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公开(公告)号：CN115570135A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211350844.X
申请日：2022-10-31
申请人： 东北大学 , 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： B22F3/10 , B22F3/14 , B22F3/02 , B22F3/04 , C22C5/04 , C22C27/02 , C22C1/04 , C23C14/34 , C23C14/35
摘要： 本发明公开了钌及钌合金材料的制备方法，解决了高纯度、大尺寸、高致密、晶粒小且择优取向的钌及钌合金材料制备难题。本发明以钌或含钌混合粉体为原料，通过氢气气氛除杂，结合无模具热压延缓慢变形工艺制备钌及钌合金材料。本发明技术新颖，可制备高纯度、大尺寸、高致密、晶粒小且择优取向的钌及钌合金材料，进而推动信息储存和材料连接领域相关技术和产业进一步发展。
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公开(公告)号：CN115570136A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211350845.4
申请日：2022-10-31
申请人： 东北大学 , 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了铱及铱合金材料及其制备方法，解决了高致密、细晶粒、晶粒择优取向的大尺寸铱及铱合金材料制备难题。本发明通过氢气气氛脱气除杂提高坯体纯度，并通过陶瓷压头进行原位真空无模具热压延缓慢变形，提高了材料致密度，避免了杂质污染，解决了模具使用难题，实现大尺寸高性能铱及铱合金材料制备。本发明工艺合理，易于实现，所制备的铱及铱合金材料性能优异。
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公开(公告)号：CN117921021A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311669336.2
申请日：2023-12-07
申请人： 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
摘要： 本发明公开了一种从铱残靶及其机加工废料中回收制备高纯铱粉的方法，包括如下步骤：(1)铱残靶及其机加工废料预处理；(2)混碱液化；(3)氧化造液；(4)选择性晶化；(5)热分解+高温氢氛围脱氧；(6)酸煮除杂。通过本发明可实现铱残靶及其机加工废料中回收提纯高纯铱粉，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，粉末均匀性较好，可用作信息存储用铱溅射靶材原料。
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公开(公告)号：CN117733168A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311669319.9
申请日：2023-12-07
申请人： 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种从玫瑰金残靶及其镀件废料回收制备高纯金粉的方法，包括如下步骤：(1)玫瑰金残靶及其镀件废料预处理；(2)造液；(3)金选择性还原；(4)酸洗除杂；(5)煅烧。通过本发明可实现玫瑰金残靶及其镀件废料中回收制备高纯金粉，金的直收率＞99.5％，本发明的工艺流程简单，粉末形貌为球形，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，可用作电子行业用高纯金及其合金靶材原料。
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公开(公告)号：CN115533447A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211044447.X
申请日：2022-08-30
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射铜靶材的制备方法以及靶材的应用，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀、取向分布趋于一致。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)异径异步叠轧；4)同径同步轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法工艺简单、易于工业化生产，制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN114318255B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202111500588.3
申请日：2021-12-09
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种由易氧化金属镀膜保护制备的高致密NiV合金溅射靶材及其制备方法，所述溅射靶材之基材原料由纯度≥99.99wt％的Ni和V金属组成，其中V：5~8wt％，Ni：92~95wt％；所述基材表面有易氧化金属保护镀膜，其膜层厚度≤5μm；溅射靶材致密度≥99.5%，且表面无肉眼可见的缺陷，氧含量低于30ppm，靶材的晶粒尺寸均匀，其平均晶粒尺寸为10~30μm；所述溅射靶材之表层机加工处理的去除深度≤0.5mm。其制备方法由基材铸锭与清洗处理、基材镀膜、坯材轧制、再结晶处理和机加工处理工艺实现。本发明基于“控氧+优先保护”原理，降低基材氧含量，基材表面优先溅射易氧化金属保护镀层，抑制“夹生”脆性氧化物，提高了靶材优材率，降低了表层去除深度，减少靶材浪费，节约成本。
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公开(公告)号：CN111304608A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010186265.0
申请日：2020-03-17
申请人： 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： C23C14/35 , B22D7/00 , C21D9/00 , C22C1/02 , C22C5/04 , C22C19/03 , C22F1/02 , C22F1/10 , C22F1/14 , B30B15/34
摘要： 本发明公开了一种晶粒高定向取向的镍铂合金溅射靶材及其制备方法，靶材含镍1~99 wt%，余量为铂；靶材呈（111）或（200）晶面高定向取向，含镍为1~24 wt%的靶材其（111）与（200）晶面积分强度比不低于3，含镍为25~99 wt%的靶材其（200）与（111）晶面积分强度比不低于1.2；致密度不低于99.5%；晶粒尺寸5~50 。所述制备方法包括以下步骤：熔炼与浇铸、缺陷检测、真空热压、低温压制、低温退火和产品加工。本发明的镍铂合金溅射靶材呈（111）或（200）晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的薄膜，制备工艺简便，易操控，大大提高生产效率并节约制备成本。
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公开(公告)号：CN111254398A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010186276.9
申请日：2020-03-17
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法，铂溅射靶材呈现（111）晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸为5~20 ；所述（111）晶面与（200）晶面积分强度比不低于3。制备方法包括：选择4N及以上纯度的铂原料，熔炼获得铸锭；随后进行超声波探伤测定铸锭内部缺陷分布并对其进行真空热压，消除缺陷；再将锭坯浸泡在液氮容器中单向压制；再进行低温退火；最后机加工获得靶材。本发明采用浇铸速度和熔炼炉功率组合，较低压制及退火温度组合，获得性能优异的铂溅射靶材。靶材的高致密度和（111）晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的铂薄膜，其制备方法工艺简便，条件温和易操控，大大提高生产效率，极大地节约制备成本。
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公开(公告)号：CN105986138A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610471107.3
申请日：2016-06-24
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种制备超高纯镍铂合金靶材的方法。制备方法包括高纯预合金粉制备，合金的熔炼，采用区域熔炼对熔体的净化，机械轧制及热处理对晶粒尺寸的控制，本发明高纯镍铂合金粉末采用纯度大于等于99.995％的氯铂酸氨和纯度大于等于99.99％的氯化镍为原料，先通过气体雾化法制备得到氯铂酸氨和氯化镍的复合颗粒，再采用通氢还原法得到高纯镍铂预合金粉末，然后真空感应熔炼得到镍铂母合金，最后采用区域熔炼法将镍铂母合金锭提纯得到超高纯镍铂合金。本发明制备得到的超高纯镍铂靶材,该靶材的碱金属离子(Na、K)、放射性元素(U、Th)的含量较低，而且其它金属杂质、氧含量及晶粒尺寸较现有公开文献有明显改善。
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