-
公开(公告)号：CN104724666A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410370987.6
申请日：2014-07-30
Applicant: SK新技术株式会社
Inventor： 金俊亨
CPC classification number: H01B3/18 , B82Y30/00 , C07F1/005 , C07F7/10 , Y10T428/256 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供一种纳米结构、其制造方法、及利用此纳米结构的应用装置。此纳米结构包括：一基板；具有一表面的一介电粒子支撑体(dielectric particle supporter)，其中介电粒子支撑体形成于基板之上，且一连接分子(linker)与介电粒子支撑体的表面键结；以及一或多个金属纳米粒子，与连接分子键结。
-
公开(公告)号：CN119029488A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410603325.2
申请日：2024-05-15
Applicant: SK新技术株式会社 , 爱思开高新信息电子材料株式会社
IPC: H01M50/449 , H01M50/451 , H01M50/457 , H01M50/403 , H01M50/443 , H01M50/46 , H01M50/489 , H01M10/052 , H01M10/058 , H01M10/42
Abstract: 本公开涉及隔膜、其制造方法及包括其的二次电池。具体来讲，涉及包含中空型导电性颗粒的隔膜、其制造方法及包括其的二次电池。根据本公开的一个方面的隔膜包括：多孔性基材；以及位于所述多孔性基材的一面或两面且包含无机颗粒及中空型(Hollow)导电性颗粒的至少一个涂层。本公开的隔膜可以通过防止锂离子的电隔离及死(Dead)锂离子的积累抑制锂枝晶的形成及生长。从而可以确保电池的安全性。
-
公开(公告)号：CN104733465A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410805919.8
申请日：2014-12-19
Applicant: SK新技术株式会社
Inventor： 金俊亨
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/42332 , B82Y30/00 , H01L21/28273 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 一种非易失性存储设备包括：用于在柔性衬底上面进行电荷的充电和放电的浮栅，其中所述浮栅包含：在所述衬底上面形成并包括被结合到多个金属离子的多个连接基团的连接层；以及在所述连接层上面由所述金属离子形成的多个金属纳米粒子。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104733408A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410370989.5
申请日：2014-07-30
Applicant: SK新技术株式会社
Inventor： 金俊亨
CPC classification number: C07F7/10 , B05D1/185 , B82Y30/00 , C07F1/005 , H01L29/0665 , H01L29/40114 , H01L51/0504 , H01L51/42 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供一种纳米结构、其制造方法、及利用此纳米结构的应用装置。此纳米结构包括：一基板；多个连接分子(linker)，形成于基板上；以及由与连接分子键结的多个金属离子所形成的一或多个金属纳米粒子。在此纳米结构中，金属离子可具有约0.5～3.0nm的一平均粒径。
-
公开(公告)号：CN104724665A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410370747.6
申请日：2014-07-30
Applicant: SK新技术株式会社
Inventor： 金俊亨
IPC: B82B1/00
CPC classification number: C23C18/1882 , C23C18/04 , C23C18/08 , C23C18/1204 , C23C18/1216 , C23C18/1279 , C23C18/168 , C23C18/1682 , Y10T428/25 , Y10T428/31507 , Y10T428/31663 , Y10T428/31678 , Y10T428/31721 , Y10T428/31786 , Y10T428/31938 , Y10T428/31971
Abstract: 本发明提供一种可挠性纳米结构、其制造方法、及利用此可挠性纳米结构的应用装置。此纳米结构包括：一可挠性基板；多个介电粒子支撑体(dielectric particle supporters)，形成于可挠性基板之上；多个连接分子(linker)，与介电粒子支撑体键结；以及一或多个金属纳米粒子，与连接分子键结。
-
公开(公告)号：CN104733464B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201410803148.9
申请日：2014-12-19
Applicant: SK新技术株式会社
Inventor： 金俊亨
IPC: H01L27/11568 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L29/792
Abstract: 一种非易失性存储装置包括：用于捕获电荷的电荷捕获层，其中所述电荷捕获层包括：在衬底上形成的并且包括将结合到金属离子的连接基团的连接层；在连接层上由金属离子形成金属纳米粒子；以及填充金属纳米粒子之间的间隙的氮化物。
-
公开(公告)号：CN104733464A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410803148.9
申请日：2014-12-19
Applicant: SK新技术株式会社
Inventor： 金俊亨
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 一种非易失性存储装置包括：用于捕获电荷的电荷捕获层，其中所述电荷捕获层包括：在衬底上形成的并且包括将结合到金属离子的连接基团的连接层；在连接层上由金属离子形成金属纳米粒子；以及填充金属纳米粒子之间的间隙的氮化物。
-
公开(公告)号：CN104724668A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410370828.6
申请日：2014-07-30
Applicant: SK新技术株式会社
Inventor： 金俊亨
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/45525 , C23C18/04 , C23C18/08 , C23C18/14
Abstract: 本发明提供一种纳米结构、其制造方法、及其应用装置。包括：形成一可挠性基板；形成多个连接分子(linkers)于可挠性基板之上；形成多个金属离子于连接分子之上；以及形成一或多个金属纳米粒子于连接分子之上。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.041 seconds)
