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公开(公告)号：CN102171155B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN200980139057.7
申请日：2009-10-05
申请人： 旭硝子欧洲玻璃公司
CPC分类号： C03C17/38 , C03C17/3663 , C03C2218/31 , C03C2218/32 , C23C18/165 , C23C18/166 , C23C18/1689 , C23C18/1889 , G02B5/0808
摘要： 本发明涉及制造镜子的方法和由该方法生产的镜子。该方法包含在玻璃基材表面上形成银层的步骤，形成期间使所述表面与镀银溶液接触，以及涂布步骤，涂布期间银层被至少一种涂料层覆盖。其特征在于以下事实：在形成银层的步骤和涂布步骤之间，包含再加热银层到至少200℃的温度的步骤。
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公开(公告)号：CN101402140A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810168098.6
申请日：2008-09-27
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： B22F9/24
CPC分类号： C23C18/1212 , B82Y30/00 , C01B33/12 , C01B33/126 , C01B33/14 , C01B33/18 , C01P2002/82 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2006/16 , C22C5/06 , C22C13/00 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C18/1644 , C23C18/1692 , C23C18/1879 , C23C18/1889 , C23C18/42 , Y10T428/24413
摘要： 制备金属纳米颗粒无机复合物10的方法，该方法包括：氧化物膜形成步骤，在该步骤中通过溶胶－凝胶法在基材上形成具有微孔的氧化物膜14，在所述溶胶－凝胶法中，金属醇盐受酸催化剂作用被部分水解；锡沉积步骤，在该步骤中，使氧化物膜14与氯化锡的酸性水溶液接触；过量Sn2+离子去除步骤，在该步骤中，从微孔中除去Sn2+离子；金属纳米颗粒沉积步骤，在该步骤中，将氧化物膜14与金属螯合物的水溶液接触以在微孔中沉积金属纳米颗粒12；和过量金属离子去除步骤，在该步骤中，从微孔中除去金属离子。通过这种方法制备金属纳米颗粒无机复合物10。
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公开(公告)号：CN101283116A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200680037004.0
申请日：2006-10-02
申请人： 阿尔卑斯电气株式会社
发明人： 三森健一
CPC分类号： C23C18/30 , C23C18/1605 , C23C18/1696 , C23C18/1889 , C23C18/208 , C23C18/285 , C23C18/405 , H05K3/185 , H05K2203/0315 , H05K2203/1157
摘要： 一种催化剂处理方法，能够不使用钯，通过简易的工序廉价地形成用于能够进行非电解镀敷方法的催化剂层其具有：使基材与含有锡化合物的锡化合物水溶液接触的锡处理工序；在所述锡处理工序后，使基材1与含有铜化合物的铜化合物水溶液接触的铜处理工序；在铜处理工序后，使基材1与稀硫酸接触的稀硫酸处理工序；在稀硫酸处理工序后，使基材1与铜镀敷液接触而形成铜镀膜2的镀敷处理工序；在镀敷处理工序后，将基材1在实质上不含有氧和氢的气氛中加热的热处理工序。
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公开(公告)号：CN109295335A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811241587.X
申请日：2018-10-24
申请人： 中南大学
CPC分类号： C22C1/05 , B22F1/0003 , C22C9/00 , C23C18/1889 , C23C18/405
摘要： 本发明公开了一种用少量氧化改性后再镀铜改性的膨胀石墨代替石墨，制备出改性膨胀石墨-石墨/铜复合材料的方法。复合材料的制备方法是称取少量改性后的膨胀石墨、石墨粉及电解铜粉混合均匀后，再进行压制、烧结得到。本发明制备的改性膨胀石墨-石墨/铜复合材料导电性能优良，摩擦磨损性能优异，具有更小的摩擦系数，磨损率更低。改性膨胀石墨的加入使得复合材料具有优异的导电性能，更加优良的摩擦磨损性能。且制备方法简单，成本较低，是一种发展前景很好的电接触材料。
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公开(公告)号：CN107523814A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710598780.8
申请日：2014-11-19
申请人： 纳米及先进材料研发院有限公司
CPC分类号： C23C28/32 , B05D5/083 , B05D2202/20 , C22C23/00 , C22C23/02 , C23C18/122 , C23C18/1225 , C23C18/1644 , C23C18/1889 , C23C18/36 , C23C28/345 , C25D11/026 , C25D11/30 , Y10T428/24997 , Y10T428/25 , Y10T428/264 , Y10T428/266
摘要： 使用微弧氧化(MAO)方法在镁合金上形成化学和机械性的保护氧化膜。所获得MAO表面在各个方面得到进一步改进，并且描述了其过程。第一，通过形成超疏水性表面而增强了保护，其中水接触角大于140°，这归因于分层的纳米-微结构。第二，改进了MAO表面的电子性能。具有低至0.05Ω/sq的表面电阻的薄膜是通过在MAO表面上化学镀镍沉积而实现的。第三，黑色是通过MAO样品上的溶胶-凝胶过程所实现的。
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公开(公告)号：CN103998651B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201280061684.5
申请日：2012-03-08
申请人： 汉高知识产权控股有限责任公司
CPC分类号： H01B13/0026 , C23C18/1635 , C23C18/1658 , C23C18/1882 , C23C18/1889 , C23C18/44 , H01B1/02
摘要： 本发明公开了在石墨粉末上化学镀银的一锅法。不需要对石墨进行粉末预处理步骤，所述预处理步骤通常需要过滤、洗涤或冲洗。本发明的方法包括将三种反应物组合物在水中混合在一起：包含石墨粉末和功能性硅烷的含水石墨活化组合物，包含银盐和银络合剂的镀银组合物，以及还原剂组合物。
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公开(公告)号：CN105829576A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480055096.X
申请日：2014-08-06
申请人： 全球第一电路技术公司
发明人： W.威斯曼
CPC分类号： C23C18/1608 , C03C17/10 , C23C18/06 , C23C18/14 , C23C18/1612 , C23C18/1633 , C23C18/1639 , C23C18/1669 , C23C18/1851 , C23C18/1855 , C23C18/1868 , C23C18/1889 , C23C18/1893 , C23C18/2006 , C23C18/2013 , C23C18/204 , C23C18/208 , C23C18/2086 , C23C18/24 , C23C18/40 , C23C18/405 , H05K3/185 , H05K2203/1157
摘要： 本发明的用高速无电镀覆产生导电图像的方法优选包括以下步骤：制备基片表面；使金属配位络合物沉积进入基片表面；还原金属配位络合物，以在基片表面中形成图像；在图像上沉积保护性材料；在图像上无电镀覆金属。
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公开(公告)号：CN103534384B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201280023397.5
申请日：2012-04-17
申请人： 安美特德国有限公司
CPC分类号： C03C17/40 , C03C17/10 , C23C18/1889 , C23C18/40 , Y10T428/12597
摘要： 本发明公开了一种用于在包含金属(例如钼或钛)和含有所述金属的合金的金属或金属合金结构上无电镀金属或金属合金的方法。所述方法包括以下步骤：活化，在包含至少一种含氮化合物或羟基羧酸的水溶液中处理，以及无电镀金属或金属合金。
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公开(公告)号：CN103889619B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201380003531.X
申请日：2013-01-09
申请人： LG电子株式会社 , 汉阳大学校艾丽卡产学协力团
CPC分类号： H01F1/03 , B22F1/0018 , B22F1/0059 , B22F1/025 , B22F3/225 , B22F3/227 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B82Y30/00 , C22C2202/02 , C23C18/1635 , C23C18/1689 , C23C18/1879 , C23C18/1889 , C25D1/006 , C25D5/48 , C25D7/001 , H01F1/0579 , H01F1/113 , H01F41/005 , H01F41/02 , H01F41/26 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F2202/05
摘要： 本发明涉及一种在短时间内制造大量硬-软磁性纳米复合材料粉末的方法。本发明的硬-软磁性纳米复合材料粉末具有很多优点，如不受稀土元素的资源供应问题影响且价格低，并能够克服常规铁氧体单相材料所具有的物理和磁性限制。
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公开(公告)号：CN101960045B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN200980107159.0
申请日：2009-03-02
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/288 , C23C18/1619 , C23C18/1644 , C23C18/1889 , C23C18/31 , C23C18/44 , C23C18/54 , Y10T428/249953 , Y10T428/249955 , Y10T428/249977 , Y10T428/249978 , Y10T428/249979 , Y10T428/249986 , Y10T428/249994
摘要： 提供一种复合材料和该复合材料的制造方法，所述复合材料是在形成于硅表面层的非穿透孔内，使用镀覆法以金属等以不形成空隙的方式填充，并且该硅表面层被金属等覆盖的密合性高的复合材料。通过以位于从硅基板(100)表面形成的非穿透孔的底部的第1金属为起点，所述非穿透孔由使用自催化型无电解镀覆法的实质上的第2金属或者所述第2金属的合金(106a)填充，并且硅基板(100)的表面由第2金属(106b)覆盖，从而可以得到所述第2金属或者所述第2金属的合金(106a)、(106b)与硅表面密合性高的复合材料。
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