一种高均质NiCrPt合金溅射靶材的制备方法

    公开(公告)号:CN114293157B

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202111501941.X

    申请日:2021-12-09

    IPC分类号: C23C14/34 C22C19/05

    摘要: 本发明公开了一种高均质NiCrPt合金溅射靶材的制备方法,所述溅射靶材之基材原料由纯度≥99.99wt%的Ni、Cr、Pt金属组成,其中Cr10~30at%,Pt1~4.5at%,余量为Ni,外加总质量比0.01~0.08%的除氧剂;基材表面保护镀膜厚度≤5μm;所述溅射靶材致密度≥99.5%,且无肉眼可见的缺陷,氧含量≤30ppm,靶材晶粒均匀,其平均粒径为20~100μm;所述溅射靶材之表层机加工处理的去除深度≤0.5mm。其制备方法由基材铸锭与清洗处理、基材镀膜、坯材轧制、再结晶处理和机加工处理工艺实现。本发明基于“控氧+优先保护”原理,降低基材氧含量,基材表面优先溅射易氧化金属保护镀层,抑制“夹生”脆性氧化物,提高了靶材优材率,降低了表层去除深度,减少靶材浪费,节约成本。

    一种晶粒高定向取向的铱溅射靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN111235536B

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202010186255.7

    申请日:2020-03-17

    摘要: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的铱溅射靶材及其制备方法,铱溅射靶材呈现(111)晶面高定向取向,致密度不低于99.5%,晶粒尺寸1‑10 μm,氧含量100 ppm以内;所述(111)晶面与(200)晶面积分强度比不低于4。所述制备方法包括以下步骤:选择4N及以上纯度,粒度为1‑10 μm的铱粉;随后将粉末进行冷压成型;再将冷压成型的锭坯进行低温微波烧结;再将锭坯进行低温真空热压烧结进一步提高致密度;最后机加工获得靶材。本发明采用较低的烧结温度、低温真空热压技术及充氢气形成还原气氛,使得铱溅射靶材性能优异,高致密度和(111)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、厚度均匀的铱薄膜,制备工艺简便,条件温和易于操控,而且可大大提高了生产效率,极大地节约制备成本。

    一种铼坩埚及其制备方法和应用
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    发明公开

    公开(公告)号:CN113512713A

    公开(公告)日:2021-10-19

    申请号:CN202110771475.0

    申请日:2021-07-08

    IPC分类号: C23C16/14 C30B35/00

    摘要: 本发明提供了一种铼坩埚及其制备方法和应用,属于金属材料制备技术领域。本发明提供了一种铼坩埚的制备方法,包括以下步骤:在真空条件下,将铼与氯气发生氯化反应,得到ReCl5气体;对基体进行加工,得到沉积铼坩埚用模芯;将所述沉积铼坩埚用模芯预热,得到预热沉积铼坩埚用模芯;将所述ReCl5气体输送至所述预热沉积铼坩埚用模芯的表面进行化学气相沉积,得到铼坩埚。本发明采用现场氯化化学气相沉积(CVD)法制备铼坩埚,具有流程短、工艺成熟、沉积速率快及原材料利用率高的优点,可以得到高致密性、高纯度的铼坩埚。

    一种二氧化铪涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN109112501A

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201810972105.1

    申请日:2018-08-24

    IPC分类号: C23C16/40 C23C16/448

    摘要: 本发明提供一种二氧化铪涂层及其制备方法,属于涂层制备领域。本发明中,原料铪的氯化反应与HfO2涂层的化学气相沉积反应过程简单,HfO2涂层沉积速率大幅提高至30μm/h以上,且不会带来杂质污染;化学气相沉积反应可在预热后的待沉积基体的所有表面发生,可同时实现难熔金属复杂器件内外表面涂层的均匀沉积;CVD沉积是通过化学反应原位产生HfO2分子,HfO2分子逐个堆积形成涂层,涂层密度超过其理论密度的99%;HfO2涂层的生长选择热力学能量最低的方向,涂层形成了择优取向的织构组织,使涂层的辐射系数提高至0.90以上,高温散热性能优良。