开(公告)号：CN105834457B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201610361513.4
申请日：2016-05-27
申请人： 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： B22F9/30
摘要： 本发明公开了一种微米级球形Mo‑Ru钎料粉体的制备方法，所制备的微米级Mo‑Ru复合粉体中钌含量为35wt％～45wt％，颗粒尺寸为5～15μm，平均粒径约10μm。本发明以仲钼酸铵[(NH4)6Mo7O24·4H2O]和氯钌酸铵[(NH4)2RuCl6]为原料，采用雾化干燥结合微波煅烧技术制备了微米级球形Mo‑Ru复合粉体，本发明通过雾化干燥和微波煅烧工艺，制备了含钌为35wt％～45wt％，粒径为5～15μm，平均粒径为10μm的微米级球形Mo‑Ru钎料粉体，粉体流动性好。该钼钌复合粉体可应用于高温领域特殊部件焊料。
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公开(公告)号：CN105986160A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610473417.9
申请日：2016-06-24
申请人： 贵研铂业股份有限公司
CPC分类号： C22C27/04 , B22F1/02 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F9/082 , B22F9/22 , B22F2003/145 , B22F2998/10 , C22C1/045 , C23C14/3414 , B22F1/0003
摘要： 本发明公开了一种制备大尺寸高纯钨钛合金溅射靶材的方法，包括高纯钨钛复合粉末的制备，粉末的成型，及钨钛合金靶材机加工。具体为采用纯度大于等于99.95％的钛粉和纯度大于等于99.95％仲钨酸铵为原料，先通过气体雾化法制备得到核壳结构的仲钨酸铵‑钛复合粉，再通过微波煅烧得到核壳结构的氧化钨‑钛复合粉，最后采用通氢还原法得到高纯、超细钨钛复合粉末，用真空热压结合热等静压对制备得到的钨钛复合粉末进行烧结成型得到高纯钨钛合金溅射靶材。使用上述方法制备得到的高纯钨钛靶材纯度大于等于99.99％，钨钛合金溅射靶材由富钨基体相及富钛相组成，富钛相比例小于15％，平均晶粒尺寸不大于50μm，且靶材边缘与靶材中心的晶粒尺寸差别不大于5μm。
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公开(公告)号：CN104032270B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410260698.0
申请日：2014-06-12
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种大尺寸钌基合金溅射靶材及其制备方法，钌基合金靶材包括Al,Co，Cr等元素中的一种或几种，其余为Ru，钌基合金靶材为圆饼状，其直径不小于100mm,致密度不低于99.5％,且其中心区域与边缘区域的致密度差不超过0.3％，且Ru与其他合金元素形成的第二相均匀的分布在Ru基体相中。所述的钌基合金溅射靶材的制备方法，包括通过气体雾化法制备熔点偏低的脆性相钌基合金粉末，再通过气流磨处理该脆性相获得了细小均匀的合金粉末，最后经粉末烧结制备出直径尺寸在100mm以上的钌基合金靶材，本发明获得的合金靶材杂质含量低，致密度高且均匀，成份分布均匀，晶粒细小均匀，使用该靶材溅射成膜的厚度均匀性，性能稳定以及减少了溅射过程的异常放电现象等。
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公开(公告)号：CN104032274A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410260448.7
申请日：2014-06-12
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法，所述CoCrPt系合金溅射靶材包括B元素，B元素的含量为0～20个原子百分比,所述合金靶材包括富Co相和富B相两个物相，其中富B相均匀的分布在富Co相中，所述富Co相的平均晶粒尺寸在20～50μm,富B相的平均晶粒尺寸在0～20μm；所述CoCrPt系合金溅射靶材的制备方法，包括：(1)真空熔炼；(2)热等静压；(3)热机械加工；(4)冷机械加工。使用本发明所述的CoCrPt系合金溅射靶材制备的磁记录介质，所述磁记录介质包括基底层，粘结层，软磁层，中间层和磁记录层，所述磁记录介质的矫顽力为3000～5000Oe，方形度为0.80～095。本发明化学成份均匀且偏离名义成分较小，解决了常规制备工艺中轧制开裂，成品率低，合金靶材化学成份偏离名义成份较多、有害杂质含量偏高等技术问题。
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公开(公告)号：CN115802879A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211537351.7
申请日：2022-12-02
申请人： 昆明贵金属研究所 , 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种快速低功耗Ru‑Sb‑Te相变存储材料及其制备方法、存储单元。本发明所提供的Ru‑Sb‑Te相变材料可以通过调节元素的含量和薄膜的厚度得到不同结晶温度、电阻率和结晶激活能的存储材料，该Ru‑Sb‑Te相变材料可调性非常强，有利于优化相变材料各方面性能；且该相变材料具有较好的数据保持力，将其应用于相变存储器中器件单元具有极快的操作速度和较好的循环次数，本申请实施例所提供的Ru‑Sb‑Te相变材料，与传统Ge2Sb2Te5相比，具有更高的热稳定性，更强的数据保持力，更快的结晶速度。
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公开(公告)号：CN105834457A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610361513.4
申请日：2016-05-27
申请人： 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： B22F9/30
CPC分类号： B22F9/30
摘要： 本发明公开了一种微米级球形Mo?Ru钎料粉体的制备方法，所制备的微米级Mo?Ru复合粉体中钌含量为35wt％～45wt％，颗粒尺寸为5～15μm，平均粒径约10μm。本发明以仲钼酸铵[(NH4)6Mo7O24·4H2O]和氯钌酸铵[(NH4)2RuCl6]为原料，采用雾化干燥结合微波煅烧技术制备了微米级球形Mo?Ru复合粉体，本发明通过雾化干燥和微波煅烧工艺，制备了含钌为35wt％～45wt％，粒径为5～15μm，平均粒径为10μm的微米级球形Mo?Ru钎料粉体，粉体流动性好。该钼钌复合粉体可应用于高温领域特殊部件焊料。
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公开(公告)号：CN104032274B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410260448.7
申请日：2014-06-12
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法，所述CoCrPt系合金溅射靶材包括B元素，B元素的含量为0～20个原子百分比,所述合金靶材包括富Co相和富B相两个物相，其中富B相均匀的分布在富Co相中，所述富Co相的平均晶粒尺寸在20～50μm,富B相的平均晶粒尺寸在0～20μm；所述CoCrPt系合金溅射靶材的制备方法，包括：(1)真空熔炼；(2)热等静压；(3)热机械加工；(4)冷机械加工。使用本发明所述的CoCrPt系合金溅射靶材制备的磁记录介质，所述磁记录介质包括基底层，粘结层，软磁层，中间层和磁记录层，所述磁记录介质的矫顽力为3000～5000Oe，方形度为0.80～095。本发明化学成份均匀且偏离名义成分较小，解决了常规制备工艺中轧制开裂，成品率低，合金靶材化学成份偏离名义成份较多、有害杂质含量偏高等技术问题。
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